恩施市蔬菜中有机磷和氨基甲酸脂类农药残留的调查

概述了有机磷和氨基甲酸脂类农药在蔬菜上的降解和毒理，并对恩施市菜市场及恩施市蔬菜种植基地的现产蔬菜随机取样，用RP508农药残留速测仪检测样品中有机磷和氨基甲酸脂类农药的残留情况．检测结果表明恩施市蔬菜种植基地的蔬菜农药残留合格率为95．00％，恩施市菜市场农药残留合格率为70．00％．从抽检次数的角度计算，农药残留合格率为83．33％．按检测的蔬菜种类计算，农药残留合格率为73．30％．非食叶蔬菜农药残留合格率为91．67％，食叶蔬菜的合格率为81．25％．     

一类非一致椭圆方程障碍问题的全局BMO估计

研究一类具有渐进正则性的非一致椭圆方程弱解的障碍问题。当渐进正则问题的解的梯度接近于无穷大时,利用正则问题的解来逼近渐近正则问题的解,基于Young不等式及扰动讨论等方法,得到其障碍问题弱解梯度的全局有界平均振荡(bounded mean oscillation, BMO)估计。     

基于GaN同质衬底的高迁移率AlGaN/GaNHEMT材料

研究了表面预处理对GaN同质外延的影响,获得了高电子迁移率AlGaN/GaN异质结材料.通过NH_3/H_2混合气体与H_2交替通入反应室的方法对GaN模板和GaN半绝缘衬底进行高温预处理.研究结果表明,NH_3/H_2能够抑制GaN的分解,避免粗糙表面,但不利于去除表面的杂质,黄光带峰相对强度较高;H_2促进GaN分解,随时间延长GaN分解加剧,导致模板表面粗糙不平,AlGaN/GaN HEMT材料二维电子气迁移率降低.采用NH_3/H_2混合气体与H_2交替气氛模式处理模板或衬底表面,能够清洁表面,去除表面杂质,获得平滑的生长表面和外延材料表面,有利于提高AlGaN/GaN HEMT材料电学性能.在GaN衬底上外延AlGaN/GaN HEMT材料,2DEG迁移率达到2113 cm~2/V·s,电学性能良好.     

表面预处理对石墨烯上范德瓦耳斯外延生长GaN材料的影响

基于范德瓦耳斯外延生长的氮化镓/石墨烯材料异质生长界面仅靠较弱的范德瓦耳斯力束缚,具有低位错、易剥离等优势,近年来引起了人们的广泛关注.采用NH_3/H_2混合气体对石墨烯表面进行预处理,研究了不同NH_3/H_2比对石墨烯表面形貌、拉曼散射的影响,探讨了石墨烯在NH_3和H_2混合气氛下的表面预处理机制,最后在石墨烯上外延生长了1.6μm厚的GaN薄膜材料.实验结果表明:石墨烯中褶皱处的C原子更容易与气体发生刻蚀反应,刻蚀方向沿着褶皱进行;适当NH_3/H_2比的混合气体对石墨烯进行表面预处理可有效改善石墨烯上GaN材料的晶体质量.本研究提供了一种可有效提高GaN晶体质量的石墨烯表面预处理方法,可为进一步研究二维材料上高质量的GaN外延生长提供参考.     

基于中空纤维-固相微萃取-高效液相色谱法测定环境水样中4种非甾体抗炎药残留

建立了氧化石墨烯/中空纤维-固相微萃取(GO/HF-SPME)结合高效液相色谱法(HPLC),用于分析环境水样中美洛昔康、吡罗昔康、吲哚美辛、双氯芬酸钠4种非甾体抗炎药的残留。对氧化石墨烯(GO)进行了结构表征,并考察了GO质量、中空纤维长度、萃取时间、搅拌速度、pH值、解吸条件以及重复利用次数对GO/HF-SPME萃取效率的影响。结果表明：美洛昔康、吡罗昔康、吲哚美辛和双氯芬酸钠在10～1 000 ng/mL质量浓度范围内线性关系良好,检出限分别为0.6、0.2、0.5、0.8 ng/mL,相对回收率范围为95.4%～102.5%,富集倍数分别为55、20、103、50倍。由此可见,GO/HF-SPME HPLC适用于环境水样中4种非甾体抗炎药痕量残留的分析。     

老年低额溞卵黄蛋白的分离纯化及性质

为了研究老年低额溞卵黄蛋白(vitellion,Vn)在环境检测中的应用,采用制备电泳方法,从老年低额溞整体匀浆液提取的粗蛋白中纯化其Vn.聚丙烯酰胺凝胶电泳(PAGE)检测表明,SephadexG-100得不到高纯度的Vn,制备电泳可以得到高纯度的Vn,达到了实验要求.对老年低额溞Vn的性质进行研究,老年低额溞Vn总分子质量为389 900u,含有5种亚基,分子质量分别为76 500,63 000,59 200,52 700,47 200u,含有2个二硫键,等电点为5.0～5.5,是一种酸性蛋白.     

Performance analysis of GaN-based high-electron-mobility transistors with postpassivation plasma treatment

AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors(HEMTs)with postpassivation plasma treatment are demonstrated and investigated for the first time.The results show that postpassivation plasma treatment can reduce the gate leakage and enhance the drain current.Comparing with the conventional devices,the gate leakage of Al Ga N/Ga N HEMTs with postpassivation plasma decreases greatly while the drain current increases.Capacitance-voltage measurement and frequencydependent conductance method are used to study the surface and interface traps.The mechanism analysis indicates that the surface traps in the access region can be reduced by postpassivation plasma treatment and thus suppress the effect of virtual gate,which can explain the improvement of DC characteristics of devices.Moreover,the density and time constant of interface traps under the gate are extracted and analyzed.