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1.
为探讨辫状河向曲流河转换的控制因素和控制机理,以东营凹陷青西地区馆陶组为例,在层序地层学和沉积学的理论指导下,在层序划分与沉积相特征研究的基础上,通过测井相模式的建立,利用岩屑录井资料研究岩性,对馆陶组辫状河—曲流河(辫—曲)转换进行了成因分析与特征总结,研究表明,基准面旋回、构造和地形坡度及古气候4个方面控制着河流辫—曲转换的过程,明确了辫—曲转换的沉积特征.在沉积早期研究区发育辫状河,后期转变为曲流河并逐渐萎缩,研究区馆陶沉积期早期地形高差大,断层少量发育,且气候温暖湿润,地表径流大且水流能量大,向源侵蚀强烈,再加上物源供给充足,形成辫状河沉积,砂体粒度粗分选差,到了晚期地势逐渐变缓,气候干旱,河道下切能力增强,基准面上升,加上物源区变远,物源供应不足,逐渐转化为曲流河,砂体粒度变细分选变好.  相似文献   
2.
文章从基因研究的概念界定入手,揭示了其对人类社会生活的影响。  相似文献   
3.
对处于磁场中的近藤体系的闭合点环系统,其基态性质用单一杂质安德森模型哈密顿量加以研究;该哈密顿量是用平均场理论Slave—Boson技术求解。结果表明:由磁场感应的电流与系统字称和环的尺寸大小有很大关系,通过理论研究得出一些新的结论并探讨了一些相关问题。  相似文献   
4.
本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。  相似文献   
5.
用光学显微术研究了奥氏体化温度对30、40、60、T8、T12钢马氏体组织形态的影响。结果表明,奥氏体化温度越高,获得板条马氏体的量越多,奥氏体化温度超过某个临界值时,中高碳钢均可获得全部板条马氏体组织。钢的含碳量越高,获得全部板条马氏体的临界奥氏体温度越高。在该温度以下淬火时,30、40、60钢先形成板条马氏体,后形成片状马氏体;T8、T12钢先形成片状马氏体,后形成板条马氏体  相似文献   
6.
中国证券市场股指波动的条件异方差特性分析   总被引:6,自引:0,他引:6  
股指的波动具有持续性、集聚性 ,如何进行判别 ?本文用 Garch模型理论探讨沪深股指的这种条件异方差特征 ,进一步分析波动是否影响股指未来变化 ,以及股市对利好、利空的消息是否存在不对称的反映。同时 ,比较不同类型的股指的共性及差异 ,并对上述现象作了解释和说明。  相似文献   
7.
In this paper numeric analysis is made to the influence of the longitudinal mismachining tolerance (LMT) and the transverse mismachining tolerance (TMT) of the grating in the optical pick-up head (GOPH) of VCD, DVD, and CD-ROM on the transmissivity and the intensity ratio of the auxiliary light beam to the main read-write light beam (IRAM) by using the general expression of diffraction efficiency obtained from the scalar diffraction theory. On solving GOPH problem, the scalar diffraction theory and the vector diffraction theory are coincident, and the scalar diffraction theory is reliable. The result shows that LMT and TMT can compensate for the inverse effect of IRAM, however, at the expense of reducing transmissivity. As far as GOPH is concerned, the goodness that LMT and TMT can be effectively compensated for is very advantageous in manufacturing of the grating.  相似文献   
8.
浮栅ROM器件辐射效应机理分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理,合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和60Co γ辐射效应都是总剂量效应 . 关键词: FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ')" href="#">60Co γ 总剂量效应  相似文献   
9.
10.
近年来,哲学界有些同志对我国普遍流行的真理定义,即“真理就是客观事物及其规律在人们意识里的正确反映”,提出了异议,认为这个定义默认了正确的感性认识也是真理,“是站不住脚的”,主张“真理只能是人们对客观事物的规律的正确认识。”这种把正确的感性认识断然排除在真理的范围之外,而把真理仅仅限定为“对客观事物的规律的正确认识”的论点,值得商榷。  相似文献   
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