Si_(8-x)Ge_x合金的电子、力学和光学性质第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究Si_(8-x)Ge_x合金的电子、力学和光学性质.计算结果表明:Si_(8-x)Ge_x合金的能带结构相似;弹性系数、体模量和剪切模量均随x的增大呈减小趋势;静态介电常数、折射率和反射系数均随x的增大呈准线性增加趋势;等离子体振荡频率随x的增大呈减小趋势.     

镧系氮化物弹性性质与光学性质的第一性原理计算

采用基于密度泛函的第一性原理方法, 计算镧系氮化物的弹性性质、 光学性质和Debye[KG*8]温度. 计算结果表明： 轻镧系元素（Ln=La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu）氮化物(除LaN外)的体弹模量B与剪切模量G的比值均大于1.75; 重镧系金属元素（Ln=Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu）氮化物(除GdN外)的B/G均小于1.75; HoN晶体具有较高的介电常数和光学反射率; LaN晶体具有较高的折射率; 镧系氮化物的Debye温度为300~500 K, 即声子振动频率的数量级为10¹³ s^-1.     

Si8-xGex合金的电子、 力学和光学性质第一性原理计算#br#

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法, 研究 Si_8-xGe_x合金的电子、 力学和光学性质. 计算结果表明： Si_8-xGe_x合金的能带结构相似; 弹性系数、 体模量和剪切模量均随\%x的增大呈减小趋势; 静态介电常数、 折射率和反射系数均随x的增大呈准线性增加趋势; 等离子体振荡频率随x的增大呈减小趋势.     

氢化石墨纳米结构的合成及尺寸相关的荧光性质

在溶剂热反应条件下(180℃),利用还原剂金属钾对卤代苯(溴苯和二溴苯)中的C—Br键进行选择性裂解,而含氢的碳六元环仍稳定且之间可以发生聚合成键,成功合成了2种不同的氢化石墨纳米结构,获得的产物分别呈黄褐色和黑色.拉曼和红外光谱分析结果表明,黑色产物为尺寸约2 nm的氢化石墨纳米片,而黄褐色样品为尺寸更小的氢化碳纳米结构;X射线衍射分析结果表明,2种产物都具有菱方结构但结晶性较低.对合成的氢化石墨纳米结构的荧光性质分析发现,样品具有尺寸相关的荧光现象,同等激发条件下,尺寸较小的黄褐色样品的发光强度约为黑色样品的15倍.     

镧系氮化物压致结构相变的第一性原理计算

利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,得到了常压下镧系氮化物的晶格常数,以及在压力作用下镧系氮化物从NaCl型结构(B1)到CsCl型结构(B2)转变的压力。并把考虑电子自旋极化与不考虑电子自旋极化作用的计算结果进行了对比,分析了4f电子对镧系氮化物这些强关联体系的压致结构转变压力的影响。结果显示:5个镧系元素的氮化物(GdN、TbN、DyN、HoN和ErN)从B1相到B2相转变的压力与电子自旋极化作用关系很大,而其它镧系氮化物的相变压力与电子自旋极化作用的关系很小。