两种基于苯并咪唑衍生物配体的新型铱(Ⅲ)配合物的合成及发光性能研究

合成了新型配体N-异丙基-2-苯基苯并咪唑(bi)和N-异丙基-2-(4-氟苯基)苯并咪唑(fbi),并用它们与三氯化铱和乙酰丙酮反应,制备了相应的环金属铱(Ⅲ)配合物发光材料(bi)2Ir(acac)和(fbi)2lr(acac)(acac=乙酰丙酮).对其结构用1H NMR和元素分析方法进行了表征,研究了配合物的UV-vis,荧光光谱及电化学性质.两种材料的最大发光波长分别位于514 nm和493nm.电化学研究表明,在苯环上引入氟原子后,配合物的HOMO和LUMO间能隙增大(分别为O.12 eV和0.15 eV),与最大发光波长蓝移结果吻合.     

聚(3-己基)噻吩薄膜中电荷传导的研究

对两种具有相同化学结构的聚(3-己基)噻吩膜进行了电荷传导研究以检验膜的结构对载流子迁移率的影响. 一种膜是由3-己基噻吩单体经电化学合成直接制备的膜(原位生长膜); 另一种膜是将原位生长膜溶于三氯甲烷后重新滴涂而成的(滴涂膜). 研究表明, 虽然两种膜的制备方法不一样, 但在最低(0.02%)和较高(20%～30%)掺杂率下两膜中的载流子迁移率相一致; 然而在中等掺杂率区域, 两膜中的载流子迁移率明显不同. 对于原位生长膜, 载流子迁移率在低掺杂区域几乎保持不变, 当掺杂率大于1%后开始上升; 而在滴涂膜中, 随着掺杂率的增加, 迁移率先下降然后迅速升高. 上述两种迁移率变化特征分别与以前研究中观察到的电化学合成高分子膜和化学合成高分子旋涂或滴涂膜中迁移率的变化特征相一致, 表明了迁移率随掺杂率变化特征的改变是由膜的结构变化而引起的     

S—G方法的侧风扩散现象分析

本系统地分析了Ｓ－Ｇ方法内在的侧风扩散现象，给出了它的应用条件和适用范围，为Ｓ－Ｇ方法的应用提供了依据。     

7475铝合金回填式搅拌摩擦点焊接头链状孔洞研究

7475铝合金具有出色的力学性能,被广泛应用于航空航天领域.使用回填式搅拌摩擦点焊进行焊接能够有效地消除传统搅拌摩擦点焊接头中的匙孔,使力学性能得到大幅提高.但是,对于如7000系高强铝合金进行回填式搅拌摩擦点焊实验时,依然存在力学性能不良、得不到良好焊点的问题,这是由于在对高强铝合金进行回填式搅拌摩擦点焊时,需要更大的热输入才能使母材受搅拌作用形成塑性材料.当焊接热输入较大时,焊点内易产生裂纹和孔洞等缺陷从而影响焊点的力学性能.本研究采用激光共聚焦显微镜、电子扫描显微镜(SEM)对链状孔洞的形貌特点进行了系统的分析,并对链状孔洞的产生原因进行了分析讨论,同时进行了一系列工艺参数实验研究工艺参数对焊点内链状孔洞的影响.研究结果表明,7475铝合金回填式FSSW焊点在较高热输入情况下搅拌区(SZ)内存在对称分布且呈现链状的孔洞,链状孔洞的方向与焊接过程中塑性材料的流动方向一致,这是由于焊接过程中焊具的搅拌以及焊接温度的不断提高,母材中原本存在的金属间化合物(IMC)被焊具打碎并随着材料流动方向汇聚在SZ内,当SZ内温度达到共晶温度时,IMC与Al发生了共晶反应造成了熔化.此外,随着搅拌套...     

一种新的荧光传感器--带有芴基的二氧四胺合成和溶液性质

Ｔｈｅｄｉｏｘｏｔｅｔｒａａｍｉｎｅｌｉｇａｎｄｓｐｏｓｓｅｓｓｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｓｉｍｉｌａｒｔｏｔｈｏｓｅｏｆｔｈｅｏｌｉｇｏｐｅｐｔｉｄｅｓ .Ｔｈｅｙａｒｅａｂｌｅｔｏｆｏｒｍｓｔａｂｌｅｃｏｍｐｌｅｘｅｓｗｉｔｈｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｍｅｔａｌｉｏｎｓ .Ｔｈｅｉｒｔｗｏａｍｉｄｅｍｏｉｅｔｉｅｓｌｏｓｅｈｙｄｒｏｇｅｎｉｏｎｓｄｕｒｉｎｇｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎｗｉｔｈｄｉｖａｌｅｎｔｍｅｔａｌｉｏｎｓ,ｔｈｅｒｅｆｏｒｅｔｈｅｙａｒｅａｂｌｅｔｏｓｔａ ｂｉｌｉｚｅｈｉｇｈｏｘｉｄ…     

电位分析法中电位差计算方法的讨论

针对现有仪器分析教材中有关电位分析法中电池电动势计算方法的论述上的概念性模糊、公式间相互矛盾等展开了较深入的讨论，并做了相应的实验验证。指出电位分析法中真正要知道的是２支电极之间的电位差及其与被测离子活度之间的关系而非电池电动势，因此可采用公式Ｅ电位差＝Φ指示－Φ参比 计算各种情况下的电位差值。     

一系列单硅烷-寡聚噻吩共聚高分子膜中电荷载流子及其迁移率的研究

研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜在较宽掺杂电位范围内的光谱电化学变化规律. 用PSnT表示这一系列共聚高分子, 其中n表示高分子链上寡聚噻吩单元中噻吩环的个数, n分别为5, 7, 8, 10和14. 结果表明在一定的掺杂电位范围内这些PSnT膜可以可逆地电致变色. PSnT膜的光谱电化学和循环伏安研究均表明在电化学掺杂过程中PSnT膜中的寡聚噻吩单元可被两步氧化. 第一步氧化生成极子, 极子可二聚形成p-dimers, 两者之间存在着平衡. 而第二步氧化生成双极子. 双极子不能稳定存在于PS5T和PS7T膜中, 但可稳定存在于其它具有更长寡聚噻吩单元的PSnT膜中. 结合PSnT膜在不同电位下的表观迁移率数据讨论了膜中各种载流子对表观迁移率的影响. 表明当掺杂电位低于两步氧化过程的平均电位Emean时, 膜中表观迁移率的增加主要是由于p-dimers的形成及数量增加所引起的. 随着寡聚噻吩共轭长度(n)的增加, p-dimers更易形成, 因此PSnT膜中载流子的表观迁移率在更低的掺杂电位下开始增加并具有更大的增幅.     

一系列单硅烷-寡聚噻吩共聚高分子膜中电荷传导研究

研究了一系列由单硅烷和寡聚噻吩组成的共聚高分子膜(PSnT, n表示寡聚噻吩单元中噻吩环的个数)在较宽掺杂率范围内载流子的迁移率变化规律. 结果表明, 掺杂率极低(<0.2%)时各膜中的载流子迁移率接近, 几乎不受n的影响; 随着膜的掺杂率的增加, 各PSnT膜中的迁移率相继增大, n增大, 迁移率在更低的掺杂率处开始增大, 其增幅随着n的增加而增大. PS14T迁移率的增幅超过4个数量级, 已与电化学合成的聚噻吩膜中观察到的迁移率增幅相当, 表明此共聚物中的π-共轭长度已足以再现聚噻吩传导性能.     

基于Cu-TPA的电化学生物传感器对黄曲霉毒素B1的检测

利用对苯二甲酸铜(Cu-TPA)能产生强的电化学信号设计了一种灵敏的电化学生物传感器, 并将其用于测定黄曲霉毒素B1(AFB1). 信号探针中的Cu-TPA含有可产生电化学信号的Cu(Ⅱ), 当加入一定量的AFB1后, AFB1与探针中特定的适配体结合, 使信号探针脱落, 电化学信号降低. 根据电化学信号值的变化实现了对AFB1的检测. 在最佳条件下, 该传感器的检出限为4.2×10 ^-6 ng/mL(S/N=3), 线性范围为10 ^-5~10 ng/mL. 将该传感器用于啤酒中AFB1的检测, 回收率为95%~106%.