有限温度时的二维界面极化子

用类Ｌｅｅ－Ｌｏｗ－Ｐｉｎｅｓ中间耦合方法讨论了在有限温度情形极性－极性半导体异质结中界面极化子的性质．在二维近似下，得到了两支界面光学声子模影响下的极化子能量和有效质量的解析表达式．结果表明：极化子效应随温度的升高而减弱，并发现极化子能量较其有效质量对温度更为敏感．数值结果表明温度效应对某些Ⅱ－Ⅵ族半导体异质结是重要的，但对Ⅲ－Ⅴ族半导体异质结是不重要的．     

TlCl和TlBr中激子的结合能

本文用作者之一提出的电子—空穴有效势计算了TlCl和TlBr中激子的结合能,得到了与实验符合较好的结果。     

氮化铝晶须的形态与生长条件的关系

实验以氮化铝粉料为原料,在高纯氮气气氛下用物理气相法在密闭式和半开式钨坩锅内高温生长出氮化铝晶须;并对氮化铝晶须的结晶形态与生长条件的关系进行了分析和探讨。     

一种类分形结构光子晶体的能带

用时域有限差分方法计算了一种类分形结构光子晶体的能带.数值计算结果表明,这种结构的光子晶体在介质柱、空气背景的情况下具有不完全带隙.而且,其能带结构随着级数的增大在整体地趋向于低频的同时,能带结构也趋于稳定.     

熟制鲍鱼残留细菌的分离及16S rDNA鉴定

摘要：为控制熟制鲍鱼残留的细菌污染,采用平板划线分离技术对烘制加工后鲍鱼中残留的主要菌群进行分离,并通过菌落形态观察、革兰氏染色分析和16S rDNA序列比对等方法对其进行鉴定.结果表明,残留在烘制加工后鲍鱼的主要菌群有希瓦氏菌属、不动杆菌属、库特氏杆菌属、海洋类香菌、蜡样芽抱杆菌、肠杆菌属、彭氏变形杆菌等.     

Effects of the microstructure slab with pillars on light extraction of GaN light-emitting diode

The positive z direction relative light extraction efficiency of GaN light-emitting diodes with microstructure slab is calculated by three-dimensional finite-difference time-domain method, where the microstructure slab consists of a graphite lattice of pillars. The results show that the two-dimensional graphite-arranged pillars suppress light extraction. When there is a thick pillar in the middle of the pillars, the structure can enhance light extraction of the light-emitting diodes. The tower-like pillars, which are thin on the top of the pillars and thick on the bottom of the pillars, benefit the light extraction when the angle of the tower-like pillars is proper.     

气相生长氮化铝单晶的新方法

通过在钨坩埚盖开小孔的方法改变氮化铝结晶衬底上的温度场分布,在开孔处形成局部低温区;由于孔的几何尺寸的限制和氮化铝晶体生长的各向异性,开孔处的氮化铝晶体单晶化;随后,开孔处的单晶起籽晶的作用,逐渐长成较大尺寸、较高质量的氮化铝单晶.目前用该方法已经制备出直径大于2mm的氮化铝单晶体.     

量子阱中电子气的静态介电函数和屏蔽势

用自治场方法（它等价于无序相近似）理论上研究了量子阱中电子气的静态响应和它对外加点电荷的介电屏蔽．发现屏蔽势表现出各向异性和Ｆｒｉｅｄｅｌ振荡行为．     

量子阱中屏蔽激子的束缚能

用变分法计算了鼻子阱中屏蔽激子的束缚能．屏蔽效应是用有限厚度介质中电子气的介电函数描述的．     

束缚在高温超导体Cu－O面中的极化子

本文采用绝热近似理论，用变分法讨论了束缚在高温超导材料Ｃｕ－Ｏ面中的极化子。结果表明：Ｃｕ－Ｏ面上对电子的库仑束缚和电子－声子耦合的增强以及材料的光学介电常数与静态介电常数差别的减少，将有利于形成稳定的极化子．