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1.
一、问题引入
  (人教A版必修2第131页练习B第3题)已知一曲线是与两个定点O(0,0)、A(3,0)的距离的比为12的点的轨迹,求此曲线的方程,并画出曲线。  相似文献   
2.
为探讨辫状河向曲流河转换的控制因素和控制机理,以东营凹陷青西地区馆陶组为例,在层序地层学和沉积学的理论指导下,在层序划分与沉积相特征研究的基础上,通过测井相模式的建立,利用岩屑录井资料研究岩性,对馆陶组辫状河—曲流河(辫—曲)转换进行了成因分析与特征总结,研究表明,基准面旋回、构造和地形坡度及古气候4个方面控制着河流辫—曲转换的过程,明确了辫—曲转换的沉积特征.在沉积早期研究区发育辫状河,后期转变为曲流河并逐渐萎缩,研究区馆陶沉积期早期地形高差大,断层少量发育,且气候温暖湿润,地表径流大且水流能量大,向源侵蚀强烈,再加上物源供给充足,形成辫状河沉积,砂体粒度粗分选差,到了晚期地势逐渐变缓,气候干旱,河道下切能力增强,基准面上升,加上物源区变远,物源供应不足,逐渐转化为曲流河,砂体粒度变细分选变好.  相似文献   
3.
10月份,随着诺贝尔各项奖的陆续揭晓,国人的“诺奖情结”再次燃烧起,有人说是因为我们“不会”申请“诺奖”而导致与其无缘,也有人说“诺奖”评选本身就带有偏见,因此有与没有无所谓,还有人愤日学术腐败导致“诺奖”在中国难产……为此,记专访了科学史及诺贝尔奖研究、华中科技大学杨建邺教授。杨是“诺贝尔奖史话丛书”和和《20世纪诺贝尔奖获得辞典》的主编。  相似文献   
4.
文章从基因研究的概念界定入手,揭示了其对人类社会生活的影响。  相似文献   
5.
对处于磁场中的近藤体系的闭合点环系统,其基态性质用单一杂质安德森模型哈密顿量加以研究;该哈密顿量是用平均场理论Slave—Boson技术求解。结果表明:由磁场感应的电流与系统字称和环的尺寸大小有很大关系,通过理论研究得出一些新的结论并探讨了一些相关问题。  相似文献   
6.
本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。  相似文献   
7.
用光学显微术研究了奥氏体化温度对30、40、60、T8、T12钢马氏体组织形态的影响。结果表明,奥氏体化温度越高,获得板条马氏体的量越多,奥氏体化温度超过某个临界值时,中高碳钢均可获得全部板条马氏体组织。钢的含碳量越高,获得全部板条马氏体的临界奥氏体温度越高。在该温度以下淬火时,30、40、60钢先形成板条马氏体,后形成片状马氏体;T8、T12钢先形成片状马氏体,后形成板条马氏体  相似文献   
8.
弭宝国  王硕军 《大学物理》2006,25(5):32-33,59
对传统的超重、失重演示实验进行了改进,使弹簧秤的指针能静止在超重(或失重)的位置上,从而能准确地读出读数,提高演示效果.  相似文献   
9.
In this paper numeric analysis is made to the influence of the longitudinal mismachining tolerance (LMT) and the transverse mismachining tolerance (TMT) of the grating in the optical pick-up head (GOPH) of VCD, DVD, and CD-ROM on the transmissivity and the intensity ratio of the auxiliary light beam to the main read-write light beam (IRAM) by using the general expression of diffraction efficiency obtained from the scalar diffraction theory. On solving GOPH problem, the scalar diffraction theory and the vector diffraction theory are coincident, and the scalar diffraction theory is reliable. The result shows that LMT and TMT can compensate for the inverse effect of IRAM, however, at the expense of reducing transmissivity. As far as GOPH is concerned, the goodness that LMT and TMT can be effectively compensated for is very advantageous in manufacturing of the grating.  相似文献   
10.
浮栅ROM器件辐射效应机理分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理,合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和60Co γ辐射效应都是总剂量效应 . 关键词: FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ')" href="#">60Co γ 总剂量效应  相似文献   
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