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Amorphous TbFe films are fabricated by dc magnetron sputtering, and their magnetostrictions at low field are examined over a wide range of terbium content (from 32at.% to 70at.%). It is found that the terbium content plays an important role in the magnetic and magnetostrictive properties of TbFe films. TbFe film soft magnetic properties and low field magnetostriction can be efficiently improved by controlling the terbium at an optimum content. The magnetostriction at lower magnetic field is increased with the increase of terbium content up to 48.2at.%. After reaching the maximum value, further increase of terbium content would result in a great decrease of the low field magnetostriction. By contrast, at higher magnetic field, the magnetostriction is decreased monotonically with the increase of the terbium content. 相似文献
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氢在Nd晶体中行为的分子动力学模拟 总被引:4,自引:2,他引:2
由三维Mobius反演变换所得的金属Nd原子和H原子间的相互作用势和组合规则的方法得到的Nd H原子间的相互作用势 ,利用正则系统分子动力学算法研究了在一定加载应力强度因子K =0 .6MPam下 ,氢在Nd晶体中的行为。模拟结果表明 ,氢在Nd晶体裂尖富集成许多氢原子团或氢气团。这可用来部分地解释NdFeB稀土永磁体吸氢后的氢爆行为。 相似文献
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运用RKKY理论 ,推导了金属球形团簇间交换作用 ,并利用蒙特卡罗 (MC)方法模拟了嵌埋于沸石分子筛中的Fen 团簇体系的磁性能与团簇尺寸的关联效应。结果表明 :嵌埋式团簇体系的磁性能随团簇间距离呈震荡型 ,体系磁化强度随团簇分布密度及填充率的增大而增大 ,这对新型复合磁性材料的制备提供了参考。 相似文献
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运用RKKY理论,推导了金属球形团簇间交换作用,并利用蒙特卡罗(MC)方法模拟了嵌埋于沸石分子筛中的Fen团簇体系的磁性能与团簇尺寸的关联效应。结果表明:嵌埋式团簇体系的磁性能随团簇间距离呈震荡型,体系磁化强度随团簇分布密度及填充率的增大而增大,这对新型复合磁性材料的制备提供了参考。 相似文献
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NdFeB 稀土永磁材料阻氢涂层的制备 总被引:2,自引:1,他引:2
从NdFeB稀土永磁材料阻氢的角度出发,对NdFeB阻氢涂层的制备进行了研究。利用厚膜烧结方法和浸涂法在NdFeB磁体表面涂覆Ag/聚合物复合涂层作为NdFeB磁体的阻氢涂层,高压充氢实验结果表明,在10MPa,25 ℃的氢环境中,粘结NdFeB磁体充氢480min未粉碎,最高可达600min,烧结NdFeB磁体充氢180min未粉碎,最高可达280min。NdFeB磁体涂层Ag/聚合物复合涂层前后的磁性能几乎没有变化。 相似文献
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H3BO3添加量对SrAl2O4:Eu2+,Dy3+蓄光性能的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
采用共沉淀法制备SrAl2O4∶Eu2 ,Dy3 蓄光材料,研究了H3BO3添加量对SrAl2O4:Eu2 ,Dy3 蓄光性能的影响.XRD和光学性能测试结果表明,硼酸添加量为5wt%的样品结晶完全,其初始亮度达到5000mcd/m2,余辉时间大于8h,随着硼酸添加量增加,样品结晶程度降低、发光强度逐渐下降、余辉衰减速度加快.因此添加适量硼酸可以改善SrAl2O4:Eu2 ,Dy3 的结晶性能和发光性能,过量添加硼酸将导致样品严重结块,SrAl2O4相减少、发光性能大大降低. 相似文献
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采用磁控溅射法在STO(001)基片上沉积钙钛矿结构LCMO薄膜,研究了退火温度对LCMO薄膜微结构及电输运特性的影响.研究结果表明,随退火温度的升高,薄膜中氧含量及Mn^4+/Mn^3+比逐渐升高,LCMO薄膜中的Mn^4+/Mn^3+比与薄膜中的氧含量有关,当氧含量增大时,Mn^4+/Mn^3+比相应增大.LCMO薄膜的电阻率随退火温度升高而逐渐减小,而LCMO薄膜的金属-绝缘相变温度随退火温度升高而逐渐升高,经850℃退火处理的LCMO薄膜的金属.绝缘相变温度可达257K. 相似文献