Low-loss amorphous Si waveguides with gradient refractive index cladding structure

Amorphous Si waveguides with gradient refractive index cladding structure are proposed and fabricated using plasma-enhanced chemical vapor deposition method.Compared with 6 dB/cm for ridge waveguide without gradient cladding,the propagation loss of the gradient cladding waveguides is less than 1 dB/cm with both TE and TM polarizations.     

高速低功耗CMOS动态锁存比较器的设计

提出一种高速低功耗动态锁存比较器,电路包含预放大器、锁存比较器和SR锁存器3部分.采用一种新的锁存比较器复位电路,该电路仅由一个P沟道金属氧化物半导体(PMOS)管构成,实现电荷的再利用,减小了延迟,降低了功耗.SR锁存器输入端口的寄生电容为锁存比较器的负载电容,对SR锁存器的输入端口进行改进,避免由于锁存比较器的负载电容失配导致的输入失调电压偏移的问题.电路采用TSMC 0.18μm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺实现.结果表明:电源电压为1.8V,时钟频率为1GHz时,比较器精度达0.3mV;最大输入失调电压为8mV,功耗为0.2mW;该比较器具有电路简单易实现、功耗低的特点.     

涂覆石墨烯的电介质纳米盘的表面等离激元回音壁模特性

提出涂覆单层石墨烯的电介质纳米盘结构,并利用有限元方法数值解析这种纳米结构的表面等离子激元回音壁模的电磁场特性.计算并分析品质因子(Q值)、模式体积随着电介质纳米盘半径大小、石墨烯化学势和谐振频率的变化规律.结果表明:当纳米盘的半径为5 nm,石墨烯化学势为0.9 eV时,其品质因子高达195,对应模式体积小于2×10^-7(λ₀/2n)³.     

浅析建筑管理中的现场管理方式难点和解决对策

改革开放以来,我国国民经济快速发展,随之人民生活水平也得到了相应的提高。伴随着人们生活水平的极大提高,越来越多的人对房屋建筑提出了更高的要求,当前已逐渐从传统量的要求发展成为质的追求。建筑工程项目对于一座城市的发展起到了良好的推动作用,与此同时也较好地解决了我国人口的居住问题。建筑管理工作是建筑企业日常管理工作的关键构成要素。如果把建筑管理工作做好,那么势必会对提升工作效率产生一定的积极作用,并且还能够减少建筑企业的成本投入,提高工程项目施工的整体质量。该研究者将结合自身多年工作实践经验,并通过该文,针对建筑管理中的现场管理方式难点进行阐述,并在此基础上,提出有效性的解决对策。     

应用于锁相环中的锁定检测电路设计

设计一种应用于锁相环(PLL)中的锁定检测电路(LDC).该电路采用移位寄存器的方式,当连续18个时钟周期内检测到锁定时,输出通过正反馈置为高电平.同时,在该电路中加入复位及强制锁定端口,采用SMIC 28nm CMOS标准工艺库实现.仿真结果表明:当电源电压为0.9V,参考频率在10~100 MHz范围内时,均可完成锁定检测.     

Narrow-beam divergence 1.55μm laser diodes with integrated self-aligned spotsize converter

This paper describes the high performance of narrow-beam divergence spot size converter(SSC)integratedseparately confined heterostructure(SCH)LD.The upper optical confinement layer (OCL) and thebutt-coupled tapered thickness waveguide were regrown simultaneously,which not only offered theseparated optimization of the active region and the integrated spotsize converter,but also reduced thedifficulty of the butt-joint selective regrowth. The threshold current was as low as 5.4 mA,the outputpower at 55 mA was 10.1 mW, the vertical and horizontal far field divergence angles were as low as 9°and 15°,and the 1-dB misalignment tolerances were 3.6 and 3.4 μm, respectively.