吲哚方酸菁半导体在场效应晶体管中的应用

研究了2,3,3-三甲基-1-H-吲哚方酸菁的场效应性质, 通过X射线衍射证实了方酸菁分子内电荷分离结构以及分子间面面堆积模式, 并在Si/SiO₂基片上通过真空蒸镀和旋涂的方法制备了p型晶体管器件. 通过对器件性能与沟道形态的研究, 我们发现退火处理能促进方酸菁薄膜由无定形态向多晶态转变, 从而使薄膜晶体管的迁移率从10^-5 cm²?V^-1?s^-1量级提高到10^-3 cm²?V^-1?s^-1量级. 顶接触结构单晶器件获得了7.8×10^-2 cm²?V^-1?s^-1的迁移率. 未封装的方酸菁晶体管在大气中也表现出较好的稳定性.     

Organic Light-Emitting Diodes Driven by Organic Transistors

Organic thin-film field-effect transistors (OTFTs) with pentacene as the semiconductor have been fabricated for driving an organic light-emitting diode (OLED). The driving circuit includes two OTFTs and one storage capacitor. The field-effect mobility of the transistors in the driving circuit is more than 0.3cm^2/Vs, and the     

AuSi 液态金属离子源

为了进行Ｓｉ聚焦离子束微细加工技术的研究，研制了ＡｕＳｉ液态金属离子源制备设备及其分析设备，制成了实用化的ＡｕＳｉ合金源，得到了制备该合金源的成熟工艺，利用Ｅ×Ｂ质量分离器分离出Ａｕ和Ｓｉ离子束，对源的一些特性如电流—电压曲线、加热功率—发射电流曲线、束流质谱及源的寿命作了分析。该源结构采取同轴针型，合金槽的材料为钼，发射尖为钨丝。源正常工作时的加热方式为间接加热式。该源与带质量分离器的聚焦离子束系统结合，将迈开亚微米Ｓｉ离子束加工的第一步。并为今后研究其它合金源提供经验。     

0.2μm聚焦离子束系统中电源稳定度的研究

为了在所研制的二级透镜聚焦离子束系统中获得直径小于０．２μｍ的稳定束斑，并进行亚微米微细加工，分析了影响束斑大小及稳定性的因素，并着重从像差、散焦和漂移的角度，利用理论分析和模拟计算，研究了决定系统光学性能的离子源、离子引出极、预聚焦极、聚焦极所用高压电源及电对中、消像散透镜、偏转器所用低压电源的稳定度对离子束径的影响，得到了束直径小于０．２μｍ时电源必须达到的稳定度，即高压电源的纹波系数１×１０－４～１×１０－５，低压电源的纹波系数６×１０－４～１×１０－４。     

有机光敏二极管的功能材料探索及其器件结构

有机光敏二极管具有功能材料种类丰富、光敏波长可调控、成本低和可在柔性基底上制备等优点,在图像传感、免疫探测、光学通信等方面有着重要的应用前景.本文对近年来引起广泛关注的一些有机光敏二极管材料进行了归纳,探讨了它们在对不同波长敏感的光敏器件中的特性,总结了有机光敏二极管的结构优化、界面修饰和界面传输机理及其内部光强分布的相关研究,并介绍了一些基于有机光敏二极管的光电功能器件实际应用.最后,对有机光敏二极管未来的发展方向和应用前景进行了展望.     

汽车维修市场的失效和有效干预

改革开放以来，黑河市的汽车维修行业随着道路运输业的发展而迅速地发展，初步形成了一个国有、集体、个人等多种形式并存、多层次、多渠道、开放和自由竞争的汽车维修市场。截止1995年底，全市共有汽车维修企业272户，其中：一级厂4户、二级厂25户、三级专项修理部243户、从业人员2274人，年产值近1411．8万元。尽管我市汽车维修市场的发展还很不完善，却对我市公路运输业的发展起着重要作用，最显著的是改变了我市修车难的状况，在市场的作用下，技术进步加快，修车质量也有了明显提高。由于历史的缘故，我市汽车维修行业，除少数专业维修…     

Fabrication of Pentacene Thin-Film Transistors with Patterned Polyimide Photoresist as Gate Dielectrics and Research of Their Degradation

Pentacene organic thin-film transistors using commercial photoresist as gate dielectrics were fabricated. The photoresist was spin-coated and directly patterned by photolithography. As a result, the fabrication processes were greatly reduced. With the characteristics of the transistors measured, the degradation of the transistors was investigated. In the search for the factors causing degradation, a transistor using poly(methyl methacrylate) as the gate dielectric was also fabricated. It is regarded that the degradation is caused by the changes at the interface between photoresist and pentacene film.     

全固态染料敏化纳米二氧化钛／铜酞菁复合太阳能电池

利用铜酞菁空穴传输材料制备了全固态染料敏化纳米TiO2太阳能电池。研究了铜酞菁厚度对电池性能的影响，结构优化后，得到的性能参数，开路电压约为618mV，短路电流约为0．24mA／cm^2(氙灯照射，光强约为80mW／cm^2)，注入因子为54．5％，总光电转换效率为0．1％。对铜酞菁层进行碘掺杂后，电池的短路电流得到了提高，而开路电压有所下降。电池暗反应研究表明，电流的升高是由于碘掺杂导致载流子浓度增大，载流子输运能力增强，电压的下降则是由于碘的掺人削弱了电池的整流特性。     

全固态染料敏化纳米二氧化钛/铜酞菁复合太阳能电池

利用铜酞菁空穴传输材料制备了全固态染料敏化纳米TiO2太阳能电池.研究了铜酞菁厚度对电池性能的影响,结构优化后,得到的性能参数,开路电压约为618 mV,短路电流约为0.24 mA/cm2(氙灯照射,光强约为80 mW/cm2),注入因子为54.5%,总光电转换效率为0.1%.对铜酞菁层进行碘掺杂后,电池的短路电流得到了提高,而开路电压有所下降.电池暗反应研究表明,电流的升高是由于碘掺杂导致载流子浓度增大,载流子输运能力增强,电压的下降则是由于碘的掺入削弱了电池的整流特性.     

蒽／并四苯混晶的制备及其光谱性质

采用溶液法制备出一系列掺杂比例（摩尔比最高达100：1）的片状蒽／并四苯有机混晶,并对其进行了系统的表征。通过改变并四苯的掺杂浓度,可以实现对混晶发光颜色由蓝绿到绿进而到黄绿的调控。对蒽／并四苯混晶光学性质的研究发现,混晶的发射光谱中出现了并四苯的敏化荧光,同时葸的发光被部分地猝灭。并且在葸／并四苯混晶中,基质蒽的荧光衰减速率较其单晶时大大加快,而并四苯的发光寿命相对其单晶时则显著增大。上述实验结果表明该混晶体系中存在葸到并四苯的能量转移。