相位校正器粘接局部应力控制技术

通过理论分析,对相位校正器的镜面与支撑结构间的粘接建立模型进行仿真研究,提出了在相位校正器镜片上加工小圆柱,使其粘接应力由镜片本身转移到突出部位的小柱子上,有效改善了相位校正器镜面局部粘接应力,使镜面局部高阶像差得到缓解,并通过试验验证了其有效性。     

Eu(DBM)_3TPPO的晶体结构和荧光光谱

C_(63)H_(51)O_7PEu,三斜晶系,空间群,a=12.336(3),b=18.729(5),c=11.502(3),α=95.86(2),β=103.14(2),γ=87.89(2)°,Z=2,D_x=1.39gcm~(-3)。用6989个I>3σ(I)的可观察衍射数据对72个非氢原子的原子坐标和各向异性温度因子进行全矩阵最小二乘精修,最终的偏离因子R=0.055。中心离子Eu(Ⅲ)由七个氧原子配位,配位多面体为畸变的单帽三棱柱体,帽位由TPPO的氧原子占据,Eu—O原子间距在2.305(4)—2.367(4)之间。77K下测定了配合物的高分辨激光激发和发射光谱,结果表明配合物中Eu(Ⅲ)离子有两种格位,一具C_(2v)点对称性,另一具C_s点对称性。具有较低对称性C_s的物种在配合物中占绝对优势。77K下还记录了掺1％铕的配合物Gd(DBM)_3TPPO的发射光谱,结果表明Gd(Ⅲ)离子具有与标题化合物中Eu(Ⅲ)离子相同的格位。     

计算机联锁

本文探讨了计算机联锁系统的安全.     

同步电机定子绕组不对称状态的分析方法——Ⅱ.参数的计算方法

参数计算是分析电机绕组不对称状态的关键问题。用多回路法分析同步电机定子绕组不对称状态时所用的参数,与绕组正常时的参数不同,它包括定子绕组每个支路、转子各阻尼回路和励磁绕组的自感系数和互感系数。定子支路参数可以由单个线圈参数组成。本文在考虑铁心饱和的情况下,研究了参数计算的两种方法,即气隙磁导分析法和磁场数值分析法,并将它们应用于实际电机的计算,验证和比较了两种计算方法。     

W_0~(1,p)(Ω,R~N)中二阶拟线性椭圆型欧拉方程组的多解问题

本文利用翻山定理证明了泛函的欧拉方程组在Banach空间中非零解的存在性。     

标准体系的比例型寿命使用期模型与分析

本文在基于标准被废除按比例进行时的标准体系使用期的两个新模型。首先给出了模型假设条件,然后定义了标准使用期。根据假设给出了两个模型条件下的标准使用期公式,最后通过数值示例说明了标准使用期的公式使用。     

CO、H_2及HO_2在Co/SiO_2催化剂上吸附的原位红外光谱

用原位IR研究了CO在Co/SiO_2催化剂上的吸附,并考察了吸附的CO与H_2、H_2O的相互作用。CO在Co/SiO_2上的吸附显示出四种不同的吸收峰。2002、2027cm~(-1)归属于端基CO吸附;2120cm~(-1)归属于CO在钴离于上的吸附;1870cm~(-1)为CO的桥式吸附;1720cm~(-1)则为多中心吸附。当温度高于370K时,吸附的CO会完全脱附。H_2与吸附的CO相互作用可削弱CO吸收峰的强度,并逐步在低波数(1980cm~(-1))处产生一个小肩。水与吸附的CO相互作用产生一种甲酸基物种(1585、1390cm~(-1))。该物种被认为是Kòlbel-Engelhardt反应的中间体。     

MkdV方程族的换位表示及其相应的Liouville完全可积系统

本文给出了ＭｋｄＶ方程族的换位表示及一个有限维对合系，并讨论了Ｂａｒｇｍａｎｎ约束和Ｃ．Ｎｅｕｍａｎｎ约束及其相应的定态ＭｋｄＶ系统。最后，我们得到ＭＫｄＶ方程族的对合解。     

层流液柱吸收法测定气体在液相中的扩散系数

采用射流吸收的简捷方法，通过测定由Ｓｈｏｕｔｈｗｅｌｌ型孔板所产生的截面速度均匀的层流喷射液柱所吸收的气体量，由渗透理论所导出的模型，可计算出一定温度、压力下的微溶气体在液相中的分子扩散系数Ｄ。在温度为３０～４５℃的范围，测试结果与文献值吻合良好．