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采用密度泛函理论中的广义梯度近似(generalized gradient approximation, 简称GGA),对内掺氢分子富勒烯H2@C60及其二聚体的几何结构和电子结构进行了计算研究.发现无论是在H2@C60单体,还是在其二聚体中,氢倾向以分子形式存在于碳笼中心处,且在室温下氢分子可以做自由旋转.电子结构分析表明,氢分子掺入到C60和C120中,仅对距离费米能级以下-8eV至-5eV能级处有一定的贡献,其他能级的分布和能隙几乎没有变化. 相似文献
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通过甩带快淬法制备三元合金(Fe0.81Ga0.19)100-xBx (Fe-Ga-B)和(Fe0.81Ga0.19)100-xInx (Fe-Ga-In)薄带样品,并对Fe-Ga-B合金样品进行热处理。通过高分辨X射线衍射(HRXRD)和扩展X射线吸收精细结构谱(EXAFS)技术表征薄带的微观结构,利用振动样品磁强计和标准电阻应变仪测量了样品的磁性及饱和磁致伸缩系数。研究表明,有序的L12相降低了(Fe0.81Ga0.19)98B2样品的磁致伸缩系数。B原子添加形成的Fe2B相和modified-DO3相有利于提高Fe-Ga合金的磁致伸缩系数。但Fe2B相的饱和磁化强度小于A2相,饱和磁场却远大于A2相,因此随着B含量的增加,Fe-Ga-B薄带的饱和磁化强度逐渐减小,矫顽力逐渐增加。合金中形成的非磁性富In相使得In掺杂Fe-Ga-In合金的磁致伸缩系数和饱和磁化强度均减小。非磁性富In相使晶格产生畸变,减弱了磁弹性效应,并且抑制了磁畴的运动,从而明显地减小了Fe-Ga带材样品的磁致伸缩系数以及饱和磁化强度,提高了Fe-Ga合金的矫顽力。 相似文献
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