掺杂反式聚乙炔中Site—type杂质势的唯象模型

利用ＳＳＨ模型讨论了Ｓｉｔｅ－ｔｙｐｅ杂质势对反式聚乙炔（ｔｒａｎｓ－ＰＡ）电子态的影响。具体计算表明：对各向同性情况，Ｓｉｔｅ－ｔｙｐｅ杂质势破坏了电子能谱的对称性，并使孤子能级发生移动，随着杂质离子与反式聚乙炔链间距的变化，它将引起孤子能级的变动。但不影响孤子局域化程度；而各向异性Ｓｉｔｅ－ｔｙｐｅ杂质势的不均匀性对ｔｒａｎｓ－ＰＡ的电子能谱及孤子局域化程度影响较大。     

Hubbard电子强关联与site-type杂质势对反式聚乙炔电子态的影响

本文在苏武沛、Schrieffer和Heeger(SSH)模型的基础上,分别考虑site-type杂质势和Hubbard电子强关联的作用,计算了反式聚乙炔链的电子能谱、本征矢和序参量。结果发现,杂质势对孤子有较强的钉扎作用,它破坏了电子能谱对称性,并使midgap态发生移动,这与Hubbard电子强关联对孤子能级的影响根本不同。值得指出的是,只有同时考虑site-type杂质势和Hubbard相互作用,才能对聚乙炔的掺杂光吸收实验做出正确的理论解释。     

低温下多声子无辐射跃迁

根据黄昆等的声子统计分布理论,计算了4.2K和20K下的多声子跃迁几率因式和发射的平均声子数目.得出统计理论的结果与严格公式的结果完全一致,且与极限0K的结果非常接近.还对发射负声子能量数目作了讨论.     

黄—李斯因子及温度对多声子无辐射跃迁的影响

本文将黄昆等人的多声子统计分布理论与严格公式进行对比,在强、弱耦合及不同的晶格弛豫能分配形式下,分别计算了多声子无辐射跃迁几率因式I(e)随温度的变化情况,并由此得出统计分布理论的适用范围:由计算表明,对于高温、强耦合二者将出现较大偏差。但此时可采用高温强耦合近似化为单频膜式来进行讨论。此外,I(e)对表征晶格弛豫强度的参量S的变化较为灵敏,一般存在一个极值区域,且它随着跃迁能量的增大将向S增大的方向移动。     

C60分子的非线性元激发和电子能谱

1 计算方法在本文中我们利用推广的SSH 模型,采用自洽迭代的数值计算方法,得到C_(60)分子基态、激发态的电子能谱和几何结构.这与分子轨道和密度泛函理论的计算结果是极相符的.在研究导电聚合物,特别是trans-polyacetylene 链的电子态时,苏武沛等提出了著名的SSH 模型,从理论上阐明了非线性元激发(孤子、极化子、双极化子)的物理图象.鉴于C_(60)分子与PA 链有某些相似之处,实验证实了C_(60)分子中的每个C 原子,通过三个σ电