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GaAs半导体光致发射极化电子源是70年代末国际上出现的一种新型极化电子源。它采用GaAs半导体晶片作为光阴极,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上,以获得负电子亲和势(Negative lectron Affinity)表面,然后通过用波长合适的圆偏振激光阴极,来获得自旋极化的电子束,详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程,并介绍了极化电子在极化(e.2e)反应中的应用。 相似文献
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在量子系统的非线性对称性的研究领域中 ,利用Poincaré- Birkhoff- Witt理论 ,得到了非线性角动量代数 IΩ(Ω 为多项式的最高次幂 )在其通用包络代数空间上的不可分表示及在两个商空间上的诱导表示 ,并在此基础上具体给出了 IΩ 的非齐次的单、双和三玻色子实现。这些结果有助于对量子系统中非线性对称性的研究 ,进而加深对该系统的基本物理性质的理解。 相似文献
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为了在金属熔滴喷射沉积制造中得到均匀细小、精度可控的熔滴,设计了气压驱动金属熔滴按需喷射装置.该装置主要由熔滴产生器、温度控制器、脉冲压力控制器和低氧环境等几部分组成.利用所设计装置对锡铅合金(Sn,Pb的质量分数分别为60%和40%)进行喷射实验研究.结果表明,在氧的质量浓度低于14.2 mg/m3的环境中,协调控制供气压力、电磁阀打开时间、球阀开口角度和脉冲频率等参数,能按需喷射均匀的金属熔滴,且系统能够对每个压力脉冲做出响应,具有可控性,满足设计要求. 相似文献
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导线覆冰脱落会引起导线剧烈跳跃摆动,导致输电线路产生严重的机械、电气事故.为明确输电线路脱冰跳跃幅值特性,揭示各项参数及其交互作用对冰跳幅值的影响规律,采用数值模拟方法,建立导线一绝缘子串耦合模型,对冰跳幅值在不同影响因子作用下的变化特性进行研究.结果表明,导线跳跃幅值随着覆冰厚度、脱冰量、导线刚度的增加而增加,其增大的幅度不断上升;冰跳幅值随着连续档数的增加而趋于稳定;悬挂点高差、绝缘子串长度等因素对跳跃幅值影响较小;不同脱冰方式导线跳跃幅值相差较大;风荷载对导线横向摆动影响较大,对竖向跳跃影响较小;交互作用分析过程中,脱冰量对冰跳幅值影响最大,脱冰方式与脱冰量之间的交互作用对幅值影响最小.相关成果为覆冰线路设计及后续覆冰脱落分析研究提供参考借鉴. 相似文献
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极化电子在(e,2e)散射中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了用极化电子进行(e,2e)散射的意义及其当前国际上的进展,然后对正在研制的一台(e,2e)谱仪进行了介绍,包括其总体结构及关键部分的特色,其中着重讨论了一种光学极化仪. 相似文献