马氏体相变过程中低频内耗的研究

本文测出了金镉(Au-Cd)合金在正反马氏体相变过程的低频内耗峰,内耗极大值与变温速率有线性关系,但比Fe-Mn等非热弹性马氏体相变内耗的速率依赖要小得多,稳定内耗峰(变温速率为零)在每一温度的内耗值与频率无关,是静滞型损耗。内耗峰高与马氏体晶粒尺寸有关。等温转变过程也出现一个内耗-时间峰。根据以上诸实验事实,我们认为,低频马氏体相变内耗是由那些在振动应力作用下可以运动的相界面所引起的。 关键词：     

调制晶体光学均匀性的扫描测量法

调制晶体的性能好环,通常是由半波电压和消光比这二个量来表征的。而消光比往往与晶体的光学均匀性有关。本文介绍了一种可用于测量晶体的双折射率梯度、消光比、半波电压以及双折射率随温度变化的自动扫描装置及工作原理。该方法和其他方法相比具有测量速度快,重复性好,及误差小等优点,并可以从扫描曲线上直接定性地判别晶体的光学性能的好坏,文章最后还做了双折射率梯度及消光比的测量,并对实验结果进行了讨论。