区熔Si单晶中旋涡缺陷的研究进展

本文简要地评述了区熔Si单晶中旋涡缺陷的观察方法,旋涡缺陷的结构,形成机理以及消除它们的可能方法。     

氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。 通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿<110>方向拉长的片状沉淀物。 随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成“星形”位错群。稜柱位错的稜柱面是{111}晶面,柏氏矢量是a╱2<110>。发射方向是<110>方向,位错线是<112>方向。     

氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

本文用X射线衍射形貌法、红外吸收光谱法和金相腐蚀坑法,探讨了氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷的形成机理。在生长态晶体中存在着三种Si-H键,对应的红外吸收峰波长分别为4.55微米、4.75微米和5.13微米。随着加热过程的进行,Si—H键逐渐分解而消失。5.13微米吸收峰的消失温度是450℃,4.55微米吸收峰的消失温度是600℃,4.75微米吸收峰的消失温度是700℃。晶体中的热处理缺陷是由于氢沉淀造成的,沉淀过程首先是Si—H键分解,然后是氢的扩散和聚集。沉淀过程的激活能是2.4电子伏特(56000卡/克分 关键词：     

五磷酸钕晶体中铁弹畴界的X射线形貌研究

利用X射线衍射形貌法,研究了五磷酸钕(NdP₅O₁₄)晶体中铁弹畴界的衍射衬度。发现在μt=0.6—7范围内,畴界呈现黑的或白的衬度。畴界衍射衬度的特征可归结为(c₂-c₁=)△c∥g畴界衬度明显△c⊥g畴界衬度消失△c·g>0畴界呈黑衬度△c·g<0畴界呈白衬度利用Penuing-Polder波点迁移原理,对畴界的衬度形成原理做了定性解释。根据畴界的衍射衬度特征,定性讨论了畴界的结构特征。 关键词：     

区熔Si单晶中旋涡缺陷的研究进展

本文简要地评述了区熔Si单晶中旋涡缺陷的观察方法,旋涡缺陷的结构,形成机理以及消除它们的可能方法。     

五磷酸镧钕晶体中的腐蚀缺陷

用腐蚀法观察了五磷酸镧钕晶体的腐蚀缺陷。晶体中存在着錐形蚀坑和相应的腐蚀隧道及两种腐蚀沟槽。对这些腐蚀缺陷的形态、特点及分布进行了总结,并探讨了它们的产生与生长条件的关系,讨论了它们的成因及本质。     

磷酸铝(AlPO4)晶体中缺陷的X射线形貌研究

用X射线衍射形貌法研究了AlPO₄晶体中的微观缺陷。在所研究的晶体中,主要晶体缺陷是生长层,沉淀物和位错。位错密度在晶体表面附近最大,晶体中部较低。位错主要起源于热应力和由沉淀物或生长层所造成的晶格畸变。多数位错的柏氏矢量是b=(a+c)<1123>型,部分的是b=a[2110]。分析了晶体缺陷与生长条件之间的关系。控制生长过程中的温度波动,特别是晶体出炉时的冷却速度,对提高晶体完美性是重要的。 关键词：     

五磷酸钕晶体中的反相畴界

本文首次报导了在铁弹晶体五磷酸钕中存在的反相疇界,并在一系列稀土五磷酸盐晶体中观察了其存在与结构的关系;观察了其类型、分布状态及腐蚀特征;用x射线形貌术确定了直型反相疇界的平移矢量;提出了反相疇界的微观模型。     

磷酸铝(AlPO_4)晶体中缺陷的X射线形貌研究

用X射线衍射形貌法研究了AlPO_4晶体中的微观缺陷。在所研究的晶体中,主要晶体缺陷是生长层,沉淀物和位错。位错密度在晶体表面附近最大,晶体中部较低。位错主要起源于热应力和由沉淀物或生长层所造成的晶格畸变。多数位错的柏氏矢量是b=(a+c)<1123>型,部分的是b=a[2TT0]。分析了晶体缺陷与生长条件之间的关系。控制生长过程中的温度波动,特别是晶体出炉时的冷却速度,对提高晶体完美性是重要的。