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提出用电荷控制法研究a-SiCCD电荷转移特性的理论模型,通过引入平均场效应迁移率的概念,推导出计算a-SiCCD电荷转移损失率的解析解,理论计算与实验结果符合较好.该模型可以较好地反映热扩散、自感应电场和边缘电场的漂移机制对a-SiCCD电荷转移特性的影响,分析结果表明,a-SiCCD的电荷的转移主要是受电场漂移作用控制. 相似文献
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