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以Au作催化剂,将金属铟在空气中加热到900-1000℃,在单质铟表面制备出In2103纳米锥.纳米锥的直径随着加热时间的延长和反应温度的升高而增加.采用拉曼光谱、扫描电镜和透射电子显微镜对产物进行了表征分析.结果表明,产物为立方相单晶结构的In2O3纳米锥,其直径和高度分别在0.08~0.7μm和0、5~3.1μm范围可调,且金作为催化剂在纳米锥的生长过程中起了非常重要的作用.基于此研究结果,提出了纳米锥的可能生长机理 相似文献
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以Au作催化剂通过在空气中将金属锗加热到550~800℃,在单质锗表面原位大面积生长出了GeO2纳米线.采用扫描电镜和激光喇曼光谱对产物进行了表征分析.结果表明,GeO2纳米线为六方相结构,长度可达30 μm.通过改变加热温度,纳米线的直径可在110~170nm 范围内调节.提出了可能的生长机理以说明GeO2纳米线的形成.并且在GeO2纳米线的喇曼光谱中观察到了声子限制效应. 相似文献
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铟颗粒上具有不同直径氧化铟纳米锥的原位合成与光致发光特性 总被引:1,自引:0,他引:1
以Au作催化剂, 通过金属铟与氧气在850~1000 ℃的氧化反应, 在单质铟表面原位大面积生长出了In2O3纳米锥. 通过反应温度的改变实现了纳米锥的可控合成. 采用激光拉曼光谱、X射线衍射、扫描电镜和透射电镜对产物进行了表征分析. 结果表明, 纳米锥为立方相单晶结构的In2O3, 其直径和高度分别在0.1~0.6 μm和0.2~2.9 μm范围内可调控. 提出了In2O3纳米锥可能的生长机理. 在室温下研究了它们的发光性质, 发现了发光峰位于416和439 nm强的蓝光发光, 这一蓝光发光起源于氧化铟纳米锥中氧空位中的电子与铟-氧空位中心中的空穴之间的复合. 相似文献
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在1050℃氨气和氢气混合气氛中加热金属镓,在镓颗粒表面原位生长出了GaN纳米带、纳米环和Z字结构纳米线.利用激光拉曼光谱仪、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对产物进行了表征,结果表明,所得不同形貌GaN纳米结构均为单晶六方纤锌矿结构,纳米带宽度在20~300nm,长达30gm;纳米环直径在5-8gm;Z字结构纳米线的直径约为160nm.研究了反应温度和时间对产物形貌和结构的影响,提出了不同形貌GaN纳米结构的可能形成机理.从GaN纳米结构的发光光谱中观察到了发光峰位于361nm强的紫外光发光和456nm弱的蓝光发光,这两种发光分别起源于GaN宽带隙带边的激子发射和浅的给体向深的局域受体的跃迁. 相似文献
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以Fick第一定律为基础,对伴有二级均相化学的瞬态扩散传质问题进行了分析。结果表明,在化学反应强度为正时,二级反应浓度分布的非Fick解要明显高于一级反应;当化学反应强度为负时,二级反应浓度分布的非Fick解要低于一级反应。 相似文献