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1.
该文深刻分析了高职高专计算机专业高等数学课程的发展现状,并针对相应问题,结合高职高专院校相应特点,探讨进行高职高专院校计算机专业高等数学课程教学改革的有效途径.  相似文献   
2.
公路隧道群运营期安全保障工程相较于单体隧道更为复杂,面临的大量不确定性和安全风险直接威胁着隧道安全运营。从“人-车-隧道-交通环境-管理”五个要素构建运营安全评价因子集,结合变权理论对开展动态评价研究,形成因素-时间变权方法的双动态权重计算模型以体现指标的时变特点,结合模糊综合评价模型进行等级评价,以某高速隧道群开展评价工作。通过上述研究表明:因素-时间变权模型对于运营期的隧道群安全评价指标的权重控制具有极强的针对性,能很好的弥补常规评价方法中对隧道运营期安全因时变性的特点造成的评价结果失真的缺点;变权理论的利用为开展风险的动态管控提供了重要的理论支撑。  相似文献   
3.
This paper reports that an experimental investigation of fast pitch angle scattering(FPAS) of runaway electrons in the EAST tokamak has been performed.From the newly developed infrared detector(HgCdTe) diagnostic system,the infrared synchrotron radiation emitted by relativistic electrons can be obtained as a function of time.The FPAS is analysed by means of the infrared detector diagnostic system and the other correlative diagnostic systems(including electron-cyclotron emission,hard x-ray,neutrons).It is found that the intensity of infrared synchrotron radiation and the electron-cyclotron emission signal increase rapidly at the time of FPAS because of the fast increase of pitch angle and the perpendicular velocity of the energetic runaway electrons.The Parail and Pogutse instability is a possible mechanism for the FPAS.  相似文献   
4.
This paper reports that an experimental investigation of fast pitch angle scattering (FPAS) of runaway electrons in the EAST tokamak has been performed. From the newly developed infrared detector (HgCdTe) diagnostic system, the infrared synchrotron radiation emitted by relativistic electrons can be obtained as a function of time. The FPAS is analysed by means of the infrared detector diagnostic system and the other correlative diagnostic systems (including electron-cyclotron emission, hard x-ray, neutrons). It is found that the intensity of infrared synchrotron radiation and the electron-cyclotron emission signal increase rapidly at the time of FPAS because of the fast increase of pitch angle and the perpendicular velocity of the energetic runaway electrons. The Parail and Pogutse instability is a possible mechanism for the FPAS.  相似文献   
5.
采用偶联剂γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)对纳米氧化钆(nanoGd2O3)表面进行包覆改性, 通过热压成型法制备了一种新型的改性纳米氧化钆/碳化硼/高密度聚乙烯(M-nanoGd2O3/B4C/HDPE)复合材料. 傅里叶变换红外光谱(FTIR)、 扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱(EDS)分析结果表明, nanoGd2O3成功被偶联剂改性, 且改性nanoGd2O3在聚乙烯基体内的界面相容性和分散性显著提高. 热重分析(TGA)、 差示扫描量热分析(DSC)和力学拉伸实验表明, 改性nanoGd2O3的引入增强了复合材料的热稳定性, 提高了复合材料的拉伸强度、 杨氏模量和断裂伸长率. 对复合材料的中子和伽马射线屏蔽性能进行了实验测试和蒙特卡罗模拟计算, 研究了nanoGd2O3改性、 材料形状和材料厚度对屏蔽性能的影响. 结果表明, 界面相容性和分散性优良的nanoGd2O3能够有效提高中子及伽马射线屏蔽率. 方形M-nanoGd2O3/B4C/HDPE材料在厚度为11.7 cm时中子屏蔽率达到90%, 在厚度为13.5 cm时伽马射线屏蔽率达到70%.  相似文献   
6.
锯齿振荡是托卡马克装置上常见的磁流体不稳定性之一.先进实验超导托卡马克(experimental advanced superconducting Tokamak,EAST)装置放电中观察到外加共振磁扰动(resonant magnetic perturbation,RMP)会影响锯齿振荡行为.本文研究了环向模数n=2的RMP对锯齿周期的影响.通过RMP线圈相位差扫描实验发现,当RMP上下线圈(n=2)相位差ΔφUL发生变化时,扰动场的谱型发生变化,锯齿周期和崩塌幅度也随之发生明显的改变.单流体电阻磁流体力学(MARS-F)程序分析表明,在相同实验条件下,当RMP上下线圈(n=2)相位差为ΔφUL=270°时,等离子体芯部区域的响应最强,此时锯齿周期和幅度最小.锯齿行为的改变可能与RMP引起的快离子损失相关.该研究利用RMP上下线圈(n=2)实现对锯齿行为的有效调控,有利于未来EAST发展高比压放电条件下的大锯齿自动控制技术.  相似文献   
7.
HT-7超导托卡马克进行DD等离子体放电时,中子的辐射与辅助加热射频波的类型(LHW加热、ICRF加热)及功率密切相关.利用BF33He正比计数管组成的快速时间分辨中子注量监测系统,研究了不同类型的射频加热对于中子产生机理及高能离子形成的影响.LHW加热功率较低时,易形成逃逸,产生大量的光中子.特定频率的ICRF(27 MHz,24 MHz)加热时,聚变中子所占份额以及总的中子产额均随波功率的增大而显著增涨. 关键词: 射频加热 中子 托卡马克  相似文献   
8.
HT-7托卡马克等离子体slide-away放电研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
在HT-7托卡马克上,只在等离子体放电击穿阶段充气,击穿后关闭充气阀门,让装置内真空室器壁的出气维持放电的进行,通过密度衰减实现了slide-away放电.实验分析了不同等离子体电流平台下的slide-away放电模式的密度阈值,以及相同充气量的条件下放电等离子体电流对实现slide-away放电的影响.研究了slide-away放电模式下密度提升对等离子体放电状态的影响.结果发现,slide-away放电模式下的密度提升使得Ha线辐射强度增强,等离子体中超热电子的约束性能变差,等离子体芯部的超热电子减少,高能逃逸电子厚靶轫致辐射增加. 关键词: slide-away放电 托卡马克 等离子体 逃逸电子  相似文献   
9.
HT-7 Tokamak拥有离子回旋波(ICRF)和低杂波(LHW)两套加热系统.ICRF主要对加热离子有比较好的加热效果,LHW则主要是通过电子Landau阻尼加热电子.除此之外,在ICRF和LHW协同加热的条件下,可以对等离子体产生更有效的加热效果,增加等离子体的聚变反应截面,增加聚变中子产额.本文报道了LHW对改善ICRF和等离子体耦合的重要作用,ICRF和LHW加热等离子体中电子温度随时间的演化过程,计算了放电过程中电子逃逸的阈值能量,分析了逃逸电子的产生过程,以及放电过程中的中子产额.研究结果发  相似文献   
10.
为了判断中性束注入加热效果和研究等离子体宏观旋转和有效电荷数(Z_(eff))对中子出射的影响,结合实验数据,利用TRANSP模拟程序研究了EAST中性束注入加热时,等离子体旋转速度、有效电荷数Z_(eff)以及等离子体储能与中子出射率的关系。模拟结果表明,在能量为65keV、功率为2.89MW的中性束注入加热时,等离子体产生较大的旋转,旋转减少快离子热化时间,降低中子产额;有效电荷数Z_(eff)增加时,快离子投掷角散射增强,束靶反应减少,中子产额缩减。中子出射率随等离子体储能的增加而增加。  相似文献   
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