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利用离子辅助电子束蒸发技术,在玻璃基底上以交替沉积的方式制备了A12O3/SiO2叠层复合薄膜,单层介质膜膜厚分别选取54和16 nm,总厚度为560 nm.采用步进法测试得到金属电极/复合绝缘膜/金属电极(MIM)结构的I-V特性曲线,具体成分为CrCuCr/(Al2O3/SiO2)8/CrCuCr,相应的厚度为80... 相似文献
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利用脉冲激光沉积方法制备出了具有室温铁磁性的Ni1-1-xFexO(x=0.02,O.05)稀磁半导体.X射线衍射(XRD)结果表明Ni,1-xFexO的品体结构为Nacl结构,并且在Fe含量较高的Ni095Fe0.05O中出现了少量的a-Fe2O3物相.X射线吸收近边结构谱(XANFS)和X射线光电子能谱(XPs)进一步表明了掺杂的Fe原子替代Ni0日格中Ni原子,并且样品中不存在能够诱导室温磁性的第二相.这些研究结果表明Ni1-xFexO的室温铁磁性是本征的. 相似文献
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