几种金属薄膜密度的测量

用两种方法测量了几种金属薄膜的密度．介绍了应用卢瑟福背散射（ＲＢＳ）技术结合台阶仪测厚来测量薄膜密度的测量方法,并将所得结果进行了讨论,分析了两种测量方法的优缺点     

Z1- AND Z2-OSCILLATIONS OF ELECTRONIC STOPPING CROSS SECTIONS OBTAINED BY SHELL-WISE CALCULATION AND HARMONIC-OSCILLATOR MODEL

A shell-wise calculation method and a quantal harmonic-oscillator model have been used to calculate the electronic stopping cross sections for heavy ions colliding with atoms or penetrating matter. The electronic energy loss is given in an impact parameter formalism. In order to generalize the theoretical models, which pertain to the cese of point charge interacting with matter, to the case for heavy ions, an effective stopping charge hased on the modified BK theory is used by way of simple scaling in the calculations. The comparisons between the calculated results and the experimental data demonstrate a favourable evidence to justify the theoretical models.     

SnO_2(F)、Fe_2O_3和ZnSe(Fe)薄膜厚度的测量

用RBS技术、椭偏法和微量天平称重法测量了掺氟SnO_2(FTO)透明导电膜、掺铁ZnSe磁性半导体膜和Fe_2O_3气敏元件膜的薄膜厚度.实验结果表明,RBS技术的测量数值与椭偏法以及微量天平称重法测得的结果符合得较好。     

生物厚靶的He+离子透射能谱

测量了５００ ｋｅ Ｖ—１ Ｍｅ Ｖ 的 Ｈｅ ＋ 离子穿过５０ —９０ μｍ 厚度的玉米种皮、葡萄果皮和西红柿果皮的透射能谱．结果表明这些生物厚靶是不均匀的,存在着类似于“沟道”的开放通道,沿着这些通道入射离子可以容易地透过靶材料．虽然大多数离子停留在靶中,但一部分透射离子只损失很少的能量．透射能谱显示出一种纯粹的电子阻止特征．３０ μｍ 厚度样品的透射电子显微镜图谱（ Ｔ Ｅ Ｍ） 显示１５０ ｋｅ Ｖ 的电子可以穿过这些样品得到很清晰的图象．β１ ,４ 葡聚糖是生物种皮或果皮细胞壁的重要的组成部分,计算了该分子链的电子结构,指出了生物样品中可能存在的通道方向．     

惰性气体氙(Xe)在不锈钢中的扩散和释放

采用2Mev~4He~ 离子的卢瑟福背散射技术详细地研究了Xe在不锈钢中的扩散和释放过程,不锈钢衬底中的Xe是由离子注入引入的,注入的能量为30Kev,~(129)Xe~ 离子的剂量为2.8×10~(15)ions/cm~2。恒时退火累积分数释放额的测量表明,Xe在不锈钢中的迁移和释放可分为三个阶段。实验发现经Xe离子注入的不锈钢样品表面极易氧化,在退火温度为488℃——789℃的范围内,表面层的氧化将驱使Xe向衬底内部迁移。     

高剂量的~(40)Ar~+离子注入硅热退火行为的研究

用沟道—卢瑟福背散射技术(RBS)研宄了能量为50 KeV,剂量为3.8×10~(16)/cm~2和1.9×10~(16)/cm~2的~(40)Ar~+离子注入(111)硅衬底中的恒温等时热退火行为。结果表明,离子注入层中Ar 原子的扩散和释放以及非晶硅层的再结晶行为明显地依赖于~(40)Ar~+离子的注入剂量和退火温度。注入剂量为3.8×10~(16)/cm~2的样品,当退火温度为700℃时,表面层硅的密度明显减小,退火温度为750℃时,注入层中的大部分Ar 发生外扩散并从样品表面释放。注入剂量为1.9×10~(16)/cm~2的样品,退火过程中没有发现衬底硅表面密度的变化,而且当退火温度为900℃时,残留在注入层中的Ar 仍旧比较多。最后对这些现象进行了讨论和解释。     

低速离子在固体中的电子阻止本领

本文介绍了低速离子在固体材料中电子阻止本领的理论发展情况。着重介绍了有效电荷理论和根据有效电荷理论,由氢离子在材料中的电子阻止截面标度各种重离子在同种材料中电子阻止截面的方法。 用电导理论导出了低速离子贯穿价电子气的阻止截面公式,并给出了一套有效电荷比的经验公式。利用这套公式求得的电子阻止截面Se的值,既符合实验上发现的Se随z_1或z_2振荡的规律,又符合Se随入射离子能量的变化关系。     

低速离子在固体中的电子阻止本领

本文介绍了低速离子在固体材料中电子阻止本领的理论发展情况。着重介绍了有效电荷理论和根据有效电荷理论,由氢离子在材料中的电子阻止截面标度各种重离子在同种材料中电子阻止截面的方法。 用电导理论导出了低速离子贯穿价电子气的阻止截面公式,并给出了一套有效电荷比的经验公式。利用这套公式求得的电子阻止截面Se的值,既符合实验上发现的Se随z_1或z_2振荡的规律,又符合Se随入射离子能量的变化关系。     

化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅱ) 轻离子(Z_1≤10)的射程分布矩

本文根据离子在固体材料中电子阻止截面的实验资料,给出了低能Li~+,Be~+,B~+,C~+,N~+,O~+,F~+,Ne~+等离子在固体中电子阻止截面S_e的经验公式。这些经验公式既能够很好地反映电子阻止本领的Z_1和Z_2振荡、又能正确地给出S_e随离子能量E的变化关系。用这种以实验为基础的S_e经验公式和符合于WHB势的核散射函数,计数了从H~+到Ne~+十种轻离子在非晶Al_2O_3,SiO_2,20/25/Nb不锈钢,LiNbO_3和UO_2等材料中的投影射程分布的一次至三次矩。将计算值与近几年的实验测量及其他人的计算结果进行了比较,在低能端,我们计算的平均投影射程R_p与实验符合得更好。