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1.
2.
用Kinetic Monte Carlo方法研究了薄膜生长初期的表面形貌, 对激活能的计算采用了更加通用、准确的算法, 模型考虑了原子吸附、迁移、脱附、蒸发原子返回基底, 二体运动等多种机理, 根据模型编写了相应的软件, 利用计算机图形学的原理对薄膜的表面形态进行了三维立体成像, 并通过模拟发现, 在低温和高温时薄膜的早期成核和表面形貌完全不同, 薄膜后续的生长与早期成核有很大的关系. 微观机理主要受原子的热运动影响, 温度决定扩散能力, 入射率决定扩散时间. 相似文献
3.
利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高,而且具有良好的(111)结晶取向性,晶粒尺寸大于300nm,样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理.
关键词:
电感耦合等离子体CVD
Al诱导晶化
Si薄膜
低温生长 相似文献
4.
采用改进的溶胶-凝胶方法在单晶Si(100)衬底上制备了介电性能优异的(Ba0.7Sr0.3)TiO3/LaNiO3异质薄膜.实验发现,在750 ℃下 、O2气氛中晶化的LaNiO3薄膜的电阻率最小.C-V与I-V特性测量表明(Ba0.7Sr0.3)TiO3薄膜具有优异的介电性能,在频率为50kHz、零偏压下的相对介电常数εr>300,偏压为6V时漏电流密度JL<1.2×10-6A/cm2.
关键词:
xSr1-x)TiO3铁电薄膜')" href="#">(BaxSr1-x)TiO3铁电薄膜
3底电极')" href="#">LaNiO3底电极
溶胶-凝胶法 相似文献
5.
利用电化学方法在室温下成功地沉积了类金刚石(DLC)薄膜和非晶CNx薄膜,并 对制备条件进行了讨论.通过扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱技术,分析了薄膜的表面形貌和化学结合状态.场发射测量结果表明:DLC膜和非晶CNx的开启场分别为88和 10V/μm;并且在23V/μm的电场下,DLC膜和非晶CNx膜的发射电流密度分别达到10 和037mA/cm2.
关键词:
电化学沉积
类金刚石薄膜
x薄膜')" href="#">CNx薄膜
场致电子发射 相似文献
6.
对用射频溅射法制备的 a—Si_(0.92)Sn_(0.08)∶H 合金膜退火实验表明,在300℃下,结其构基本上是稳定的,但当温度升高到350℃.大量的氢原子从中释放出来,并伴随着晶化的发生. 相似文献
7.
基于Geant4模拟了电子在Teflon介质中的电荷输运过程,获得了其内部的电流密度、剂量率和电荷沉积量沿深度的分布曲线,进而利用电荷连续性方程、泊松方程和深层俘获方程求解出Teflon中高能量、小束流电子辐照下的电场分布. 将介质平板充电过程简化为屏蔽铝板与分层介质组成的Geant4模型,电子源为1.0MeV,0.1pA/cm2的平面源. 通过记录经过各层介质的电子电量和各层介质内沉积能量和电子数目,用统计平均的方法获得了介质内电流密度、剂量率和电荷沉积量沿深度的分布规律. 介质内
关键词:
卫星
介质深层充电
Geant4
电场 相似文献
8.
Semi-quantitative study on the Staebler--Wronski effect of hydrogenated amorphous silicon films prepared with HW-ECR-CVD system 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
The method of numerical simulation is used to fit the relationship between
the photoconductivity in films and the illumination time. The generation and
process rule of kinds of different charged defect states during illumination
are revealed. It is found surprisingly that the initial photoconductivity
determines directly the total account of photoconductivity degradation of
sample. 相似文献
9.
A series of a-Si:H films are deposited by hot wire assisted microwave
electron cyclotron resonant chemical vapour deposition
(HW-MWECR-CVD), subsequently exposed under simulated illumination for
three hours. This paper studies the microstructure change during
illumination by Fourier Transformation Infrared (FTIR) spectra. There
are two typical transformation tendencies of microstructure after
illumination. It proposes a model of light induced structural change
based on the experimental results. It is found that all samples
follow the same mechanism during illumination, and intrinsic
structure of samples affect the total H content. 相似文献
10.
报道用SiF4和H2的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅(poly-Si)薄膜.实验发现,等离子体中的离子、荷电集团对薄膜生长表面的轰击是影响薄膜结晶质量的重要因素之一.通过外加偏压抑制这些荷电粒子的动能是控制表面生长反应、制备高质量ploy-Si薄膜的有效方法.在合适的外加偏压下制备的poly-Si薄膜,氢含量仅约为0.9at%,中心位于520cm-1的Raman特征峰半高宽约为4.4cm-1.
关键词:
多晶硅薄膜
低温生长
表面生长反应
外加偏压 相似文献