共轴均匀带电薄圆盘间的相互作用力

本文利用静电场的高斯定律和环路定律巧妙地求出了均匀带电圆盘在空间任一点所产生的电场 ,进而计算出了共轴均匀带电薄圆盘之间的相互作用力     

复合电子发光薄膜中非晶二氧化硅层的电流密度计算

给出了一个用来计算复合电子发光薄膜中非晶二氧化硅层的电流密度的力学模型，利用此模型和蒙特卡洛模拟，可以得到电子在不同的电场下通过非晶二氧化硅层时所需要的时间，然后给出了一些参数的经验值，计算得到了与实验基本相一致的理论结果。     

均匀带电圆环电场的普遍分布

利用静电场中的高斯定律和闭合环路定律比较巧妙和导出了均匀带电圆环电场的普通分布式，度加以了适当推广。     

Rh_(13)团簇的几何结构和电子与磁性性质的计算(英文)

利用密度泛函理论,对Rh_(13)团簇的几何结构、电子和磁性性质进行了研究,在优化过程中,其几何结构由正二十面体演化为变形的非对称结构,相邻原子间由等键长变为不等键长.优化后Rh_(13)团簇的结合能比前面的其他研究者所得的结果大得多,这表明变形后的非对称结构比对称的正二十面体结构更为稳定.虽然我们得到的原子平均磁矩较之前面的研究者的结果小了一些,但是仍然比实验结果大,这一情况说明我们所得到的变形的非对称几何结构与真实的未知基态结构仍还有差异.同时我们还发现优化后的Rh_(13)团簇的价带宽度和交换劈裂都有一定程度的展宽和变大,态密度的峰值有远离费米能级向两侧移动的趋势.     

纤锌矿结构AlInN电子及光学性质的第一性原理研究

本文通过基于密度泛函理论的第一性原理,研究了纤锌矿结构Al1-xInxN在不同In浓度下的稳固结构,以及电子和光学性质的变化规律。研究表明,AlInN不同In浓度的晶格结构都很稳定,说明AlInN的兼容性很好。晶格常数随In浓度的增大不断增大,而混晶的带隙则不断减小。并且随In浓度的增大,混晶在紫外光区的吸收系数、反射系数及折射率增大,吸收边、吸收峰和反射峰蓝移,且这两个峰的峰值减小。AlInN的吸收、反射和折射率曲线在Eg处出现峰值行为,此Eg处的峰值大小随In浓度的增加而增大。当In浓度达到87.5%时,混晶AlInN在紫外光区的吸收、反射和折射能力均达到最强,表明此时的掺杂效果最好。     

钯原子簇的电子结构和磁性性质研究

本文利用离散变分—局域自旋密度泛函 ( DV- LSD)的方法对 Pd N原子簇的电子结构和磁性性质进行了研究。结果表明 :所有我们研究的钯原子簇都存在非零磁性解 ,原子的平均磁矩随着原子簇的尺寸增大而逐步减小     

关于金属介电常数的讨论

考虑金属中的电子位移极化,利用谐振束缚电子模型,导出了金属中相对介电常数的表达式,并讨论低频极限和高频极限两种重要的特殊情况,对关于金属介电常数的一些说法作出了解释,从而对金属介电常数有了更为全面的理解。     

无穷电阻网络的计算机辅助分析

本文借助计算机对两种典型的无穷电阻网络进行深入的研究 ,并得出了这两种无穷电阻网络的总电阻的理论计算公式     

金属介质极化的瞬时相位与振幅

利用线性谐振子模型,给出了金属介质中电子的运动微分方程,导出其宏观极化强度的表达式,讨论了金属介质在外场突然变化时产生的瞬态感应极化情况,发现瞬态感应极化的相位总是落后于外场,最大可落后π/2,振幅的大小与初态和介质的阻尼系数有关,随时间按指数规律衰减,衰减的快慢由介质的阻尼系数和泵浦场的频率决定,具有一定的记忆效应。     

Cu_nZn(n=1～12)团簇结构和性质的第一性原理研究

采用PW91交换关联势和全电子相对论赝势,对Cu_nZn(n=1～12)团簇进行了密度泛函理论计算。结果表明,Cu_nZn(n=1,3,4,6～12)团簇的最低能量几何结构可以通过Zn原子替换在Cu_n+1团簇中一个Cu原子或者在Cu_n团簇添加一个Zn原子来产生。但是Cu_2Zn和Cu_5Zn的基态结构变化较大,Cu_2Zn为线性结构而Cu3为平面结构,Cu_5Zn为立体结构而Cu6为平面结构,其变化的主要原因来源于它的电子结构。在与相应的纯Cu团簇中的Cu-Cu键相比时,Cu_nZn团簇的Cu-Zn键较弱,且键长较长,并且Cu_nZn团簇中远离Zn原子的大部分Cu-Cu键比纯Cu团簇中Cu-Cu键强。在掺杂Zn原子后Cu_n团簇的二阶差分能产生了非常明显的奇偶转换现象。