压缩形变大体积镁合金坯料半固态等温组织演变

研究了大体积AZ91D镁合金在SIMA法制备半固态浆料过程中组织的演变规律，并对半固态组织球状化演变的影响因素进行了分析．结果表明：合金在550℃等温处理时，α相在升温阶段就开始由树枝晶向团块状转变，随等温时间的延长再由团块状逐渐演变为多边形状，最后演变为球状晶；若等温时间过长，晶粒会发生合并长大；随着等温温度的升高，组织的球状化速度加快，相同等温时问下晶粒的平均尺寸减小；随着保温时间延长，晶粒圆整度明显改善；增加预形变量将促进半固态等温时枝晶形貌的转变，形变量越大的试样转变为球状晶的速度越快，所需时间越短。     

灰铸铁中初生奥氏体树枝晶二维金相切面与三维空间结构之间的关系

本文应用晶体几何学原理,对灰铸铁中初生奥氏体树枝晶进行了解剖研究,发现金相试样中复杂纷乱的枝晶二维切面是不同位向的树枝晶沿一定晶面切开的结果。利用树枝晶二维和三维空间结构之间的几何对应关系,可以比较方便、准确地对树枝晶的生长方式及形貌特征进行分析和计算。     

铸钢件冒口离开热节动态顺序凝固补缩的计算机数值模拟

采用计算机三维热场数值计算法模拟了铸钢件-冒口系统的凝固补缩过程。结果表明，冒口安放处铸件的凝固时间延长80％以上，尤以热节处安放冒口凝固时间延长率最大。冒口放在热节上，冒口根部铸件发生缩松的可能性最大；冒口离开热节又不远离热节，冒口附近的温度梯度在形成缩松的固相率范围内都比较陡，铸件发生缩松的可能性很小。     

真空内氧化法制备α-Al2O3/Cu复合材料

对CuO-Al体系热力学和动力学分析的基础上，采用将CuO和Al粉末压块的方法加入到真空条件的Cu液中使其发生化学反应。对复合材料进行扫描电镜观察及X射线衍射分析，并测试了复合材料中不同Al2O3含量的电导率。结果表明，内氧化法是制备Al2O3／Cu复合材料较理想的方法， Al2O3／Cu复合材料用于高强度高导电领域时Al2O3含量应小于1.85%。 （将发表在《西安理工大学学报》2001 Vol.17 No.2）     

真空内氧化法制备α—Al3O3／Cu复合材料

对CuO-Al体系进行热力学和动力学分析的基础上,采用将CuO和Al粉末压块的方法加入到真空条件的Cu液中使其发生化学反应,生成Al2O3增强颗粒而获得复合材料,对复合材料进行了扫描电镜观察及X射线衍射分析,并测试了Al2O3含量复合材料电导率的影响。结果表明,内氧化法是制备Al2O3/Cu复合材料理想的方法;Al2O3/Cu复合材料用于高强度高导电领域时Al2O3含量应小于1．85wt%.     

Ca－Ni－Ti－Bi多元微合金化铸铁电弧冷焊同质焊条的研究

通过Ｃａ－Ｎｉ－Ｔｉ－Ｂｉ多元合金的复合加入，研制出灰铁芯和球铁芯两种铸铁电弧冷焊条。对焊补区性能的测试结果表明：两种焊条获得的结合强度分别为ＨＴσｂ≥２００ＭＰａ，ＱＴσｂ≥４５０ＭＰａ，δ≮６％，硬度和颜色与母材一致；焊缝为铸铁组织，抗裂性好；熔合区基本无白口，机械加工性能良好。     

直接金属氧化法制备Al_2O_3/Al陶瓷基复合材料的生长方式

运用 DIMOX工艺 ,利用 Al- 3 Mg- 1 0 Si合金在空气工况下直接氧化制备了 Al2 O3 /Al陶瓷基复合材料 ,并通过扫描电镜、光学显微镜等手段观测和研究了复合材料的生长方式 .结果发现 :直接氧化生长 Al2 O3 /Al的复合材料长大增厚是以胞状晶团的方式向前推进的 ,胞状晶团的形成源于合金熔体的微观传输通道 .胞状晶团的长大按照淹没和合并两种方式进行 ,其内部结构表现为周期性层状组织     

直接金属氧化法制备Al2O3／Al陶瓷基复合材料的生长方式

运用DIMOX工艺,利用Al-3Mg-10Si合金在空气工况下直接氧化制备了Al2O3/Al陶瓷基复合材料,并通过扫描电镜,光学显微镜等手段观测和研究了复合材料的生长方式,结果发现,直接氧化生长Al2O3/Al的复合长大增厚是以胞状晶团的方式向前推进的,胞状晶团的形成源于合金熔体的微观传输通道,胞状昌团的长大按照淹没和合并两种方式进行,其内部结构是表现为周期性层状组织。     

内氧化工艺对Al_2O_3/Cu复合材料中Al_2O_3颗粒分布的影响

采用压块加入法和分别加入法两种内氧化工艺 ,将 Cu O和 Al粉末加入到 Ar气保护的铜液中制备 Al2 O3/ Cu复合材料 ,在光学显微镜、扫描电镜及 X射线衍射仪上观察分析了Al2 O3颗粒的数量、分布及材料的相组成。结果表明 ,压块加入法生成的 Al2 O3颗粒呈枝晶状分布 ,最佳保温时间为 30～ 45 min;分别加入法生成的 Al2 O3颗粒呈弥散状分布 ,最佳保温时间为 45～ 6 0 mi     

真空内氧化法制备α-Al_2O_3/Cu复合材料

对 Cu O-Al体系进行热力学和动力学分析的基础上 ,采用将 Cu O和 Al粉末压块的方法加入到真空条件的 Cu液中使其发生化学反应 ,生成 Al2 O3增强颗粒而获得复合材料。对复合材料进行了扫描电镜观察及 X射线衍射分析 ,并测试了 Al2 O3含量对复合材料电导率的影响。结果表明 ,内氧化法是制备 Al2 O3/ Cu复合材料较理想的方法 ;Al2 O3/ Cu复合材料用于高强度高导电领域时 Al2 O3含量应小于 1 .85 wt%