熔盐法生长ZnO单晶颗粒的机制与光学性能研究

文章采用熔盐法生长ZnO颗粒,研究了颗粒生长机制以及合成条件对于颗粒晶体质量和光学性能的影响.研究发现:熔盐法生长的ZnO颗粒为单晶,具有六角纤锌矿结构,其生长机制由Ostwald熟化生长和取向联结生长2种机制组成;此外,煅烧条件对于颗粒的晶体质量和发光性能均具有很大影响;Ar气负压条件下的高温煅烧有助于提高颗粒整体的结晶质量,但同时也会在颗粒内引入氧空位缺陷,从而使其具有较强的绿光发射性能;而ZnO颗粒在空气常压条件下煅烧虽然可以减少氧空位缺陷,但是其较快的生长速率却会在颗粒内引入应力和其他缺陷,从而降低颗粒的晶体质量,造成其发光性能很弱.     

低温翅片管换热器的传热试验研究

为了研究翅片管换热器在低温工况下的传热性能,进行了翅片管汽化器的气化试验。采用低温热电偶连续测量翅片管汽化器8个不同位置的温度,得到8条温度曲线。分析曲线表明气化过程可归结为非稳态与稳态两个阶段,并经历液相、汽液两相及气相三个传热区。试验结果为同类换热器的分段设计提供了依据。     

高性能Fe-Co合金有序纳米线阵列的制备与磁性研究

采用两步电化学阳极氧化方法制备了有序多孔氧化铝模板,通过交流电化学沉积方法在模板中合成了线间距约为62nm、直径约为25nm的Fe48Co52合金纳米线阵列,细致研究了阵列的晶体结构与磁性能．研究表明：沉积态阵列具有体心立方结构．氢气退火处理对阵列的晶体结构没有影响,但是会显著提高阵列的磁性能．退火后,Fe—Co合金纳米线阵列显示了较高的永磁性能,其易磁化方向的矫顽力、矩形度以及单根纳米线的最大磁能积分别约为3．63kOe、0．971以及33．7mol／dm^3 GOe．     

Fe48Co52 Alloy Nanowire Arrays: Effects of Magnetic Field Annealing

详细研究了磁场退火对于具有不同线间距(30～60 nm)和不同线直径(22～46 nm)的Fe48Co52合金纳米线阵列性能的影响．研究表明,退火过程中沿纳米线方向施加3kOe的磁场对于阵列的最佳退火温度和晶体结构以及线直径较小或线间距较大阵列的磁性能均无明显影响．但是对于具有较大线直径或较小线间距的阵列,这种磁场退火处理限制了其易磁化方向的转动并明显提高了其矫顽力与矩形度．认为不同阵列内部有效各向异性场强度之间所存在的差异是导致磁场退火后阵列磁性能出现不同变化的主要原因．     

毛细多孔介质在液氮中的传热试验研究

为了研究毛细多孔介质在液氮中的传热性能,进行了在试验件中不填充和填充超细玻璃棉的试验。采用低温热电偶连续测量试验件的5个不同位置的温度,得到了5条温度曲线。分析曲线表明超细玻璃棉对传热过程有明显的强化作用,且能使试验件在一段时间内保持相对稳定的低温。并从理论上分析了换热过程,整理了换热方程组。     

交流电沉积频率对Fe-Co纳米线阵列的成分和磁性能的影响

采用交流电沉积方法于不同频率在氧化铝模板中合成了线间距50 nm、直径22 nm的Fe-Co合金纳米线阵列,研究了沉积频率对阵列成分、晶体结构以及磁性能的影响.研究发现:Fe-Co纳米线阵列的最佳沉积频率范围为5～350 Hz.在此范围内合成的阵列,其晶体结构对沉积频率的依赖并不明显,但成分与磁性能却会受到沉积频率的影响.阵列磁性能随频率的变化趋势可以用纳米线饱和磁化强度与线间静磁耦合作用的改变来定性解释.氢气退火后,所有阵列均具有良好的磁性能.它们的矫顽力和矩形度分别高于3.512 kOe和0.939.其中,50 Hz沉积的阵列磁性能相对最好.热磁分析表明:其居里温度约为630 ℃.     

(NiZnCo)_2-W型复合钡铁氧体吸波特性研究

用化学共沉法制备了(NiZnCo)2-W型平面六角晶系复合钡铁氧体,对其吸收特性进行了分析研究,发现在8-12GHz频率范围内有两个吸收峰,最大吸收量达31dB,10dB带宽1.9GHz,匹配厚度3.82mm。同时比较了在相同工艺条件下,碳纤维的掺入对吸收特性的影响。     

熔盐法生长ZnO单晶颗粒的微结构与形貌研究

文章采用熔盐法生长ZnO颗粒,研究了制备条件对颗粒的成分、尺寸、形貌以及晶体结构的影响。结果表明,熔盐生长过程没有在ZnO颗粒中引入杂质。所制备的颗粒虽然具有多种形貌,但均为单晶,具有典型的六角纤锌矿结构。熔盐生长的温度、气氛以及气压等条件对于ZnO颗粒的晶体结构没有明显影响,但是会显著影响到颗粒的尺寸。高温和空气常压条件下,可以制得尺寸分布较窄的ZnO大颗粒。     

2-2型磁电复合薄膜CoFe2O4/Pb(Zr0.53Ti0.47)O3静磁耦合

运用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO₂/Si基片上旋涂制备了2-2型CoFe₂O₄/Pb(Zr_0.53Ti_0.47)O₃磁电复合薄膜．制备的磁电薄膜结构为基片/PZT/CFO/PZT*/CFO/PZT,通过改变中间层PZT*溶胶的浓度,改变磁性层间距以及静磁耦合的大小．SEM结果表明,复合薄膜结构致密,呈现出界面清晰平整的多层结构．制备的复合薄膜具有较好的铁电与铁磁性能．实验还研究了静磁耦合对薄膜磁电性能的影响,结果表明,随着复合薄膜磁性层间距的减小,静磁耦合效应的增加,磁电电压系数有逐渐增大的趋势.