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1.
通过对武汉市50名9-16岁攀岩运动员进行调查与分析,认为对高度的恐惧心理、对比赛岩壁和线路的陌生感、对保护员的不适应、取胜动机过高等是青少年攀岩运动员赛前紧张的主要因素。并提出训练中可以采用"系统脱敏法"、"在不同场地、线路、保护员的条件下训练"、"降低取胜动机、加强心理辅导、开展模拟比赛"等训练方法来消除青少年攀岩运动员赛前紧张。 相似文献
2.
在广西龙胜少数民族自治县有一所龙胜小学,现在是中国珠算心算协会、中央教育科学研究所“珠心算教育具有开发儿童智力潜能作用研究”课题的实验学校。这所学校,从上个世纪九十年代初开始,就在推广三算结合教学的基础上,用珠心算的方法培养出一批又一批广西的优秀珠心算选手,为广西的珠心算发展作出了积极的贡献。这些选手的成绩,摆到全国并不算突出,但在广西她(他)们则都是佼佼者。现在,这些选手有的已经进入社会,有的正在大学里读书,她(他)们从少数民族一个山区县里走出来,有的到了北京,有的到了上海,有的到了南宁,有的到了桂林。有人问:她(他)们这一路走过来,走得还好吗?就笔者的了解,龙胜县的那批选手,现在在北京的有4人,在上海有1人,在南宁有2人,在桂林有2人。在北京的是:石庆师,她九十年代初开始学习珠心算,曾在广西小学生珠心算比赛中获得过三连冠,中央电视台“第二起跑线”在广西录制节目时,被邀请到录制现场作珠心算表演,博得一阵又一阵的热烈掌声和喝彩声,1995年随广西珠算代表团出访日本,进行珠心算表演和交流,得到日本珠算专家的赞赏,2001年以高分考入中央财经大学,就读注册会计师专业,毕业时各科成绩优秀,入选可自动留京就业的范围,... 相似文献
3.
4.
利用六面顶高压设备制备了高密度、低脆性、纳米级的ZnO块体材料,用MDI/JADE5 X射线衍射仪(Cu靶)和XL30S-FEG场发射扫描电子显微镜对高压样品的相组成、晶粒尺寸及微观形貌进行了表征.利用E55+FRA106/5傅里叶变换激光拉曼光谱仪通过ZnO块体样品位于50—500cm-1之内的拉曼光谱, 研究了极性半导体纳米材料的拉曼光谱学特征.发现在极性半导体ZnO纳米块体材料中,没有出现明显的尺寸限制效应.
关键词:
ZnO纳米块体
拉曼光谱
尺寸限制效应 相似文献
5.
二阶微分方程解的一致有界性林福我(河海大学)l引言福原满州雄指出[’]:若二阶微分方一ff则;“wJ解为一致一打界。本文讨论二队微分方程1+D(O十机O」X一0的解的一致的界性问题。利用作JIJlllt’tznn函数的方法,获得该方程的解为一致有界的... 相似文献
6.
应用 ̄(45)Ca跨膜流动测定技术研究钙拮抗剂verapamil、中药西红花(CrocusSativusL.)、“地奥心血康”(DAXXK)、川红花(CarthamustinctoriusL.)及银杏叶(GinkgobilobaL.)等对大鼠主动脉 ̄(45)Ca跨膜内流的作用,以确定其对细胞膜Ca ̄(2+)通道影响。实验结果表明:西红花、川红花、DAXXK对平滑肌细胞膜上电压依赖Ca ̄(2+)通道(PDC)和受体操纵Ca ̄(2+)通道(ROC)都有阻滞作用,并以西红花的阻滞作用最强;而银杏叶对细胞膜Ca ̄(2+)通道无阻滞作用。 相似文献
7.
考虑二阶非线性椭圆型微分方程∑^n_{i,j}∂/∂x_i{A_{i,j}(x,y)∂/∂x_j}+q(x)f(y)=0 (E),其中q(x)在外区域 Ω∈R\+n上变号. 利用偏Riccati变换和积分平均技巧, 建立了方程(E)所有解振动的充分准则. 相似文献
8.
利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜,利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入(辐照)薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响,结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降,而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H+离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。 相似文献
9.
星座是一种每个人与生俱来的魔法,只要你愿意相信,美梦就能实现.就算美梦没有如愿,也不必气馁!在新的一年快要到来的时候,前瞻的了解自己的运势,也是一件未南绸缪的事情昵…… 相似文献
10.
采用MOCVD技术在Al2O3(0001)衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品,实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系,同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果。 相似文献