首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3篇
  免费   0篇
力学   1篇
综合类   2篇
  2004年   2篇
  2002年   1篇
排序方式: 共有3条查询结果,搜索用时 515 毫秒
1
1.
结合电磁轴承-转子系统,研究了产品设计过程的建模方法,建立了产品设计活动序列的网络模型及其矩阵表达,基于设计活动的序列网络模型,对设计过程中各设计活动序列出现的概率,关键路径及其延续时间作了分析研究,结果表明,这种方法可以对产品设计过程中的设计活动进行定量分析,从而来确定影响产品设计进程的关键环节,为并行设计的组织,实施提供指导。  相似文献   
2.
根据微装配及柔性铰链的特点,提出了微柔顺装置(MRCC,Micro Remote Center Compliance)并对其进行了力学分析。由平衡方程和几何相容条件推导出了三个重要的设计参数——位移刚度Kx、角位移刚度KФ和中心距L的表达式。讨论并示例了柔性铰链的刚度系数、结构参数、位置参数对Kx、KФ和L的影响,分析结果表明,位置参数中的转角θ对Kx、KФ和L影响最大,而且要同时获得Kx、KФ和L的最佳值是不可能的,只能在设计微RCC时综合考虑,选择合适的θ值。  相似文献   
3.
等离子体刻蚀中工艺参数对刻蚀速率影响的研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
用实验方法研究了在感应耦合等离子体(ICP)的干法刻蚀过程中,工艺参数对刻蚀速率的影响.研究结果表明,刻蚀速率随SF6气体流量、自偏压以及射频功率的增大而增大,但当SF6气体流量、自偏压达到一定值后,刻蚀速率开始降低.实验中对工艺参数进行了优化,在射频功率为500W、自偏压为150V、流量为50cm^3/s,以及SiO2和Si3N4的选择比为15的条件下。硅的刻蚀速率达到了0.80μm/min.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号