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研究了C过量掺杂Ge2Sb2Te5GST</sup>相变材料的相变特性与微观结构,制备了一系列包含周期性2nmC薄膜与GST薄膜的超晶格结构复合相变薄膜材料.研究发现,相变材料的相变性能与GST的厚度有较强的依赖关系,反映出C掺杂比例对GST相变性能的影响.随着GST厚度的逐渐降低,高温下C的自发扩散导致GST的掺杂效应逐渐增强,超晶格体系的非晶—晶态相变逐渐被抑制.在此结构中,过量的C掺杂导致体系越来越难以发生相变,甚至失去相变特性.同时,由于C-Ge、C-Sb和C-Te键不稳定,多次可逆的非晶—晶态转变后体系将同时出现未掺杂的GST成分与C掺杂的GST的成分,因此有可能出现稳定的三相.最后,制备了基于[GST(8nm)/C(2nm)]5相变薄膜的相变存储器件,器件的测试结果证实体系能够出现稳定的三电阻态. 相似文献
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阐述了大学物理实验课程的地位与作用,分析了大学物理实验教学存在的主要问题,提出了实验教学的改革思想。 相似文献
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从教研室体制、实验教学内容、形式、方法的改革 ,从教学管理手段和设备管理措施 ,从实验室工作档案建设等方面阐述物理实验室软件建设的实践与思考。 相似文献
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薛建忠 《江苏技术师范学院学报》2003,9(4):101-104,122
根据目前物理实验教学的现状,采用VB语言对物理实验原理、实验设备和实验进行模拟,为提高实验教学效果提供一种有效模式。 相似文献
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采用传统固相烧结法合成了单相Sr2Ru1-xMnxO4多晶样品.同步辐射X射线衍射结果表明,随着Mn的逐渐掺入,晶胞中ab面内Ru-Ru距离逐渐增大.电阻率的测量结果表明,随着Mn的逐渐掺入体系的电阻率逐渐增大.一方面,Ru 3d的X射线光电子能谱(XPS)峰逐渐向高能方向移动,表明由于Ru-Ru距离的增大,Ru周围的电荷密度逐渐降低,贡献于电阻率的增大.另一方面,随着Mn的逐渐掺入体系室温磁化强度逐渐增强,表明Mn的掺入逐渐增大了体系的有效磁矩,同时体系在低温下出现负磁电阻效应,表明磁散射同样对电阻率的增大有一定的贡献. 相似文献
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