薄Si_xO_yN_z膜击穿机理的研究

本文在研究极薄Si_xO_yN_x膜击穿特性的基础上,探讨了氮化SiO_2膜的击穿机构,讨论了氮化影响击穿性能的因素。实验结果与理论分析表明,氮化后的SiO_2膜击穿性能的改善主要决定于膜中及表界面的微观结构的改善及成分的改变。虽然,氮化引起介质膜带隙宽度的变窄将导致击穿电场的下降,但致密的材料结构、变得平整的表界面及陷阱的影响将大大推迟击穿的发生。实验结果表明,氮化SiO_2膜的本征型击穿仍是由碰撞电离引起的;但是,在任何情况下,引起破坏性的永久击穿的原因仍是热传递。     

基于FPGA的IP仿真验证平台

IP（集成电路知识产权芯核）的仿真和硬件验证是IP开发中不可缺少的环节．文中基于FPGA（现场可编程门阵列）开发了一个IP仿真验证平台,并使用PCI（外部设备互连）总线来测试IP．用户只要将自已设计的IP插入所开发的仿真验证平台,就可以方便地对IP进行测试．文中还对所设计的平台进行了软件仿真,以验证其功能,并在载有Xilinx Spartan-3 600E FPGA的PCI插卡上进行上板调试．结果表明,所建立的基于FPGA的IP仿真验证平台可以对IP进行有效的仿真和验证,并具有良好的稳定性和实用价值．     

四值电压型转换逻辑集成电路

本文介绍了用于四值逻辑与二值逻辑相互转换的两种电压型集成电路BQTL和QBTL。其中QBTL设计成可单独作为四值“阀”门使用,用于构成其他四值组合逻辑。设计中采用了PNP晶体管恒流源,提高了电路的逻辑摆幅、转换速度和集成度。     

SSAD器件的数值分析和特性研究

本文采用数值分析模拟方法对新型类晶闸管结构的半导体涌吸收器件的关键特性进行了理论分析,根据实际工艺条件决定了边界条件和分割点方案并编写了计算程序。计算分析结果表明：在满足正向转折电压要求情况下,尽量减少有效基区宽度是降低通态压降,提高器件过浪涌能力,提高维持电流的关键措施。实验制作两批样品,测试结果证明了这一结论。     

GTR饱和区特性及其安全保护

分析了大功率晶体管（ＧＴＲ）饱和区伏安特性,测量了不同驱动条件和工作温度下ＧＴＲ的集电极压降和集电极电流的关系．结果表明,存在一个饱和压降阈值,超过这个阈值后,过流将产生．据此设计了一种快速有效的过流保护电路．     

背面敏感SRSF传感器的研究

针对＂传感器中毒＂现象，在正面敏感的扩展电阻硅流量（ＳＲＳＦ）传感器的基础上，提出背面敏感的ＳＲＳＦ传感器，并设计出相应的表面贴装元件（ＳＭＣ）封装形式。理论推导和测试结果表明：背面敏感的ＳＲＳＦ传感器的输出电压与流体流速、流向的关系可表述为：；芯片厚度对灵敏度影响很大，其最佳值为１５０μｍ。在最佳厚度下，背面敏感方式虽然牺牲了ＳＲＳＦ传感器的１０％的灵敏度，但却能有效防止传感器中毒，ＳＭＣ封装形式使背面敏感ＳＲＳＦ传感器的正、反流向对称性大大改善。     

多晶硅薄膜晶体管的泄漏电流和噪声模型

为了建立适用于电路仿真器的泄漏区模型,通过泄漏电流、激活能和低频噪声等研究了多晶硅薄膜晶体管的泄漏产生机制.在不同的电场条件下,基于不同的泄漏产生机制,提出了产生-复合率的分区近似计算模型,并统一成适用于1×106～5×108V/m电场范围的泄漏电流模型.同时,建立了中低电场区的激活能模型和泄漏区低频噪声紧凑模型.将模型仿真结果与实验数据进行了比较,证明了所建立模型的有效性,且模型适用于电路仿真器.     

用涡轮MOCVD制作突变异质结和量子阱的气路压强分布的研究

在用ＭＯＣＶＤ技术外延生长多层结构时，源材料的切换过程对生长界面的影响用高速氢气流冲洗管路、设计合理的压强配置而得到控制，获得了晶格匹配好而且介面过度层薄的突变异质结界面．给出了发黄光量子阱结构的气压与流量配置．     

从Si到快速热氮化SiO_2膜的雪崩热电子注入

本文报道了MIS电容从Si到快速热氮化SiO_2膜的雪崩注入电流、平带电压漂移和雪崩注入技术所使用的驱动信号参数三者关系的实验结果,同时结合电子陷阱、氮化工艺、界面陷阱和少子寿命等因素对实验结果作了解释和讨论。