溶剂热还原合成Cr2O3纳米管(英)

Cr₂O₃ nanotubes with diameters of 80 nm and lengths of 550 nm were synthesized in a solvothermal reduction system at 180 ℃. The acetyl acetone (AcAc) and ethylene glycol (EG) were used as the chelate agent and the reductant respectively in the system. An intermediate compound-Cr(Ⅲ)(C₅H₇O₂)₃ was formed to force Cr₂O₃to crystallize along one direction.     

在酸性条件下合成氧化亚铜纳米立方体(英)

在微酸性(pH：4～6)的水热体系中130 ℃反应18 h合成了氧化亚铜纳米粒子，粒径约为100 nm，呈立方体外形。乙二胺和十六烷基胺在反应体系中充当缓冲试剂，调节反应液的pH值并控制体系中游离Cu²⁺的浓度，使得Cu²⁺不会被迅速还原成单质铜。所合成的纳米立方体的能带宽度约为2.51 eV，比氧化亚铜体材料和氧化亚铜纳米线蓝移了0.51 eV和0.17 eV，它有利于把太阳光谱中能量高的可见光转化成其他形式的能量。     

溶胶溶剂热晶化法制备纳米TiO2微晶

采用二氧化钛溶胶溶剂热晶化法成功制备了锐钛矿型TiO2纳米微晶，研究了不同制备条件对TiO2晶型和粒径的影响，并用XRD、TEM、TG—DTG—DTA进行表征。结果表明，制得的TiO2纳米微晶粒径小、粒度均匀、热稳定性好、纯度高、单分散．     

Synthesis and Characterization of Cobalt-Carbon Core-Shell Microspheres in Supercritical Carbon Dioxide System

研究了钴碳核壳微球在超临界二氧化碳体系中的合成过程. 在密闭的不锈钢高压反应釜中,适量的二茂钴和干冰在350 oC下,反应12 h后合成直径大约1 μm的钴碳核壳微球。通过X射线衍射、X射线光电子谱、透射电子显微镜、傅利叶红外光谱(FT-IR)以及拉曼光谱的分析,钴碳核壳微球是由直径小于1 μm的非晶钴核和厚度约为200 nm的非晶碳壳组成. 其生长机理可能是：二茂钴在超临界二氧化碳体系中的热分解,带单电子的碳原子或基团由于磁性作用沉积在磁性的钴核上. 由于非晶碳壳的存在,钴碳核壳微球的磁饱和强度141.     

超临界二氧化碳体系中正八面体氧化钴颗粒的生长及其表征

研究了正八面体氧化钴颗粒在超临界二氧化碳体系中的合成过程。在密闭的不锈钢高压反应釜中,1.0 g乙酸钴和12.0 g干冰在450 ℃下,反应12 h后合成粒径大约10 μm的正八面体氧化钴颗粒。通过XRD、 XPS、TEM、 SEM以及拉曼光谱的分析,氧化钴颗粒是由八个{111}面包裹着的正八面体单晶组成。条件实验显示,超临界二氧化碳体系是正八面体氧化钴颗粒合成的充分条件。其生长机理可能是：乙酸钴在超临界二氧化碳体系中的热分解;氧化钴的结晶和定向缓慢生长。在性能方面,初步研究了正八面体氧化钴颗粒在作为锂离子电池电极材料的应用。     

不同间距的钴纳米粒子一维链的制备及磁性能研究

在室温条件下用简单、易操作的方法磁诱导自组装制备出钴纳米粒子一维链状结构,研究了工艺条件对钴链中粒子的大小以及间距的影响.重点分析了两种不同粒径及间距的钴纳米粒子链状结构的磁性与温度的变化关系,发现钴纳米粒子链状结构在室温时呈超顺磁性,而在10K时呈弱铁磁性.提出了间距长（约10nm左右）的纳米链更趋近于单个纳米粒子的...     

一步法制备多颜色荧光碳掺杂二氧化硅

报道了一种新的合成多颜色荧光碳掺杂的二氧化硅,与以往的溶胶凝胶制备方法不同,利用浓硫酸在较低温度下对正硅酸四乙酯的脱水作用,制备了粉红色的荧光产物,这说明产物在可见光区域有吸收。荧光测试表明产物表现出多颜色荧光的特性,化学分析显示产物为无定形二氧化硅,并含有少量的碳,少量的碳在产物中以C—O键和C=O的形式存在。由于掺杂在二氧化硅结构中的掺杂有C,由此导致的缺陷成为荧光中心,使产物具有较强的荧光。     

主族s区金属Mg电催化N2还原反应的第一性原理计算研究

电催化N2还原反应(NRR)可以在温和的条件下利用可再生的电力将氮气和质子从电解质水溶液转化为氨,被认为是一种非常有前景的替代哈伯法合成氨技术.但是这项技术也面临巨大的挑战,因为N2分子中的N≡N键非常牢固,需要高活性的催化剂才能将其断裂.和过渡金属相比,主族s区金属在NRR中很少被研究.本文采用第一性原理计算的方法,...     

一种新的硅基晶体 BaH2SiO4的结构和性能

本文报道了采用水热法生长BaH₂SiO₄单晶的实验结果,它属三斜晶系,空间群为P1,晶包参数为:a=7.079,b=7.362,c=7.5824?,α=89.64°,β=88.785°,γ=88.23°。原子力显微镜(AFM)和P-E铁电回线测量显示该材料具有铁电性,沿(010)方向极化强度和娇顽力分别为0.882μC·cm^-2 and 1.12kV·cm^-1,研