硅基完全集成DC/DC转换器中多层平面电感设计与建模

为提高完全集成低压低功率DC／DC转换器转换效率与输出电流能力，提出了一种多层混联螺旋电感结构．该结构基于标准0．5μm 2P3M CMOS工艺，将下面较薄的两层金属线圈多点并联，再与最上层金属线圈串联．多点并联结构有效地增加了等效金属层的厚度，串联结构增加了线圈之间的互感值，从而可以在不增加额外工艺成本的条件下显著提高平面电感的品质因数、单位面积电感值和电感线圈的电流承受能力．所提出的模型为完全集成DC／DC转换器的整体电路模拟分析提供了便利基础．基于0．5μm2P3MCMOS硅衬底工艺的模拟计算结果表明，在DC／DC转换器工作频段50～400MHz，取得了预期电感的设计效果，最大品质因数值达4．2，单位面积电感值达到83mH／m^2，可以承受的电流达90mA．电感芯片测试结果与模型模拟结果基本吻合．     

MOS-based model of four-transistor CMOS image sensor pixels for photoelectric simulation

By using the MOS-based model established in this paper, the physical process of photoelectron generation, transfer, and storage in the four-transistor active pixel sensor (4T-APS) pixels can be simulated in SPICE environment. The variable capacitance characteristics of double junctions in pinned photodiodes (PPDs) and the threshold voltage difference formed by channel nonuniform doping in transfer gates (TGs) are considered with this model. The charge transfer process of photogenerated electrons from PPDs to the floating diffusion (FD) is analyzed, and the function of nonuniform doping of TGs in suppressing charge injection back to PPDs is represented with the model. The optical and electrical characteristics of all devices in the pixel are effectively combined with the model. Moreover, the charge transfer efficiency and the voltage variation in PPD can be described with the model. Compared with the hybrid simulation in TCAD and the Verilog-A simulation in SPICE, this model has higher simulation efficiency and accuracy, respectively. The effectiveness of the MOS-based model is experimentally verified in a 3 μ m test pixel designed in 0.11 μ m CIS process.     

哈尔滨市平房区碘缺乏病的自我考评结果分析

对哈尔滨市平房区7～10岁学龄儿童尿碘、甲状腺肿及用户碘盐进行调查，其结果为：尿碘中位数为315μg／L，＜50μg／L者占5．7％，＜100μg／L者占10．6％；甲状腺肿大率为21．80％；盐碘中位数为46．4×10-6，＜20×10－6者占3．9％，按照WHO、UNICEF、ICCIDD三个国际组织提供的考核评估标准，尿碘、盐碘水平已达标，但甲状腺肿大率未达标。     

复合漏电模型建立及阶梯场板GaN肖特基势垒二极管设计

准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)因其低成本和高电流传输能力而备受关注.但其主要问题在于无法很好地估计器件的反向特性,从而影响二极管的设计.本文考虑了GaN材料的缺陷以及多种漏电机制,建立了复合漏电模型,对准垂直Ga N SBD的特性进行了模拟,仿真结果与实验结果吻合.基于此所提模型设计出具有高击穿电压的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD.根据漏电流、温度和电场在反向电压下的相关性,分析了漏电机制和器件耐压特性,设计的阶梯型场板结构准垂直GaN SBD的Baliga优值BFOM达到73.81 MW/cm~2.     

西霞院工程排沙设计及模型试验

黄河小浪底水利枢纽配套工程──西霞院反调节水库枢纽建筑物原设计排沙闸在进行单体水工模型试验发现存在水力学问题、结构问题、金属结构问题。将排沙闸改为排沙洞后,以上问题得到解决。     

应用碘酸盐快速定量方法对1762份高低浓度碘盐的筛查分析

对1762份碘盐进行了快速定量检测筛查,并与实验室方法对照,检测结果为:①销售点碘盐含碘量 M 为40.5×10-6,合格率为97.4%;非碘盐及碘盐含碘量 M＜20×10-6,均为"0";＞60×10-6为2.6%.②居民食盐含碘量 M为 40.0×10-6,合格率为95%;＜20×10-6 为2.5%,＞60×10-6 为0.7%;非碘盐为1.8%.本法与实验室定量方法比较,P＞0.05,无显著差异.判定本法是准确的.     

硫酸铈接触法在碘盐检测中的应用

用硫酸铈接触法对哈尔滨市动力区（１９９２年）和呼兰县（１９９３年）的居民末稍碘盐和碘盐加工点销售点碘盐共２３２份盐样进行了测定分析，其结果：动力区居民末稍盐ｎ＝７６，ｘ±ＳＤ＝１９．５８±１２．８６；碘盐销售点，ｎ＝７７，ｘ±ＳＤ＝２０．５９９±２０．１７４．呼兰县居民末稍盐ｎ＝７５，ｘ±ＳＤ＝８．８９±５．９１；加工点ｎ＝１９，ｘ±ＳＤ＝４６．０８±３８．９３；销售点，ｎ＝４，ｘ±ＳＤ＝２０．７５±１７．７０．平均回收率为９８％．     

开关电容DC-DC变换器的输出特性及控制模式

探讨了开关电容ＤＣ－ＤＣ变换器的输出功率及频率特性,提出了频率极限和功率极限概念,并得出了极限频率的确定方法,进而讨论了开关电容ＤＣ－ＤＣ变换器的控制模式,频率极限由变换器固有的充放电时间常数决定,因此减小开关管导通电阻及串并联电容器的等效串联阻抗是提高变换器输出功率的关键,集成化是改善开关电容ＤＣ－ＤＣ变换器输出的较好途径,计算机仿真及实验结果证实了以上结论。     

天桥水电站新增泄洪闸深层滑动稳定研究

天桥水电站新增泄洪闸基础岩层之间存在连续的软弱夹层,沿软弱夹层面的深层滑动分析,依据刚体极限平衡理论,采用等安全系数法进行计算。     

一种多层平面电感设计的全局优化方法

为多层平面电感设计提出了一种全局优化方法．该方法在给出等效物理模型的基础上，以获得最大品质因数为设计目标，以工作频率、单位面积电感值、电感线圈的电流承受能力为约束条件，将优化问题表示为平面电感器结构参数的正项式函数，即将优化问题便捷地转换为几何规划，使之在不同条件下均可快速获得优化结果．采用全局优化方法设计的电感器芯片的测试数据表明，在给定的约束条件下，单位面积电感值大于80mH／m^2，金属条宽度大于10um，频段范围50～400MHz，优化得到的品质因数与测试结果的最大误差在10％以内．