河流相辫—曲河型转换控制因素与控制机理——以东营凹陷青西地区馆陶组为例

为探讨辫状河向曲流河转换的控制因素和控制机理,以东营凹陷青西地区馆陶组为例,在层序地层学和沉积学的理论指导下,在层序划分与沉积相特征研究的基础上,通过测井相模式的建立,利用岩屑录井资料研究岩性,对馆陶组辫状河—曲流河(辫—曲)转换进行了成因分析与特征总结,研究表明,基准面旋回、构造和地形坡度及古气候4个方面控制着河流辫—曲转换的过程,明确了辫—曲转换的沉积特征.在沉积早期研究区发育辫状河,后期转变为曲流河并逐渐萎缩,研究区馆陶沉积期早期地形高差大,断层少量发育,且气候温暖湿润,地表径流大且水流能量大,向源侵蚀强烈,再加上物源供给充足,形成辫状河沉积,砂体粒度粗分选差,到了晚期地势逐渐变缓,气候干旱,河道下切能力增强,基准面上升,加上物源区变远,物源供应不足,逐渐转化为曲流河,砂体粒度变细分选变好.     

后基因组研究对社会和生活的影响

文章从基因研究的概念界定入手，揭示了其对人类社会生活的影响。     

含量子点的A-B环中的持续电流(PC)与环尺寸的关系

对处于磁场中的近藤体系的闭合点环系统，其基态性质用单一杂质安德森模型哈密顿量加以研究；该哈密顿量是用平均场理论Slave—Boson技术求解。结果表明：由磁场感应的电流与系统字称和环的尺寸大小有很大关系，通过理论研究得出一些新的结论并探讨了一些相关问题。     

硅栅CMOS集成电路测试图形的研究

本文介绍了用于硅栅CMOSIC园片级工艺诊断和可靠性监控的微电子测试图形。重点论述了(1)用于检测漏、源及多晶硅薄层电阻和因扩散及腐蚀引起的横向变化量的组合结构,(2)用于监测CMOSIC动态参数的结构设计及其对工艺的评价。     

奥氏体化温度对钢中马氏体组织形态的影响

用光学显微术研究了奥氏体化温度对３０、４０、６０、Ｔ８、Ｔ１２钢马氏体组织形态的影响。结果表明，奥氏体化温度越高，获得板条马氏体的量越多，奥氏体化温度超过某个临界值时，中高碳钢均可获得全部板条马氏体组织。钢的含碳量越高，获得全部板条马氏体的临界奥氏体温度越高。在该温度以下淬火时，３０、４０、６０钢先形成板条马氏体，后形成片状马氏体；Ｔ８、Ｔ１２钢先形成片状马氏体，后形成板条马氏体     

The compensability between the longitudinal andtransverse mismachining tolerance of gratingin the optical pick-up head

In this paper numeric analysis is made to the influence of the longitudinal mismachining tolerance (LMT) and the transverse mismachining tolerance (TMT) of the grating in the optical pick-up head (GOPH) of VCD, DVD, and CD-ROM on the transmissivity and the intensity ratio of the auxiliary light beam to the main read-write light beam (IRAM) by using the general expression of diffraction efficiency obtained from the scalar diffraction theory. On solving GOPH problem, the scalar diffraction theory and the vector diffraction theory are coincident, and the scalar diffraction theory is reliable. The result shows that LMT and TMT can compensate for the inverse effect of IRAM, however, at the expense of reducing transmissivity. As far as GOPH is concerned, the goodness that LMT and TMT can be effectively compensated for is very advantageous in manufacturing of the grating.     

浮栅ROM器件辐射效应机理分析

分析了浮栅ROM器件的辐射效应机理，合理地解释了实验中观察到的现象.指出辐射产生的电子空穴对在器件中形成的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷是导致存储单元及其外围电路出现错误的原因.浮栅ROM器件的中子、质子和⁶⁰Co γ辐射效应都是总剂量效应 . 关键词： FLASH ROM EEPROM 中子 质子 60Co γ')" href="#">⁶⁰Co γ 总剂量效应     

试谈真理的定义

近年来,哲学界有些同志对我国普遍流行的真理定义,即“真理就是客观事物及其规律在人们意识里的正确反映”,提出了异议,认为这个定义默认了正确的感性认识也是真理,“是站不住脚的”,主张“真理只能是人们对客观事物的规律的正确认识。”这种把正确的感性认识断然排除在真理的范围之外,而把真理仅仅限定为“对客观事物的规律的正确认识”的论点,值得商榷。     

也谈把"0"作为一个自然数

《数学通报》2 0 0 1年第 1期王尚志老师“为什么要把‘0’作为一个自然数”一文用浅显明白的语言阐述了把“0”作为自然数的“解释” ,但我们感觉 :若不用公理集合论的语言说明 ,似乎意犹未尽 ,下面谈谈我们对此问题的看法 .在公理集合论中 ,我们有如下公理 :Ⅰ外延公理 : ｘ ｙ( ｚ(ｚ∈ｘ ｚ∈ｙ) →ｘ=ｙ)即集合是由它的元素所唯一决定的 .Ⅱ空集存在公理 : ｙ ｘ(┐ (ｘ∈ｙ) )即存在一个集合 ,它没有元素 .据外延公理 ,这个集合是唯一的 ,我们将它记作 .Ⅲ二元集公理 : ｕ ｖ ｚ ｘ(ｘ∈ｚ ((ｘ=ｕ)∨ (ｘ=ｖ) )即对任意两集合ｕ和…