(111)取向(Pb,La)TiO3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究

采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20-60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C·(cm2·K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.     

集成铁电学与铁电集成薄膜

介绍了集成铁电学的基本概念，评述了当前集成铁电材料与器件研究中的主要问题，概略叙述了作者提出的铁电集成薄膜及其在多功能器件和灵巧器件上的应用。     

第七届全国电介质物理学术会议简讯

第七届全国电介质物理学术会议简讯受中国物理学会委托，电介质物理专业委员会于１９９３年１２月５日至８日在武汉湖北大学召开了第七届全国电介质物理学术会议，出席这次会议的教授、专家和有关的研究工作者近１００人。中国科学院院士殷之文、姚熹和王业宁教授出席了会...     

金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型(Ⅱ)——数值计算与结果讨论

结合实验中的工艺技术参数,以Pb,Ti两金属靶的反应共溅射为例,对我们提出的金属氧化物薄膜的多离子束反应共溅射模型进行数值计算,分别得出了各靶的溅射速率R,反应腔中反应气体分压p以及衬底Pb,Ti的金属单质和氧化物所占的有效面积百分比与反应共溅射中直接可调的物理量,即反应气体总量Q和溅射离子束流J的关系.计算结果表明,该模型揭示了反应溅射具有滞回效应的本质特征,反映了反应共溅射中相关参数的相互影响与相互耦合的特点,给出了薄膜中组分原子百分比及其氧化物的形态与溅射工艺的关系,指出了多离子束反应共溅射中稳恒溅 关键词：     

溶液酸度和反应温度对CaMoO4薄膜电化学制备的影响

本工作研究了恒电流电化学技术制备CaMoO₄薄膜工艺中，溶液酸度和反应温度对薄膜形成的影响。结果表明，酸度会影响薄膜的生长时间和光致发光特性，在较低酸度沉积薄膜时，容易造成薄膜的团簇生长和不确定相的形成；适当升高反应温度会加快晶粒的生长、提高薄膜的纯度、增加薄膜发射光谱的相对强度。在CaMoO₄薄膜电化学制备工艺中，溶液pH值控制在12.0附近和反应温度控制在60 ℃的左右比较好。     

不同衬底对溅射Pb(Zr_(0.8)Ti_(0.20))O_3薄膜的结构及其性能的影响

利用射频磁控溅射法在低阻Si,Si O2/Si以及Pt/Ti/Si O2/Si等不同衬底上制备了Pb(Zr0.8Ti0.2)O3薄膜.利用XRD,SEM等对薄膜的结构性能进行了分析,结果发现不同衬底对溅射制备的PZT薄膜的结构有很大影响.在Pt/Ti/Si O2/Si衬底上制备的PZT薄膜经600℃退火1h后,薄膜表面光滑、无裂纹,XRD分析显示PZT薄膜呈完全钙钛矿结构,测试PZT薄膜的电学性能,表明PZT薄膜具有良好的介电性能.     

Bi_(0.5)(Na_(0.85)K_(0.15))_(0.5)TiO_3压电陶瓷溶胶-凝胶法制备技术研究

分析了溶胶凝胶工艺制备Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5Ti O3微粉中工艺条件的影响,得到了稳定的溶胶,并在750℃合成了颗粒尺寸为100nm左右的微粉;利用该粉体在1175℃烧结得到了性能较好的Bi0.5(Na0.85K0.15)0.5Ti O3陶瓷,d33=100pC/N,Qm=193.     

一种SOL-GEL制备钛酸锶钡(BST)薄膜新路线的工艺研究

研究利用钡、锶的碳酸盐代替醋酸盐,采用sol-gel技术制备Ba1-xSrxTi O3(BST)铁电薄膜的工艺过程.以碳酸钡、碳酸锶和钛酸四丁酯作原料,采用sol-gel工艺制备BST薄膜,对比研究了用两种混合溶剂制胶和制膜的工艺.通过XRD分析了薄膜的结构,用AFM测定表面形貌,结果表明,采用碳酸盐作为钡、锶的原料,用冰醋酸和乙二醇甲醚混合液作溶剂,可配制出澄清透明、能长时间放置的溶胶,并制备出膜厚均匀、表面光洁致密、没有裂纹的全钙钛矿相的BST薄膜.     

衬底处理方式对电化学法制备的BaWO_4多晶膜形貌的影响

采用恒电流型电化学工艺,控制适当的电化学反应条件,分别在酸腐蚀的钨片和机械抛光的钨片上制备了BaWO4多晶膜.运用XRD,SEM测试手段分析表征了产物的晶相和表面形貌,结果表明,在相同的电化学条件下,机械抛光这种衬底处理方式可以较为有效地改善BaWO4多晶膜的表面平整度和均匀性.