首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   21篇
  免费   11篇
  国内免费   8篇
化学   8篇
数学   1篇
物理学   11篇
综合类   20篇
  2023年   1篇
  2022年   1篇
  2021年   1篇
  2019年   1篇
  2014年   1篇
  2012年   3篇
  2011年   2篇
  2010年   4篇
  2009年   2篇
  2008年   2篇
  2007年   3篇
  2006年   2篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
  2002年   2篇
  2001年   1篇
  2000年   1篇
  1996年   1篇
  1993年   5篇
  1990年   1篇
  1987年   1篇
  1985年   1篇
  1982年   1篇
  1977年   1篇
排序方式: 共有40条查询结果,搜索用时 46 毫秒
1.
本文提出一种生产微细钨铜复合粉的方法。将WO_3(或蓝钨)和CuO均匀混合,在空气中焙烧生成CuWO_4,再在氢气中还原,就能制得微细钨铜复合粉,其钨、铜两相分布均匀,钨颗粒细小且分布狭窄。本文详细地研究了钨酸铜的生成及其氢还原过程,与WO_3相比,发现两者的还原相变过程及动力学过程有某些差异。  相似文献   
2.
采用双表面活性剂模板(十六烷基三甲基溴化铵和聚乙二醇辛基苯基醚的混合物)分解法制备了不同原子比(nLa+nCo)/(nLa+nCo+nZr)和不同温度焙烧的系列介孔混合氧化物催化剂La-Co-Zr-O。运用XRD、N2吸附/脱附、XPS和H2-TPR等技术对催化剂进行了表征,并以CO和C3H8氧化为模型反应,考察了组分配比和焙烧温度等参数对催化剂催化性能的影响。比表面积和孔径测试结果表明,样品具有很高的比表面积(108~266 m2·g-1)和分布集中的孔径(3.4~3.9 nm),Zr含量较高的样品比表面积较大。XRD结果表明,样品中的活性组分钴物种主要以Co3O4形式存在;XPS和H2-TPR结果表明,样品中可还原的晶格氧的数量、活动度以及表面钴原子浓度均与催化剂对CO和C3H8的氧化性能密切相关。原子比为0.5的样品中,较多的晶格氧易于在相对低温下还原;而原子比为0.7的样品表面钴原子浓度较高,这使得两样品均表现出较高的催化活性。经650 ℃焙烧的样品仍保持较高的比表面积(108 m2·g-1)和分布集中的介孔孔径(最可几孔径约3.8 nm),且催化活性下降幅度也很小,表明该系列介孔催化剂具有优良的抗烧结能力和介孔热稳定性。  相似文献   
3.
采用分子束外延法分别在650-920 ℃的Si(110)和920 ℃的Si(111)衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920 ℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si 衬底的取向关系. 扫描隧道显微镜(STM)研究表明,920 ℃高温下,Si(110)衬底上生长的铁硅化合物完全以纳米线的形式存在,且其尺寸远大于650 ℃低温下外延生长的纳米线尺寸;Si(111)衬底上生长出三维岛和薄膜两种形貌的铁硅化合物,其中三维岛具有金属特性且直径约300 nm、高约155 nm,薄膜厚度约2 nm. 电子背散射衍射研究表明920 ℃高温下Si(110)衬底上生长的纳米线仅以β-FeSi2的形式存在,且β-FeSi2相与衬底之间存在唯一的取向关系:β-FeSi2(101)//Si(111);β-FeSi2 [010]//Si[110];Si(111)衬底上生长的三维岛由六方晶系的Fe2Si 相组成,Fe2Si 属于164 空间群,晶胞常数为a=0.405 nm,c=0.509 nm;与衬底之间的取向关系为Fe2Si(001)∥Si(111)和Fe2Si[120]//Si[112].  相似文献   
4.
 采用柠檬酸络合-有机模板剂分解法制备了(La+Co)/(La+Co+Zr)原子比为0.5的La-Co-Zr-O催化剂,并与传统的共沉淀法制备的La-Co-Zr-O催化剂进行比较. N2物理吸附结果表明,采用模板剂法制备的催化剂样品具有较大的比表面积(96.6~117.6 m2/g)和十分均匀的孔径(3.5~4.3 nm); X射线衍射、X射线光电子能谱和X射线吸收精细结构表征结果一致表明,催化剂中活性组分主要为高分散的Co3O4微晶(粒径为23~33 nm), 模板剂法制备的催化剂中所有组分的分散性均优于共沉淀法制备的催化剂. 程序升温还原实验结果表明,采用聚乙二醇辛基苯基醚与十六烷基三甲基溴化铵为混合模板剂制备的催化剂中Co3O4更容易被还原. Co-O 键的活动度与催化剂催化氧化反应的活性密切相关.  相似文献   
5.
本文着重研究了自还原性胺钨盐的性质及其氢还原,发现,将自还原与一般氢还原适当结合,可以高效率地制备比表面积大于20m~2/g的极细、超细钨粉。对自还原的本性及该类钨盐在制取极细、超细钨粉方面的应用前景进行了讨论。  相似文献   
6.
邹志强 《科技信息》2008,(3):295-296
当前我国高校在学生事务管理方面还存在着一些密切相关的矛盾,影响了学生事务管理工作的顺利发展.高校学生事务管理工作应遵循以人为本等原则和宗旨,以促进学生的学习和发展为目的,实行目标管理.高校学生事务管理应通过不断改革和创新管理和服务的措施、手段和方法,促进管理目标的实现.  相似文献   
7.
刑法总则是指导分则的,刑法分则是刑法总则的具体化。两者相辅相成,缺一不可。在运用刑法分则条文时,必须符合刑法总则规定的一般原理和原则。目前刑法总则条款九十三条第二款有疏漏,其指导的分则条款却很完善。那么,根据罪行法定原则,建议将该条款中国有公司、企业、事业单位、人民团体修改为国有单位,就不会出现前后矛盾。  相似文献   
8.
选用六方氮化硼(h-BN)和α球形Al_2O_3为导热填料,分别以单一填料和复配填料制备填充共聚甲醛(Co-POM)导热材料,研究了填料含量、复配比例等因素对Co-POM材料的导热系数、拉伸性能和微观形态的影响。结果表明:两种填料都能提高Co-POM材料的导热系数,填充量越大,导热系数越高,但h-BN比Al_2O_3导热改性效果更好。当h-BN和Al_2O_3复配填充质量比为1∶1(填充总量的质量分数为20%)时,Co-POM导热系数超过Al_2O_3质量分数为30%的单一填料的导热系数,并接近h-BN质量分数为20%的单一填料的导热系数,而复配填充Co-POM的力学性能变化不大。因此,复配填料能达到降低填充量以及降低填料成本的目的。  相似文献   
9.
当前中俄经济合作受到诸多非经济因素的干扰,在一定情况下还表现得十分突出,严重阻碍着双方经济关系的深入发展。从中俄合建输油管道生变等事件中可看出,中俄经济合作中存在"暗流",应引起我们的警惕和认真对待。  相似文献   
10.
For spin reorientation (SRT), the applications of sintering NdFeB permanent magnets are limited at low temperature. The sintering PrFeB permanent magnet (PM) presents no SRT and shows excellent magnetic properties at low temperature. The magnetic properties of bulk polycrystalline sintering Prl-xNdxFeB (x = 0 and 0.8 correspond to P42H and N50M respectively) are studied in this paper. The results show that magnetic properties and stability of N50M are better than those of 42H at room temperature. With the decrease of temperature, the parameters ofBr, Hcb, and Hci of P42H present a nearly linear increasing trend; Br and Hcb of N50M first increase and then decline, Hci presents an increasing trend. At 77 K, Br, Hci, and Jr of P42H are increased by 18.7%, 308%, and 17.1% respectively over than those at 300 K; at 120 K, Br, Hci, and Jr of N50M are increased by about 16.19%, 245%, and 12.6% respectively over than those at 300 K. The magnetic properties of P42H are better than those of N50M at low temperature. The sintering PrFeB is the preferred PM in various low-temperature devices.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号