大面积薄栅MOSFET的V_T与D_(OX)的关系研究

本文研究了大面积薄栅M OSFET的阈值电压与栅氧化层厚度的关系。实验结果表明,在薄栅情形(d_(ox)=135～312 )中,阈值电压随着栅氧化层厚度的减少而下降;阈值电压的一维模型仍然适用于大面积薄栅MOSFET。     

氧化铅薄膜三层结构的开关特性

在氧化铅薄膜三层结构的电流——电压特性中发现了具有负电阻区的开关现象。由氧化铅薄膜电导率的电场和温度关系可以证实开关前高阻抗状态的电导是由弗仑克尔一波尔机构所决定的,有效陷阱深为0.16电子伏。几次连续循环后缺陷形成的显微照片和阀电压的逐渐变化等事实清楚地表明,开启时伴随着导电管道的热效应起着主要作用。     

Π4功率晶体管热阻的测量

一、引言在无线电设备中应用功率晶体管时,往往需要利用晶体管所能获得最大限度的输出功率以及延长管子的使用寿命。为此,在设计功率晶体管时,要求能准确地计算它的热阻;在制造和应用功率晶体管时,要求能准确地测量它的热阻。早几年,许多工作者对小功率晶体管的热阻进行了研究,建立了等效热路,提出了热阻的测量方法。但是,直到目前为止,尚未找到精确测量大功率管热阻的方法,而且     

双层氧化硅(富硅氧化硅和热氧化硅)栅氧化层MOS场效应晶体管的研制

本文报导全部应用常规工艺制造出45埃热氧化硅和200埃富硅氧化硅的双层栅氧化层MOS场效应晶体管。作者首次描述利用常规光刻技术,用BOE腐蚀液刻蚀双层氧化硅层。