突破性技术创新与技术发展的制度主导战略

一、持续性技术与突破性技术20世纪90年代以前 ,大企业技术创新的特征主要表现为技术的渐进性和延续性变化 ,以持续性技术创新为主 ;进入20世纪90年代后 ,技术创新与技术进步明显加速 ,其发展的特点由原来的以渐进性变化为主演变为技术的非连续性、断层性变化为主。大量的突破性技术以摧枯拉朽之势涌入我们的现实社会 ,对企业的技术创新和发展战略产生了深刻影响 ,企业的生存与发展不可能不充分考虑突破性技术的影响。持续性技术的共同特征是沿着企业组织主流市场中主要顾客的需求曲线提高已定型产品的性能。而突破性技术的发生与发展往往从…     

企业内部价值网络与技术创新

一般来说 ,关于价值网络的讨论焦点主要集中在企业外部 ,重点研究企业与上游供应商、下游用户之间的相互价值关系 ,描述它们之间“关系”的“关系”。企业内部也存在价值网络 ,这个内部的价值网络比外部价值网络要细微、复杂得多 ,它涉及企业内部各个方面因素 ,并且与外部价值网络相互匹配、作用 ,共同支持企业的技术进步。企业的技术管理活动需要通过一定的流程和组织来实现。这种流程和组织在企业技术管理活动过程中得到了不断的磨合、融会和改进 ,最终在企业内沉淀形成一种类似企业文化的价值观 ,构成企业内部员工普遍认可的内部价值网络…     

业务流程管理(BPM)技术演进及新动态

企业流程管理是现代企业管理的重要方法与支持技术，流程管理技术不断演进，从泰勒时代的手工流程优化，到信息技术支持下的以BPR为代表的流程变革管理，再向支持价值链范围连续流程协调技术发展。先回顾了业务流程管理技术的演进过程，再分析了业务流程管理技术领域的最新重要动态。     

电信企业的网格化营销浅谈

每个电信运营商都能够提供相同的服务,而且网络技术的趋同对电信运营商差异化战略的实施造成了一定的阻碍。因此,网格化营销是电信行业重构营销理念、保证差异化战顺利推广的必然选择。本文对网格化营销对电信行业的理念促进做了分析,并探讨了电信运营商网格化营销的实施方案。     

一种基于窄带自相关的实信号频率估计算法

单频含噪实正弦信号的自相关函数和其原信号的频率一致,且自相关可去除一部分噪声影响,因此基于自相关的频率估计算法一直备受关注。由于自相关可以从时域获得也可以从频域获得,基于自相关的频率估计算法有比较简单的基于时域的方法和性能比较好的基于频域的算法。结合时域和频域自相关的特点,提出一种基于窄带自相关的实信号频率估计算法,该算法在频域进行谱峰搜索后,利用信号的窄带功率谱来计算自相关,进而用简单的时域自相关的改进协方差算法(modified covariance,MC)来得到频率估计,推导出频率估计闭式解。仿真结果表明该算法性能优于传统的自相关时域算法和频域算法,在信噪比高于-7 dB时就能逼近CRB界。     

战略对应--企业信息化管理的新思路

信息技术在企业运营管理中的战略地位使信息技术管理具有更加丰富的内定。战略对应研究以企业战略与信息技术战略之间的相互作用关系为主题，研究如何有效地应用信息技术增强企业竞争能力的管理途径。本文通过分析战略对应的基本含义及其理论基础，提出了以战略对应为目标的企业信息化管理过程模型。     

我国医药企业R＆D组织创新模式层级演进研究

本文在现有研究医药企业技术创新管理成果的基础上,从分析医药技术创新的特征和技术创新流程的特点入手,结合我国医药企业R&D组织模式的现状,分析了我国医药企业技术创新组织层级演进过程中技术创新与组织模式的匹配。     

通过突破性技术创新实现我国企业技术跨越

本文分析总结了一些典型企业的技术跨越主导技术类型 :持续性技术和突破性技术 ;认为突破性技术创新是实现技术跨越的必然选择 ;探讨了影响企业突破性技术创新的主要因素以及所需要的协同促进因素 ;最后总结了企业突破性技术创新管理的内外部落实保障机制     

基于突破性技术创新的企业技术跨越机会窗口研究

本文说明了企业技术跨越机会窗口的涵义,建立了基于突破性技术创新的企业技术跨越实现模型,探讨了突破性技术创新对企业技术跨越机会窗口的作用,分析了机会窗口在技术、市场、顾客和企业综合作用下如何开启和关闭的过程,提出突破性技术创新是实现企业技术跨越的新机遇。     

新型高线性度双平衡CMOS混频器芯片的设计

设计了一款用于无线通信射频系统的新型双平衡混频器芯片,该混频器的输出信号中不存在与射频输入信号相关的二次非理想项,具有高线性度.该混频器基于新型乘法器结构,在两个工作于线性区的对称金属氧化物半导体(MOS)晶体管的源、漏两极加入差分射频信号,在其栅极加入差分本振信号,从而以低复杂度方式实现射频信号与本振信号的双平衡混频或相乘;采用差分推挽放大器及源随器作为芯片的输出缓冲接口,改善了芯片与片外电路之间的隔离度,提高了功率增益和输出匹配性能.芯片采用0.18 μm射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流片,实现超宽频带范围内的信号混频或相乘,1 dB压缩点2.9 dBm,三阶交调16 dBm,总功耗25 mW,芯片性能良好,可以满足高性能、超宽带、高速无线通信系统的要求.