铁电多层膜与铁电超晶格

铁电多层膜和铁电超晶格是改善铁电薄膜性能并探索新的物理现象的有效途经.作者结合自己的研究工作,介绍了铁电多层膜和铁电超晶格的研究现状和进展.     

Bi3.15Eu0.85Ti3O12铁电薄膜的结构与光学性能

采用化学溶液沉积法在石英衬底上制备了Bi_3.15Eu_0.85Ti₃O₁₂ (BEuT) 铁电薄膜,研究了 BEuT薄膜的结构和光学性能。XRD结果表明,不同温度退火的BEuT皆形成铋层状钙钛矿型结构,其晶粒尺寸随着退火温度的升高而增大,与SEM观察结果一致。对BEuT薄膜的拉曼光谱研究表明,Eu³⁺主要取代钙钛矿层中的Bi³⁺位。光学透过率曲线显示,在大于500 nm的波段,各BEuT薄膜的透过率均比较高,其禁带宽度约为 3.69 eV。BEuT薄膜的发光随着退火温度的升高而增强,这可归因于其结晶状况的改善。     

Ca0.88TiO3：0.12Eu3+红色荧光粉的结构与发光性能

采用固相反应法制备Ca_0.88TiO₃：0.12Eu³⁺（CTE）红色荧光粉,研究了CTE荧光粉的结构与发光性能。XRD结果表明,不同退火温度下的CTE荧光粉皆为钙钛矿结构,其晶粒尺寸随退火温度的升高而增大,1 300℃退火时晶相最佳,与SEM观察的结果相一致。CTE荧光粉的激发光谱由350~500 nm范围内的一系列窄带吸收峰组成,其中的最强峰位于398 nm 附近;发射谱主要包含595 nm和616 nm两个峰,属于Eu³⁺离子跃迁发光。616 nm发射峰明显强于595 nm发射峰,说明Eu³⁺是处在无反演对称中心的格位。CTE 荧光粉的发光随着退火温度的升高而增强,1 300℃时达到最大值,这可归因于其结晶状况的改善。另外,CTE荧光粉还具有色纯度高与热稳定性好等优点,这些将使CTE成为一种潜在的用于近紫外激发的白光LED红色荧光粉材料。     

Bi3.6Eu0.4Ti3O12/ZnO复合薄膜的结构与发光性能的研究

为了研究Bi3.6Eu0.4Ti3O12/ZnO复合薄膜在结构与发光性能上的变化,采用化学溶液沉积法(CSD)在石英衬底上制备BET薄膜和BET/ZnO复合薄膜。XRD测试结果表明,所制备的BET薄膜与BET/ZnO复合薄膜均为良好的铋层状钙钛矿多晶结构,并具有(117)择优取向,ZnO的掺入对钙钛矿相BET结晶有促进作用,晶粒尺寸变大。在发光方面,BET薄膜与BET/ZnO复合薄膜的激发中心都位于350 nm附近的波段,发射谱主要包含位于595 nm和614 nm的两个峰,都属于Eu3+离子跃迁发光,但BET/ZnO复合薄膜在发光性能上却有较大的提高,这可能与ZnO具有强烈的紫外吸收及ZnO和Eu3+或Bi3+离子间存在较为有效能量传递有关。这种复合薄膜的研究将为探索新型的发光材料提供有益的借鉴。     

集成铁电器件用LaNiO3薄膜电极的结构与电学性能

采用化学溶液沉积法在(100)Si,SiO2/Si,(100)Al2O3,(100)MgO,(100)SrTiO3(STO),(100)ZrO2等衬底上制备了LaNiO3(LNO)薄膜,研究了热处理温度对薄膜结构和电性能的影响.结果显示,衬底种类影响LNO薄膜的结晶,其中STO衬底上的LNO薄膜呈高a轴择优取向成长,且其电阻率最低,为0.87 mΩ.cm.而对于Si衬底上的LNO薄膜,随着热处理温度升高,晶粒尺寸增大,电阻率降低,在750℃时电阻率达到最低值(1.52 mΩ.cm),其后热处理温度的升高导致杂相的形成,电阻率反而上升.扫描电镜观察证实这些LNO薄膜光滑、致密、均匀且无裂纹.结果表明,制得的LNO薄膜可用作集成铁电薄膜器件的底电极.     

锆钛酸铅的纯铁电回线分析

 在0~150 ℃范围测量了PbZr _0.48 Ti _0.52 O ₃ （PZT）陶瓷薄片的电滞回线和微分电滞回线。发现电滞回线高度在升温过程中出现升高的现象,这与铁电唯象理论相矛盾。为此提出精确测定纯铁电参数的方法,该方法可分离出回线中直流电导, 非铁电性电容的影响,从而得到纯铁电效应的信号。实验结果与PZT中准同型相界的存在相吻合。