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添加剂对SnO2气敏特性的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
氧化锡气敏材料的电导率以及对气体的选择性由氧空位的形成和氧化过程共同完成,氧空位浓度越大,气敏效应越明显。根据氧化锡的这一气敏机理,本文研究了添加剂Sb2O3和Pdcl2对氧化锡气敏材料电导率及选择性的影响,分析了其对氧化锡气敏特性的作用机理。 相似文献
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均匀带电球面和长直圆柱面上一点的电场强度 总被引:2,自引:0,他引:2
根据叠加原理,求得了均匀带电球面上一点和长直圆柱面上一点的电场强度,并提出现行教材中的对上述带电体系电场强度分布的讨论应遍及空间所有点,同时给出正确的函数图。 相似文献
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半导体气敏陶瓷的研究方法 总被引:3,自引:2,他引:3
边志华 《太原理工大学学报》2003,34(1):43-45
以SnO2为基体材料的气敏元件为例,总结了半导体气敏陶瓷元件的制备过程和研究方法,分析了掺杂、热处理和表面修饰工艺对气敏元件性能的影响,介绍了气敏元件性能的实验和检测方法。 相似文献
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SnO2薄膜光透过率气体敏感机理的研究 总被引:2,自引:1,他引:2
边志华 《太原理工大学学报》2002,33(2):147-149
以掺杂SnO2薄膜为例,推导了薄膜上透射光的消光系数与薄膜内极化电子数和极化电子迁移率的关系式。得出当环境气氛中待测气体的浓度变化时,将导致穿过薄膜的光的透射率与之发生响应,从理论上说明研制新式的气敏-光信号类型的传感器是可行的。 相似文献
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i(h-) (a-at)是算符吗 总被引:1,自引:0,他引:1
指出将ihδ/δt作为算符来讨论没有多大意义,且ihδ/δt≠H,△t△E≥h/2不可能通过t与ihδ/δt或t与H的对易关系得出。 相似文献
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指出将i(h)(б)/(б)t当作为算符来讨论没有多大意义,且i(h)(б)/(б)t≠(H),△t△E≥(h)/2不可能通过i(h)(б)/(б)t或t与(H)2的对易关系得出. 相似文献
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采用溶胶-凝胶技术,利用旋转涂膜法制备二氧化锡薄膜。结果发现,常温下在含有CO的气氛中光通过薄膜的透射率变大,对CO有较高的灵敏度。并对制备过程中出现的实验现象、制备机理及薄膜的结构和特性进行了分析和研究。 相似文献