排序方式: 共有2条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
不同的工艺条件会对薄膜的生长产生影响。使用等离子体增强化学气相淀积方法,对PECVD生长氮化硅钝化膜的工艺条件进行了实验研究,阐述了几种工艺参数对钝化膜生长的影响,获得了生长氮化硅钝化膜的较佳工艺条件,制作出了高质量的氮化硅钝化膜。 相似文献
2.
VUMOSFET是一种新型功率器件,它一个很重要的优点是它特有的沟槽结构减小了器件的寄生电容,而寄生电容的充放电过程是限制VUMOSFET开关速度的主要因素,本文剖析了VUMOSFET主要寄生电容的结构并给出计算公式,通过公式可以定量的减小寄生电容,从而降低开关时间,减少功率损耗,对设计具有指导作用. 相似文献
1