首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   7篇
  免费   0篇
  国内免费   1篇
力学   1篇
综合类   7篇
  2024年   1篇
  2014年   1篇
  2010年   1篇
  2008年   2篇
  2006年   1篇
  2005年   1篇
  1998年   1篇
排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
在数字移动通信网络规划中,希望能对网络服务区内的信号接收质量进行预测,并尽可能减少大量的实测工作.文中以GSM网络为背景,首先通过一定的信道模型完成了对不同环境下的多径衰落信道的模拟,然后利用软件模拟接收端对GMSK信号的Viterbi解调,综合考虑了瑞利衰落、阴影衰落、时延扩展、高斯白噪声及同频干扰对误码率的影响.模拟所得的结果是GSM系统中典型市区环境下信道解码前对误码率与载干比的关系.最后在考虑了话务量对误码率的影响以后,提出了误码率的预测公式,从而实现了对GSM网络接收质量的预测.  相似文献   
2.
对不同条件下的HR3C奥氏体耐热钢蠕变试样进行性能测试和微观结构观察,研究奥氏体耐热不锈钢蠕变沿晶破坏行为和损伤特征。电子背散射衍射(EBSD)分析结果表明,不同蠕变速度下材料的晶粒尺寸基本不变,未产生择优取向,但高蠕变速度条件下部分孪晶界演变成一般晶界,而低蠕变速度下原始孪晶结构基本保持不变。EBSD分析结果清楚地反映了微观蠕变应变的不均匀性。沿晶微裂纹和蠕变空洞的产生和扩展是最显著的损伤特征,这些损伤现象与不同蠕变速度下的蠕变机制及晶界性质密切相关。  相似文献   
3.
高温持久强度试验和微观结构分析显示,某热电厂材质为F12(X20CrMoV12.1)主蒸汽管道经1.65×105 h运行后,材料的力学性能和组织结构产生明显的退化或损伤.尽管没有发现蠕变空洞或裂纹等动态缺陷,但微观结构表现出明显的脆化倾向和蠕变损伤特征,弯管部分尤为显著.服役材料的持久强度试验结果和主蒸汽管线运行状态下的有限元方法应力计算分析表明,该主蒸汽管道的再设计许用应力值已不能满足继续安全运行1×105 h的基本条件.最后对其剩余使用寿命做出评价.  相似文献   
4.
结合实际研究项目介绍了一种新型船载卫星通信系统的关键技术,该系统采用的是捷联式的有源稳定跟踪平台,特点在于利用圆锥扫描原理实现天线姿态稳定跟踪,从而降低了系统对天线稳定平台的精度要求,主要探讨了圆锥扫描技术在天线自动跟踪系统中的应用。阐述了圆锥扫描自动跟踪的原理、系统组成以及系统的具体实现方案,分析了扫描参数对系统性能的影响及选择原则。实验测试表明,该系统能够获得较高的跟踪精度和跟踪实时性,能够使天线稳定地对准卫星。  相似文献   
5.
研究了轮轴钢LZ50在单轴微动疲劳条件下的应力-应变滞后回线,微动区的磨损特征及断口和截面形貌;分析讨论了磨屑的形成与演变过程及微动疲劳失效机制。结果表明,LZ50在单轴微动疲劳过程中消耗的塑性不可逆功少,微动损伤机制为粘着磨损、磨粒磨损,并伴有氧化磨损。磨损过程中基体材料脱落、破碎、氧化形成磨屑,其中的硬质氧化物颗粒促进了材料表面的磨粒磨损,加速了疲劳失效过程。微动疲劳裂纹萌生区的宽度大约为100μm,失效断裂面垂直载荷方向。  相似文献   
6.
铜石墨合金材料在载流条件下的摩擦磨损行为研究   总被引:3,自引:1,他引:2  
采用冷压烧结粉末冶金法,以300 MPa的压力进行初压,在氢气保护气氛下于烧结温度为950 ℃,3 h下烧结,然后冷却至室温后再以300 MPa的压力进行复压制备出铜石墨合金材料.通过电滑动磨损试验及扫描电子显微镜分析等方法研究了铜石墨合金材料的磨损性能,探讨其磨损机制.结果表明:在试验参数范围内,试样的磨损量随着试验载荷、速度及电流密度的增加而增大;在载流条件下电流产生的电弧热是其磨损量增加的主要因素;石墨和铅以单质形式存在有利于摩擦副之间的润滑和提高其耐磨性能;合金的磨损机制主要为磨粒磨损、电侵蚀磨损和黏着磨损.  相似文献   
7.
基于特征的参数化造型技术使用参数约束模型的结构尺寸,行为建模技术通过在设计过程中定义行为特征,并使用行为特征参数驱动参数模型,使模型具有行为智能,从而自动建立设计,实现设计过程的目标驱动。行为建模包括定义行为特征,评估模型的可行性、灵敏性或优化程度,以及设计研究等内容。使用行为建模技术可以很好地解决天线结构设计中反射角、平衡等诸多问题。  相似文献   
8.
A high stabilized low dropout(LDO) voltage regulator fabricated for GPS radio frequency(RF) chip in SMIC 0.18μm CMOS technology is presented.The LDO mainly consists of bandgap reference,error amplifier,resistive feedback network and AC current path.A fast current path is added to improve the performance of LDO's transient response.Equivalent series resistance(ESR)compensation and internal Miller compensation are used to constitute the frequency compensation.The measurement results of the transient response of the output voltage show that it can recover within 2μs with less than 120 mV ripple when the load current is changed from 0 to 100 mA.The total quiescent current of LDO and bandgap reference(without load) is 260 μA.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号