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1.
在等离子体增强化学气相淀积系统中,采用aSi:H层淀积和原位等离子体氧化相结合的逐层生长技术制备了aSi:H/SiO_2多层膜.在激光诱导限制结晶原理基础上,使用KrF准分子脉冲激光为辐照源,对aSi:H/SiO_2多层膜进行辐照,使纳米级厚度的aSi:H子层晶化.Raman散射谱和电子衍射谱的结果表明,经过激光辐照后纳米Si颗粒在原始的aSi:H子层内形成,晶粒尺寸可以根据aSi:H层的厚度精确控制.还研究了样品的光致发光(PL)特性以及激光辐照能量密度对PL性质的影响.
关键词:
脉冲激光
多层膜
限制结晶 相似文献
2.
医疗器械正沿着无创伤、微型化、智能化的方向发展,本科研组研制的新型激光多普勒微循环分析系统正是顺应这一趋势而设计的.该系统采用先进的激光多普勒技术,成功地对传统的激光多普勒血流仪进行了改进,采用安全、稳定、小巧的半导体激光器和高灵敏达林顿光敏三极管,并使用电缆传输信号;在计算方法上,创造性地利用功率谱来计算血流参数.整个系统灵敏、稳定、成本低廉,已应用于临床和科研实践,深受用户的好评.本将详细讲述系统的硬件和软件设计. 相似文献
3.
随着电子技术、激光技术和计算机技术的飞速发展,生物医学仪器亦有了长足的进步,研究无创伤、微型化和智能化的医疗器械已成为国内外学关注的热点.特别是各种无创检测设备的问世,标志着生物医学仪器的发展水平,同样也倍受广大患的青睐.本科研组在长期研究无创伤检测技术的基础上,成功地将激光多普勒血流参数、脉搏血氧和脑血氧饱和度的检测集成于一个系统中.其中的关键是:完成了多功能传感探头的设计,此探头可以根据需要准确地调节光源与接收器之间的距离,能够组成血流检测传感器、脉搏血氧和脑血氧检测传感器等,为医学与生理学研究提供了极大的便利;还明确提出了脑血氧饱和度的实用算法;优化了激光多普勒血流参数的DSP(数字信号处理)算法,即功率谱估算方法;以及尽量采用新型元器件,如用半导体激光器作为光源,达林顿光敏三极管作为信号接收器等.本较详细地阐述了系统的测量原理和软硬件设计。 相似文献
4.
市盈率的模糊线性回归预测模型研究 总被引:5,自引:0,他引:5
利用曲线拟合研究市盈率与各种相关因素之间的关系,以模糊线性回归理论为基础建立预测模型,并针对样本的具体特点选择合适的预测模型参数。结果表明,市盈率的预测效果大大提高,适应经济决策的需要,并有良好的可操作性。 相似文献
5.
红土由于其特殊的物质组成和形成环境以及特殊的结构,通常会表现出不同于一般土的工程特征和动力学特性。通过总结前人研究成果,利用数值模拟的方法研究了柳州地区红土的工程特性、动力学特性以及地震反应特性。结果表明:(1)除液性指数外,各项物理性质指标的变异系数较小,较为稳定,各项力学性质的变异系数较大,较为离散;(2)柳州地区红土各项物理力学性质间相关性存在相关性进其中天然含水量、孔隙比、密度三者之间存在较为显著的相关性;(3)通过统计分析,本章给出了柳州地区红土土层剪切波速与埋深间相关系的推荐拟合模型,经过验证误差小于5%;(4)通过SOILQUAKE程序分析了不同动力学参数与实测值的差异,给出了建议值。这一工作对从事红土研究的工作者具有一定价值。 相似文献
6.
本文提出一种用分区许瓦兹变换计算金属屏蔽共面传输线基本传输参量的近似计算方法,其中假设共面传输线的导体带条的厚度为零。应用本文方法得出计算程序和计算数据,设计和制作了包含共面传输线的实际电路,并得到了良好的性能。 相似文献
7.
在软土路基上进行公路施工往往容易产生工后沉降较大、桥头跳车等现象,其轻者影响行车速度,重则导致交通事故,因此,在保证工程质量的前提下,如何能够实现减小施工后沉降,减少质量及交通安全事故的产生是在软土路基上修建公路时应高度重视和急需解决的问题。 相似文献
8.
用面间力常数模型计算了(0001)方向纤锌矿结构GaN与AIN的纵向振动特性.并利用该模型对(0001)方向生长的六角结构的GaN/AIN超品格的纵向声子态进行了研究.着重讨论了超品格声子的限制效应. 相似文献
9.
基于经典热力学理论,对a-SiNx/a-Si:H/a-SiNx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核,以及从球形到鼓形的生长过程进行了研究. 建立了限制性晶化理论模型:在纳米硅生长过程中,由于界面能增大将导致生长停止,给出限制性晶化条件——a-Si:H子层厚度小于34 nm. 在激光晶化和常规热退火两种方法形成的a-SiNx/nc-Si/a-SiNx三明治结构和nc-Si/a-SiNx多层膜结构中验证了该理论模型.
关键词:
非晶硅
纳米硅
激光辐照
结晶 相似文献
10.
利用结合移相光栅掩模 (PSGM) 的激光结晶技术在超薄a-SiNx/a-Si:H/ a-SiN x三明治结构样品中制备出二维有序分布的纳米硅阵列.原始样品是用等离子体 增强化学气相淀积法生长.a-Si:H层厚为10nm,a-SiNx 为50nm,衬底材料为SiO 2/Si或 熔凝石英.原子力显微镜、剖面透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜对样品表面形貌和 微结构的观测结果表明,采用该方法可以在原始淀积的a-Si:H层中得到位置可控的晶化区域 :每个晶化区域直径约250nm,具有同PSGM一致的2μm周期;晶化区域内形成的纳米硅 颗粒尺寸接近原始淀积的a-Si:H层厚,且晶粒的择优取向为<111>.
关键词:
纳米硅
激光结晶
定域晶化
移相光栅 相似文献