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1.
在中、小规模MOS集成电路中采用的随机布局方法不再适用于MOS/LSI的布局设计.本文从布局观点出发,把MOS/LSl分为规则阵列和逻辑阵列,提出了对MOS/LSI版图设计很重要的几种布局方法。详细地介绍了组合和时序ROM逻辑阵列以及PLA逻辑阵列的布局方法及其逻辑设计依据.“ROM”法和“PLA”法是直接将其阵列逻辑图用于MOS/LSI版图布局设计的先进布局方法。这些布局方法对MOS/LSI版图设计是普遍适用的,既能解决随机布局对复杂逻辑系统版图设计难以解决的布局问题,又为版图设计带来了图形规整,便于修改,检查、测试和安排计算机程序进行辅助设计的优点。还对各种布局方法作了举例说明,对比分析了各自的优缺点,并就MOS/LSI的整体布局设计考虑作了一般原则性论述.  相似文献   
2.
本文就P-Mos集成电路使用无位错直拉单晶时P-N结漏电流的机理进行了分析。通过实验指出,影响P-N结漏电流的主要原因与氧化层错和位错等缺陷有关。对〈100〉、〈111〉两种单晶大量重复对比实验,证明采用含氯氧化与慢降温相结合的吸杂工艺对减少P-N结漏电流的效果较好。使P-N结特性参数V_(BR)、I_R合格率由过去不合氯氧化工艺的百分之几提高到95%以上,漏电流I_R降低了1~2个数量级。  相似文献   
3.
镀锡板镀层测试   总被引:4,自引:0,他引:4  
以8098单片机作智能部件研制开发的对镀锡板度测试装置,采用STD标准总线结构,汉字菜单提示,人-机对话方式操作,采用电解剥离法检测电位跃变曲线,根据电流和起始时间计算出镀层厚度,可直接显示,打印测试曲线和分析结果。  相似文献   
4.
闪速存储器AT45D系列芯片的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了ATMEL公司生产的大容量FLASH存储器AT45D系列芯片的内部结构、地址选择及控制方法.以AT45D161芯片为例,给出了单片机使用该芯片的电路设计和软件编程.  相似文献   
5.
本文讨论J555集成精密时基器的原理和设计,以及在制造中所采取的深集电极工艺措施。  相似文献   
6.
集成传感加热恒温检波电路专用于SJ-2型数字式涡流位移振幅测量仪。本文给出该电路的设计、版图设计及研制的工艺方案,通过测量绘出芯片的温度分布,并对芯片温度的稳定度做了计算和分析。  相似文献   
7.
以8098单片机作智能部件的小型多功能极谱仪,采用STD标准总线结构,汉字菜单式提示,人-机对话方式操作。以阳极溶出和电位溶出分析为主,用三种定量分析方法直接显示,打印出测试曲线和分析结果。  相似文献   
8.
MC98-A型多功能极谱仪研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
以8090单片机作智能部件的小型多功能极谱仪,采用STD标准总线结构,汉字菜单式提示,人-机对话方式操作。以阳极溶出和电位溶出分析为主。用三种定量分析方法直接显示,打印出测试曲线和分析结果。  相似文献   
9.
智能型便携式桥梁应变检测仪   总被引:5,自引:0,他引:5  
用8031单片机做智能部件,金属应变片做应变敏感元件开发出了桥梁应变检测仪,该仪器用于铁路枯梁静载,动载下应变检测,采用电桥自动调零,可编程增益放大和零点偏差自动调节等措施,保证了测量结果的精确度和可靠性,仪器内存空量大,具有现场显示,打印和数据信息回放功能。  相似文献   
10.
在合金化渗氮的基础上,提出稀土合金化氮碳共渗新工艺,该工艺使氮碳共渗技术得到新的提高。40Cr结构钢(调质):稀土合金化氮碳共渗4h后,表面硬度HV5Kg700,渗层深度0.297mm。  相似文献   
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