关于用单片机测量三相交流多种电参量的研究

本文介绍了用８０９８单片机测量三相交流多种电参量的设计思想和实现方法,详细描述了系统的硬件电路和软件设计,阐述了“硬件软化”的设计方法。     

提高水砂充填能力的经验

阜新局五龙矿用水砂充填采煤法已有几十年历史,先后开采了两个水平,十多个采区,矿井有60%的产量是用这种采煤法开采出来的.在生产实践中,该矿为提高充填能力,对充填系统进行了反复研究和不断地改进,保证了回采工作面正常推进,提高了矿井回采率、维护了海州露天矿边坡,并积累了丰富的经验.值得借鉴.     

色燥声驱动的布朗粒子在周期势场中的运动

本文用计算机模拟方法研究了在高斯色燥声驱动下的布郎粒子在一维Co-sne势场中的运动，得到了一组在不同噪声强度、相关时间、阻尼系数和外力作用下速度和坐标空间中的概率密度分布的数据，同时也研究了均方位移和时间的关系以及平均速度和外力的关系。     

天然河流一维水质模型的研究与改进

分析和研究了在河流污染浓度控制中广泛应用的一维水质模型结构和应用条件。根据总量控制的需要，以河流中瞬时面源排放的一维水质模型为出发点，采用叠加原理和积分法重新推导了连续稳定面源排放的一维水质模型结构，通过实际应用，检验了模型的精确性和实用性，分析比较了总量控制一维水质模型与浓度控制一维水质模型的结构，应用条件，精确性与合理性。     

二维配位聚合物[Tb(1,4⁃bdc)1.5(phen)(H2O)]n的合成、晶体结构及对Fe3+离子的荧光检测

通过溶剂热反应成功合成出一种新型2D配位聚合物[Tb(1,4-bdc)_1.5(phen)(H₂O)]_n(1)(1,4-H₂bdc=对苯二甲酸;phen=菲咯啉)。对其进行了单晶X射线衍射、粉末X射线衍射、红外光谱、元素分析、荧光光谱表征。X射线衍射晶体学分析表明,配合物1结晶于三斜晶系P1空间群,2个相邻的Tb(Ⅲ)离子与4个1,4-bdc^2-通过—O—C—O—桥联成双核单元,并进一步通过1,4-bdc^2-桥联成二维层状结构。荧光实验证明配合物1可以通过荧光猝灭机制检测Fe₃₊,Ksv=8.39×10³ L·mol-1,检测限为0.017μmol·L^-1。     

新型超支状液晶核酸传感器用于p53突变基因的检测

基于核酸杂交链式反应影响液晶取向的原理, 构建了一种新型的超支状液晶核酸传感器用于检测p53突变基因. 本文突破传统构建超支状分子的方式, 采用杂交链式反应方法, 以目标序列p53突变基因作为引发剂, 3种不同的发卡探针Hairpin A, Hairpin B和Hairpin C为单体, 在温和的条件下, 通过改变单体的浓度和反应时间自发杂交组装形成尺寸和分子量可控的超支状DNA(branched-like DNA, bDNA). 借助捕获探针将该超支状DNA连接到液晶传感基底表面, 观察液晶分子取向改变前后的光学信号, 实现了p53基因含249密码子突变序列的快速检测. 本方法有望为核酸诊断的发展提供一种新的方法和思路.     

中国化学会、国家自然科学基金委员会关于召开第二届全国微全分析系统学术会议的征文通知(第一轮通知)

中国化学会、国家自然科学基金委员会和上届学术会议决定于 2 0 0 4年 4月 2 2～ 2 4日在杭州市召开“第 2届全国微全分析系统学术会议” ,并委托浙江大学负责筹办。会议将就我国自上届学术会议以来微全分析系统及相关技术的新成就、新进展进行学术交流和讨论 ,热忱欢迎大家踊跃投稿和参加会议。现将有关事项通知如下 :一、征文内容(1)微流体及流控理论 ;(2 )微流控系统 ;(3)微分离系统 ;(4)微阵列芯片 ;(5 )微加工技术 ;(6 )微加工材料 ;(7)微检测系统 ;(8)微全分析系统的试样前处理 ;(9)微全分析系统应用 ;(10 )其他与微流控技术有关的流…     

中国信息安全盲区几重?

前不久,美国前情报人员爱德华·斯诺登向世界揭露了美国一项代号为"棱镜"的秘密项目,时刻监视包括中国在内的大部分国家,引发全球愤怒和恐慌.美国的"棱镜门"事件在全球被放大成了一个巨大的惊叹号,可在更多的人心里却浓缩成了一个问号——信息泄露离我们到底有多远?事实上,这个问题的答案让绝大多数人都感到震惊.据中国互联网络信息中心(CNNIC)发布的《2012年中国网民信息安全状况研究报告》显示,有84.8％的网民遇到过信息安全事件,平均每人遇到2.4类信息安全事件,而绝大多数网民遭遇信息安全事件时都无计可施.     

智慧城市亟需标准破题

2010年，IBM将“智慧的城市”的美好愿景带到了中国，为我们展示了一幅智能、便捷、高效的现代城市画卷。受此“诱惑”，中国掀起了一场城市革命，“智慧城市”成为各城市角逐的焦点。据不完全统计，全国已有95％的副省级以上城市、76％的地级以上城市，总计约230多个城市提出或在建智慧城市，计划投资规模近万亿元。     

Tunneling magnetoresistance of the double spin-filter junctions at nonzero bias

A recent theoretical estimation indicated that the NM/FI/FI/NM double spin-filter junction (DSFJ, here the NM and FI represent the nonmagnetic electrode and the ferromagnetic insulator (semiconductor) spacer, respectively) could have very high tunneling magnetoresistance (TMR) at zero bias. To meet the requirement in research and application of the magnetoresistance devices, we have calculated the dependences of tunneling magnetoresistance of DSFJ on the bias (voltage), the thicknesses of ferromagnetic insulators (semiconductors) and the average barrier height. Our results show that except its very high value, the TMR of DSFJ does not decrease monotonously and rapidly with rising bias, but increase slowly at first and decrease then after having reached a maximum value. This feature is in distinct contrast to the ordinary magnetic tunnel junction FM/NI/FM (FM and NI denote the ferromagnetic electrode and the nonmagnetic insulator (semiconductor) spacer, respectively), and is of benefit to the use of DSFJ as a magnetoresistance device.