排序方式: 共有5条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
2.
3.
4.
5.
使用DFT+U的方法研究了F,Si掺杂CeO2(001)表面的结构和电子结构,分析了F,Si掺杂对CeO2(001)表面还原性能的影响。结果表明:F,Si掺杂的CeO1.963(001)体系中表层氧空位形成能均小于次表层氧空位形成能。CeO1.963F0.037(001)面的氧空位形成能比CeO1.963(001)面的要大,而Ce0.926Si0.074O1.963(001)面的氧空位形成能比CeO1.963(001)面的要小。Si掺杂的CeO2(001)面局部晶格发生畸变,结构变得不稳定。CeO2(001)面的Ce 4f电子态部分占据费米能级,禁带宽度变为零,并且上下自旋电子态不对称;CeO1.926F0.037-sur面的Ce 4f电子态和O 2p电子态分布变得局域,费米能级处产... 相似文献
1