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在200 keV重离子加速器上,用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C60薄膜.对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析.结果表明,不同离子注入C60薄膜后,C60的1469 cm-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降,同时在1300—1700 cm-1范围出现非晶碳峰,并逐渐增强,最终完全非晶化.而且1469 cm-1拉曼峰的强度及C60薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关.进一步的分析表明,C60分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成,与电子能量转移无关.H离子注入C60薄膜后,1469 cm-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽,这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C60分子发生聚合的结果.
关键词: 相似文献
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掺杂C60薄膜的制备及光电特性 总被引:1,自引:0,他引:1
在电弧法制备的过程中添加氮气或B2O3粉末,制备了氮、硼替位式掺杂C60.硼掺杂和氮掺杂C60均显示明显的半导体导电特性,且室温电导率比未掺杂C60薄膜提高1~2个量级.用共蒸发的方法制备出了硫掺杂C60薄膜,其电导率~温度曲线中存在一个过渡区,过渡区两侧表现出明显的半导体导电特性,这与掺入C60薄膜中的硫杂质的存在状态有关.其室温电导率比掺杂前提高4个量级,光致发光也明显增强.另外还报道了用离子注入和射频等离子体辅助真空沉积的方法制备掺杂C60薄膜的初步结果. 相似文献
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富勒烯-聚甲基丙烯酸甲酯复合膜溶胶-凝胶制备与结构的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用溶胶-凝胶的方法,在Si(100)衬底上制备了C60-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA )复合膜.红外光谱分析表明,C60分子已均匀地分布在PMMA中,凝胶以后形成了C 60-PM MA复合膜.利用X射线衍射(XRD)谱研究了该复合膜的结构,结果表明,在200℃真空退火后 C60分子 趋向相互聚集并形成晶化C60颗粒,其尺寸强烈依赖于C60含量.随C60含 量的增加,晶化C6 0颗粒尺寸增大.高C60含量的复合膜中多晶状态的C60 颗粒,呈现面心 立方(fcc)结构〈111〉方向的择优排列特征;并且观察到XRD信号极强的、异常的333衍射 峰现象,对其产生机理进行了初步探讨. 相似文献
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