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要以Xilinx公司Spartan_Ⅱ系列XC2S200芯片为FPGA控制单板的核心,设计必要的外围扩展电路,包括A/D、D/A、液晶显示、二极管指示、串行通讯、按键等模块来构成雷达模拟器控制系统。重点阐述了控制系统中的重复频率设置及多站触发控制和指示这一主要功能模块的设计方法及实现过程。控制系统运用Verilog硬件描述语言编程,在ModelSim SE平台下进行功能的仿真,实现了硬件设计软件化。经过仿真及硬件测试表明:基于FPGA技术的硬件设计方案能够实现控制系统分频功能,实时性好,可靠性高。 相似文献
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采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。 相似文献
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磁控溅射中靶-基底距离与Si共掺对ZnO:Al薄膜性质的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
使用射频磁控溅射, 在正方形石英衬底上沉积透明导电掺Al的ZnO(AZO)和Si共掺AZO(AZO:Si)薄膜. 系统研究了靶-基底距离(Dst)和Si共掺对AZO薄膜电学、光学性质的影响. 电阻率、载流子浓度和迁移率都强烈地依赖于靶-基底距离, 随着靶-基底距离的减少, 载流子浓度和迁移率都有显著的增加, 电导率也随之提高. 在靶-基底距离为4.5 cm处, 得到最低电阻率4.94×10-4 Ω·cm, 此时的载流子浓度和迁移率分别是3.75×1020 cm-3和33.7 cm2·V-1·s-1. X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和边界散射模型被用于分析载流子浓度、迁移率和靶-基底距离的关系. 透射谱显示, 在可见-近红外范围内所有样品均有大于93%的平均透射率, 同时随着靶基距离的减少, 吸收边蓝移. AZO:Si表现出可与AZO相比拟的高电导和高透射光学特性, 但在热湿环境中却有着更好的电阻稳定性, 这在实际使用中很有意义. 相似文献
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早在六十年代初就有人对布线自动化进行研究了.当初主要用于印刷电路版,后来才用于大规模集成电路的版图设计.布线算法主要可分为两类.一类是迷宫型算法,典型的有“李氏算法”和“行布线算法”.这类算法是以搜索来寻找布线路径,具有较大灵活性和普遍性,但要进一步提高布线成功率则较难,且太费时间和内存,在这以后,出现 相似文献
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利用脉冲激光沉积的方法制备掺铒 Si/Al2O3多层结构薄膜,获得了由纳米结构的Si作为感光剂增强的Er3+在1.54 μm高效发光.利用拉曼散射、高分辨透射电镜和光致发光测量研究了在不同退火温度下(600-1000 ℃)纳米结构Si层的结晶形态变化,及对Er3+在1.54 μm的发光的影响特征.研究发现最佳发光是在退火温度600-700 ℃.在这个条件下纳米Si的尺寸和密度,Si和Er的作用距离以及Er3+发光的化学环境得到了优化.进一步,光致发光瞬态衰减谱研究表明,当纳米Si尺寸小时,衰减遵循单指数模式(慢过程),当纳米Si尺寸大时,衰减遵循双指数模式(快过程和慢过程),其中衰减中快过程来自类体Si的对激发态Er3+去激发过程,慢过程对应典型的纳米Si体系衰减过程. 相似文献
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本文研究电子辐照硅p~+-n结的缺陷退火特性及少子寿命控制.在双空位的退火过程中存在两种退火机理,分别在较低温度下及在较高温区内起主要作用.得出缺陷E_3的激活能为1.7eV,频率因子为2.8×10~9S~(-1).控制少子寿命的中心是双空位及E_3. 相似文献