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1.
作者通过氢气表面热处理，获得了具有较好特性的Al／n—6H—SiC欧姆接触．在这种H2处理后的SiC表面，可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触，而无须进行退火处理．该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触．XPS测试表明，这种欧姆接触是在400℃以上的退化时，由Al及6H—SiC中的Si元素互扩散所致． 相似文献
2.
通过干氧氧化的方法，在6H-SiC表面生长一层SiO2层，接着置于N2气氛中经过不同的温度退火，使用红外显微仪分别测量退火前后的红外反射谱，通过观测表面氧化层SiO2的红外反射谱图中特征反射峰位(1090cm^-1附近)的变化，以判断退火前后表面氧化层密度的变化情况，进一步推断氧化层的结构变化与杂质类型． 相似文献
3.
作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法，在n型6H－SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触。作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究；并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论，研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性。 相似文献
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