试论组织变革的关键因素

在组织变革中必须系统地深入地研究组织变革的规律性，根据未来发展可能出现的趋势，在科学预测的基础上有计划、有步骤地稳健进行，从而通过变革使企业获得更好、更快的发展。基于此目的，作者试从某企业在上世纪90年代中期组织变革失败的教训中找出关键因素，期望达到“抛砖引玉”的借鉴效果。     

直线滚动导轨额定动载荷的计算

关于直线滚动导轨额定动载荷的计算,目前在国际ISO标准中尚无计算公式及有关标准.本文以滚动轴承 ISO281-1977国际标准为基准,运用 dundbergG和Palmgren A提出的最大动态切应力理论,结合直线滚动导轨的特点,推导了其额定动载荷的计算公式,并进行了数值计算.与国外的产品样本设定值进行的分析比较表明了本文理论计算的可靠性.     

脂肪酶催化缩聚合成脂肪族聚酯的研究进展

近年来，酶催化合成聚酯由于具有反应条件温和、选择性高、无需保护-脱保护、环境友好、产物易降解等优点而越来越受到人们的关注。本文综述了脂肪酶催化缩聚合成脂肪族聚酯的研究进展，介绍了脂肪酶以及饱和脂肪族聚酯、不饱和脂肪族聚酯的酶催化合成，总结了酶催化聚合存在的问题并提出了相应的改进策略，可以为相关研究提供参考。     

Studies of reactivity ratios of copolymerization of acrylic acid with potassium acrylate

合成了丙烯酸和丙烯酸钾均聚物及其共聚物。用FTIR谱仪测定了不同比例的聚丙烯酸和聚丙烯酸钾共混物中两种单体含量比,建立了标准工作曲线,得到了在低转化率下不同初始单体组成的共聚物中两种单体的含量。用FR和KT两种作图法及YBR计算法对单体的竞聚率进行计算和比较。结果表明,丙烯酸的竞聚率(r1)和丙烯酸钾的竞聚率(r2)分别为r1=0798,r2=0544。     

泌阳断陷下第三系陆相层序中油气生储盖及其组合特征——以双河—赵凹地区下第三系核三上段为例

运用层序地层学理论和分析方法，分析了泌阳断陷下第三系陆相层序中油气生、储、盖以及盐组合特征，分析结果表明：第三系陆相层序中极为有利的烃源岩为发育于高水位体系域的半深湖－深湖泥岩（属区域性生油层），其次是水进体系域及水退体系域的湖相泥岩（属局部性生油层）；有利的储集体分布于水进体系域和水退体系域的冲积扇－－扇三角洲砂体及前扇三角洲斜坡带的滑塌性重力流扇体中，尤其是扇三角洲的（水下）分流河道、河口砂坝（远砂坝）及前缘席状砂体，区域性盖层为高水位体系域的深水湖相泥岩，而水进和水退系域的湖相泥岩亦可构成局部性盖层。     

自由软件R及其在化学中的应用

论述了在科学研究领域中推广自由软件的重要性,并就其中的典型代表———统计处理软件R在化学领域中的应用列举了三个实例:分子动力学数据的统计分析、物理化学实验数据处理及碳纳米管分子模型的构建,给出了详细操作步骤。除文中列举的实例外,R还可被应用于化学模式识别、图形制作等领域,是化学工作者处理实际问题的一大利器。     

棉花转化酶基因保守片段的克隆及其序列分析

通过CODEHOP designer对已登陆GENEBANK的植物酸性转化酶基因序列的同源性分析,根据植物酸性转化酶基因保守区序列设计简并引物,以棉花总RNA为模板,通过RT-PCR方法得到cDNA,以此为模板通过PCR扩增得到片段长为1155bp的片段,将其克隆到加T载体上,经PCR和酶切鉴定筛选得到阳性克隆,并将阳性克隆进行测序,然后在GENBANK中进行blast检索。结果表明本研究克隆的棉花酸性转化酶基因片段编码的氨基酸与甜橙(BAF34362)、温州蜜桔(BAB82419)和梨(BAF35859)的液泡酸性转化酶基因编码的氨基酸的同源性分别为75%、75%和73%。因此,推测获得的基因片段定位于液泡。     

ONIOM 法研究分子筛骨架对噻吩裂解反应的影响

 采用 ONIOM 法研究了分子筛上噻吩的裂解反应, 考察了分子筛骨架环境对反应中各物种的几何构型、电荷分布以及整个反应的影响. 比较了 B3LYP 和 M05-2X 泛函的计算结果. 结果表明, 分子筛骨架可很好地稳定反应带电中间体, 促进了吸附分子的电荷分离, 从而使反应活化能降低. 与现在应用广泛的 B3LYP 泛函相比, 最近开发的 M05-2X 泛函能够更准确地描述反应物分子和分子筛骨架的相互作用, 计算得到的电荷分布和活化能也更为合理. 整个反应的决速步是亲电取代反应, 其活化能为 122.4 kJ/mol, 随后的 C–S 键解离活化能较低, 为 75.5 kJ/mol.     

GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究

尽管GaN基蓝绿光发光二极管（LED）已进入大规模商品化阶段，但其发光波长随注入电流的变化仍是一个尚未解决的关键技术难题.同时，蓝绿光LED电注入发光光谱的半高全宽多为25nm以上.通过优化LED器件材料的生长条件和总应变量，获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱LED外延片.由此制作的LED器件在0—120?mA的注入电流下，发光波长变化小于1nm.在20mA的正向电流下，其光谱半高全宽只有18nm，且随注入电流变化较小. 关键词： GaN 发光二极管 波长稳定性