边界层对粗糙单裂隙溶质运移影响试验

为探究非费克(non-Fickian)运移表现出的峰值提前到达和拖尾等现象,开展了粗糙单裂隙溶质运移试验,总结了粗糙单裂隙中溶质运移特征及运移机理,结合边界层理论对峰值提前到达和拖尾现象进行了分析和解释。结果表明：峰值时间和拖尾时间与边界层厚度之间存在较好的线性相关关系;边界层对裂隙介质溶质运移有较为显著影响,即水流速度越小,边界层厚度越大,滞留在边界层内部的溶质越多,溶质获取率越低;粗糙单裂隙中溶质穿透曲线的峰值提前和拖尾现象是由裂隙中心处以惯性力主导的主流区和裂隙壁面以黏性力主导的边界层区共同作用造成的,其中峰值时间主要由主流区的对流因素控制,而边界层区域的存在对拖尾时间影响较大。     

B/S模式智能考试系统的研究与设计

文章给出的考试系统模型采用浏览器/服务器模式，提供了用户信息管理、试题库信息管理、在线联机考试和公共站点管理四大功能模块，具有强大的试题库建设管理、智能组卷、综合智能评价和学习指导等功能，学科通用性强，是改革传统考试形式和实现考试系统智能化控制的一种新的探索。     

团体心理辅导在大学生思想政治教育中的应用研究

梳理了团体心理辅导在大学生思想政治教育中应用的研究现状,对其可行性进行了分析,探讨了团体辅导式思想政治教育的指导思想、活动设计及价值观导向。     

群乘表在群的正则表示中的运用

运用群乘表能方便地写出对应群的正则表示，既快捷又准确，节省了大量运算时间。     

Te自助熔剂定向凝固法生长CdTe晶体

碲化镉(CdTe)晶体是一种制造室温X射线和γ射线探测器最为理想的半导体材料,在医学、食品、安检、核废料监测等应用领域前景广阔。采用一种Te自助溶剂定向凝固技术生长CdTe晶体,在区熔温场及坩埚旋转系统的综合作用下,获得了平坦状的理想固液界面形貌。生长?25 mm的CdTe晶体横截面单晶区域面积可达70%,从?56 mm的CdTe晶体中可截取尺寸达15 mm×15 mm×3 mm的单晶,电学测试表明CdTe晶体在未掺杂改性条件下电阻率达10~8Ω·cm。红外透射显示,CdTe晶体中包含尺寸范围为1～20μm的Te夹杂,这是CdTe单晶生长过程中出现的主要微观缺陷。该工作取得的相关成果对未来CdTe晶体生长技术发展具有一定参考价值和借鉴意义。     

产胶原酶地衣芽孢杆菌菌种的分离、筛选及发酵条件研究

从成都皮革厂等处采集的样品中,分离筛选到一株胶原酶的产生菌Ｊ－４－８,菌种鉴定为地芽孢杆菌（Ｂａｃｉｌｌｕｓ ｌｉｃｈｅｎｉｆｏｒｍｉｓ）。该菌产酶的最适碳源为蔗糖,氮源为明胶,超始ｐＨ为７．５,容瓶装量为１０ｍＬ,种龄是２４ｈ,接种量为６％,在此条件下,摇瓶振荡发酵后,酶活达２５Ｕ／ｍＬ发酵液,较原发酵培养基发酵后的酶活提高３５％。     

气相色谱法快速测定环境水中叔丁醇的含量

提出了气相色谱法快速测定环境水中叔丁醇含量的方法,外标法定量.考察了萃取剂、色谱柱、柱升温程序、载气流量等因素对叔丁醇测定的影响,得到最佳条件为:二氯甲烷作萃取剂,Rtx-Wax色谱柱为分离柱,以5℃·min-1的速率进行程序升温,载气流量为15 mL·min-1.叔丁醇的线性范围为10.0～800μg·L-1,方法的...     

Adaptive Excitation Control with L2 Disturbance Attenuation for Multi-Machine Power Systems

Generator excitation control plays an important role in improving the dynamic performance and stability of power systems. This paper is concerned with nonlinear decentralized adaptive excitation control for multi-machine power systems. Based on a recursive design method, an adaptive excitation control law with L2 disturbance attenuation is constructed. Furthermore, it is verified that the proposed control scheme possesses the property of decentralization and the robustness in the sense of L2-gain. As a consequence, transient stability of a multi-machine power system is guaranteed, regardless of system parameters variation and faults.