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1.
烧结钕铁硼永磁体电导率高,永磁体内涡流有导致永磁体热失磁的风险,因而电机永磁体的温升分析非常重要。该文提出一种基于集总参数热路的永磁体温升分析方法,用有限元法分析定子温度场得到定子等效热路参数,用计算流体动力学方法分析定子开槽下的气隙热阻。应用该方法分析了一台30kW 4极电机的永磁体温度,与红外测温结果相比,在永磁体涡流损耗较大的脉宽调制(PWM)电压激励的情况下,永磁体与定子外圆温度差的计算值与实验测量值相差小于3.7%。采用该方法能较准确地根据电机定子外圆温度预测电机转子永磁体温度。  相似文献   
2.
基于金属有机骨架材料(Uio-66-NH2)的荧光猝灭特性以及对核酸适配体的吸附性,结合核酸适配体的高亲和力与高特异性识别能力,构建了针对沙门氏菌检测的荧光生物传感器,当有荧光素修饰的沙门氏菌、适配体被材料吸附到表面时,由于材料诱导电子转移猝灭了荧光素的荧光,若溶液中存在沙门氏菌,则沙门氏菌与其适配体特异性结合后从材料表面脱附,材料与荧光素之间的电子转移过程被切断,荧光素的荧光恢复。基于此原理构建的荧光传感器的信号与沙门氏菌浓度的对数在101~105cfu/m L范围内呈良好的线性关系,检出限(S/N=3)为7 cfu/m L,将该方法用于虾肉样品中沙门氏菌的检测,加标回收率为90.0%~108.0%,该传感器对沙门氏菌有较好的选择性与灵敏度。  相似文献   
3.
基于鲎素(TCP)能强烈抑制钌联吡啶/N,N-二丁基乙醇胺(Ru(bpy)32+/DBAE)体系的电化学发光(ECL)信号,建立了检测鲎素的方法。在最优实验条件下,Ru(bpy)32+/DBAE体系的ECL淬灭值△IECL与TCP质量浓度的对数logρ呈良好的线性关系,线性范围为3.0×10-10~1.5×10-8g/mL,检出限达50 pg/mL(S/N=3)。方法用于鲎试剂样品分析,鲎素的加标回收率为93.0%~107.6%。  相似文献   
4.
在研究DNA与儿茶酚胺类分子之间相互作用的基础上, 以碳纤维电极(CFE)为基底, 制备了一种新型的DNA-过氧化聚吡咯(PPyox)生物复合膜传感器, 与单一的DNA或PPyox修饰层相比具有更高的灵敏度和选择性.  相似文献   
5.
采用聚丙烯酰胺凝胶圆盘电泳技术,对滇池高背鲫鱼的成熟卵和胚胎不同发育时期的苹果酸脱氢酶(MDH)同工酶的表达情况进行了比较分析,结果如下:1、在从未受精卵到肝形成期的整个发育过程中,MDH持续地表达了五条酶带,即MDH1-3、及MDH7-8。始终持续表达的酶带,在发育过程中可能执行的是最基本的代谢功能,与细胞分化无关;2、随着胚胎发育的进展,在第I组胚胎,从肌肉效应期到血液循环期还出现了三条新的酶带,即MDH-4,5,6。这可能反映了滇池高背鲫鱼种群内存在着MDH基因和表达上的多态性  相似文献   
6.
高锌试样中痕量锗的吸光光度法测定   总被引:1,自引:0,他引:1  
建立了高锌试样中痕量锗的快速光度分析方法,显色条件为8×10~(-5)mol·L~(-1)SAF 0.8g·L~(-1)OP 2.4mol·L~(-1)盐酸,λ_(max)为510nm,锗浓度在0.05~5μg/25ml范围内符合比耳定律,摩尔吸光系数为1.3 ×10~5.  相似文献   
7.
为研究涡流对磁共振(MRI)图像的影响,提出了MRI中涡流效应的仿真方法。在基于Bloch方程的仿真方法的基础上增加描述涡流的数学模型从而实现MRI中涡流效应的仿真。为验证仿真结果,首先在一台0.3T永磁MRI系统上测量了涡流模型的参数,然后在该系统上设计并实现了带有附加梯度的自旋回波(SE)序列用以显示零阶涡流的影响。仿真图像和实际图像均显示了和理论分析相符的混叠伪影,同时利用仿真程序补偿实际接收信号,可以明显地减小重建图像的伪影。以上实验结果验证了仿真程序的正确性。  相似文献   
8.
DNA是生物体中储存和传递遗传信息的重要物质。双链DNA分子中碱基对的紧密堆积为电子传递提供了有利条件,DNA内的电子转移与许多生物学功能密切相关,可能诱发遗传信息的错读和引起DNA损伤,导致细胞的突变和癌变。本文介绍了DNA电子传递的多种可能机理,就DNA电子传递的各种理论模型进行了讨论,详细介绍了实验体系的设计和研究方法,分析了各种影响电子传递的因素,对近10多年来DNA电子传递的研究工作进行了综述。  相似文献   
9.
采用聚丙烯酰胺凝胶圆盘电泳技术,对滇池高背鲫鱼的成熟卵和胚胎不同发育时期的果酸脱氢酶同工酶的表达情况进行了比较分析,结果如下;1.在从未受精卵到肝形成期的整个发育过程中,MHD持续也表达了五条酶带,即同MDH1-3,及MDH7-8。始终持纽表达的酶带,在发育过程中要能执行的是最基本的代谢功能,与发化无关;2.随着胚胎发育的进展,在第I组胚胎,从肌肉效应期到血液循环期不出现了三条新的酶带,即MDH-  相似文献   
10.
随着新一代宽禁带半导体器件在双主动全桥(DAB)变换器中的应用,变换器交流侧出现较高的电压上升率(dv/dt)。高dv/dt含有丰富的高频谐波成分,引起变压器分布电容与系统感性元件之间产生严重的高频振荡问题。该文基于高频变压器π型三电容分布参数模型,推导了变压器端口电压高频振荡的时域解析方程,定量分析了dv/dt和变压器分布电容对高频振荡幅值的影响,并通过调节系统dv/dt实现了对高频振荡幅值的抑制。搭建了DAB变换器实验样机系统和对应的LTspice电路仿真模型,验证了高频振荡问题理论分析的合理性和正确性。  相似文献   
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