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1.
 天文学是一门以观测为基础的学科,其发展主要依靠观测和数据的支持。基于SAO/NASA Astrophysics Data System天文物理学数据系统中高被引文章并结合热点新闻报道,回顾了2018年天文学热点的进展和发现,以观测和基础研究、仪器研制及工具开发两大方面论述了2018年天文学研究热点。  相似文献   
2.
活塞数控系统控制软件的设计   总被引:5,自引:1,他引:4  
介绍了中凸变椭圆活塞数控车削系统的构成及特点、活塞加工原理、控制软件的设计等项内容。汽车发动机活塞的形状复杂,传统的靠模加工法柔性差,不能满足现在汽车类型多样化、产品更新换代快的要求。本文所介绍的数控系统很好地解决了这一问题,它采用多级CPU的控制方法和多层次模块化的软件设计思想,很好地满足了活塞加工的要求,并且具有功能强大、界面友好、活塞设计数据的输入和修改方便、柔性好等特点。该系统现已通过了工厂72h考机,并形成了正式产品。  相似文献   
3.
掺杂二氧化钛纳米管对有机电致发光性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
在聚合物电致发光器件中,通过在不同功能层中掺杂二氧化钛纳米管来改善器件的性能.由于二氧化钛纳米管具有p型传导特性,可以显著增大空穴传输层中载流子的迁移率.由于二氧化钛纳米管在发光层中可以增大发光材料分子的刚性,从而减少无辐射跃迁.当把二氧化钛纳米管掺杂到空穴缓冲层中时,由于其与有机分子的强相互作用,一方面降低了空穴的传导性,同时也减少了界面淬灭发光的缺陷态的产生. 关键词: 二氧化钛纳米管 聚合物电致发光 掺杂  相似文献   
4.
孙力  邵喜斌  钱磊  赵谡玲 《发光学报》2010,31(3):331-336
用不同溶剂中的前驱物旋涂成PVK层,制备了ITO/PEDOT:PSS/PVK/Ca:Al器件,以及相同结构不同PVK分子量的器件。通过测试分析认为:器件的电致发光谱中590nm波长处的发光峰来自于PVK三线态的激基复合物,并且发现其强度依赖于PVK的分子构型,即在PVK分子中相邻咔唑基团重叠程度。通过比较不同紫外辐照剂量后的PVK器件的发光,发现适度的UV辐照后的PVK分子构型中相邻咔唑基团处于全重叠的状态增加,在电致发光时会形成更多的三线态激子,因而提高了PLED器件的发光效率。  相似文献   
5.
慧眼望天空     
钱磊 《科学世界》2012,(2):68-73
眼睛只能看见可见光波段的世界。但如果从射电波段去看,世界将会是怎样的呢?用于射电观测的射电望远镜的基本工作原理是什么,它又是如何呈现给我们一个完全不同的射电世界的?  相似文献   
6.
提出了一种基于视频图像理解的中国象棋棋子识别算法.在检测视频图像无变化基础上,检测棋子变化,利用棋子的先验信息及象棋规则排除无法行棋点,再通过当前帧图像与前两步棋子图像特征识别出实际行棋的棋子.该算法避免使用二值化门限,对光照、阴影等外界环境的变化具有良好的适应性.  相似文献   
7.
张振  钱磊  韩长峰  滕枫 《发光学报》2017,38(2):207-212
采用旋涂工艺将PbSe三维自组装超晶格镶嵌在两层聚合物PVP中,制备了基于PVP和PbSe三维自组装超晶格复合体系的电双稳器件,器件结构为ITO/PVP/PbSe三维自组装超晶格/PVP/Al,研究了其电学性能和记忆效应。与参比器件ITO/PVP/Al相比,器件ITO/PVP/PbSe三维自组装超晶格/PVP/Al的电流-电压特性呈现出非常明显的电双稳特性和非易失记忆行为,在相同的电压下同时具有两种不同的导电状态:低电导的关态和高电导的开态。当PVP与PbSe超晶格的质量比为1:1时,器件性能最好,其最大电流开关比为7×104,经过104 s仍几乎无衰减。通过对电流-电压曲线拟合,利用不同的导电模型对器件的载流子传输机制进行了解释。结果表明,PbSe三维自组装超晶格作为电荷陷阱,可以俘获、储存及释放电荷,对器件的电双稳性能能起决定性作用。  相似文献   
8.
从智能网业务控制点(SCP)作用入手,通过对现行系统的分析,研究并提出智能网 SCP点维护系统的方案,讨论了该软件日志文件管理系统的设计、日志文件基本操作和高级操作的分类及其设计方案的实现。  相似文献   
9.
李畅  薛唯  韩长峰  钱磊  赵谡玲  喻志农  章婷  王岭雪 《物理学报》2015,64(8):88401-088401
采用金属氧化物电子传输层(ETL)的聚合物光伏器件在制备完成之初通常性能表现低下, J-V曲线呈异常“S”形. 当器件受白光持续照射后, 该不良状况会逐渐好转, 此过程称为光浴(light-soaking). 光浴现象普遍被认为是ETL界面问题所致. 从器件结构着手, 研究了ZnO 纳米颗粒ETL相邻的两个界面在光浴问题上的作用. 制备了功能层相同的(电极除外)正型、反型器件及复合ETL结构器件, 发现光浴现象仅出现于包含ZnO/ITO界面的反型器件中, 证明该界面是导致光浴现象的主要原因. 分析认为: ZnO颗粒表面O2吸附形成的电子陷阱增加了ITO/ZnO势垒厚度, 使得光生电子无法逾越而成为空间电荷积累, 从而导致器件初始性能不佳. 器件经光照后, ETL内部受激而生的空穴电子对填补了ZnO缺陷, 提升了ETL的电荷选择性并减小了界面势垒厚度, 被束缚的光生电子得以隧穿至ITO电极, 反型器件性能最终得以改善.  相似文献   
10.
随着超高速磨削研究的不断的深入与工业实用化,超高速磨床已经成为各国先进制造技术发展的重点。本文综述了国内外超高速磨床的发展现状,简述了超高速磨床目前的发展趋势。  相似文献   
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